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1. 關於輸出級之敘述,下列何者錯誤?
(A)class-A為線性操作放大器
(B)class-B無靜態功率消耗
(C)class-B的輸出通常為失真之波形
(D)class-AB可兼顧效率及線性度。
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2. 場效電晶體在正常使用下之輸入阻抗比雙極性電晶體的輸入阻抗為:
(A)高
(B)低
(C)相等
(D)有時高有時低。
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3. 橋式整流之漣波頻率為電源頻率的:
(A)2 倍
(B)3 倍
(C)√2 倍
(D)1 倍。
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4. 一中頻為455KHz的超外差電路裡,欲接收頻率為1455KHz的電台時,本地振盪器的頻率應為:
(A)455KHz
(B)910KHz
(C)1455KHz
(D)1910KHz。
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5. 下列對互補式金氧半電晶體(CMOS)的敘述,何者錯誤?
(A)工作電壓約為3~15V
(B)扇出(Fan-out)數可超過50
(C)傳輸延遲時間比TTL的短
(D)靜態消耗功率比TTL的小。
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6. 矽半導體的材料能隙(Eg)及阻抗值是隨溫度上升而作何種變化?
(A)能隙變大,阻抗值變小
(B)能隙與阻抗值均變小
(C)能隙與阻抗值均變大
(D)能隙變小,阻抗值變大。
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7. 應用戴維寧定理求等效電阻時:
(A)所有獨立電壓源短路,所有獨立電流源開路
(B)所有獨立電壓源開路,所有獨立電流源短路
(C)所有電源均短路
(D)所有電源均開路。
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8. 下列何者不會造成電壓放大器之輸出波形扭曲(distortion)?
(A)有限頻寬
(B)輸入阻抗非無限大
(C)slew rate限制
(D)頻率響應之相位非線性。
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9. 對於頻率響應的敘述,下列何者錯誤?
(A)電容於dc可視為開路
(B)電容於極高頻可視為短路
(C)電感於dc可視為開路
(D)電感於極高頻可視為開路。
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10. IEEE-488 bus的信號線共有:
(A)4條
(B)8條
(C)16條
(D)32條。
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11. 假設電壓增益為2之放大器電路串接5級,若不考慮負載效應,則總電壓增益為:
(A)3
(B)7
(C)10
(D)32。
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12. 在VLSI中,下列何者不是MOSFET比BJT優越之處?
(A)MOSFET電路不需製作電阻
(B)MOSFET之扇出能力較強
(C)MOSFET之體積較小
(D)MOSFET之製程簡單。
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13. 在N型半導體材料中,有較多之自由電子,因此其所帶之電性為:
(A)電中性
(B)正電
(C)負電
(D)不一定。
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14. 電晶體放大器中,小訊號之操作,其主要目標為:
(A)功率放大
(B)穩定性大
(C)線性放大
(D)頻率響應。
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15. 波在產生折射時,有那一特性不變?
(A)波速
(B)波長
(C)振幅
(D)頻率。
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16.
下列組態的放大器,共集極輸出電阻最小,若利用此一達松法爾裝置,設計成可測量0~100V的電壓表,則此電壓表的靈敏度為:
(A)10KΩ/V
(B)5KΩ/V
(C)1KΩ/V
(D)0.33KΩ/V。
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17. 用節點電壓法分析電路,乃是依據:
(A)歐姆定律
(B)焦耳定理
(C)克希荷夫電壓定律
(D)克希荷夫電流定律。
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18. 對於一個線性一階低通濾波的電壓放大器而言,若其直流增益為0dB;轉角頻率(corner frequency)為1000赫(Hertz),則下列何者正確?
(A)在10K赫(Hertz)處之增益為-20dB
(B)在2000赫(Hertz)處之相位移為-45度
(C)在1000赫(Hertz)處之增益為3dB
(D)在1000赫(Hertz)及更低頻率處的相位移近似於0度。
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19. 一電表滿刻度電流為1mA,內電阻為500Ω,欲改為0~50V電壓表需串聯多少電阻值?
(A)49.5KΩ
(B)99.5KΩ
(C)100KΩ
(D)495KΩ。
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20. (2.00±0.02)安培電流流經阻抗(40.0±0.2)Ω之電阻,則功率消耗最大可能誤差為:
(A)1.5%
(B)2%
(C)2.5%
(D)3%。
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21. 若有A、B兩電容器,充以同量電荷後,此時測得B的電壓為A電壓的四倍,則A的電容為B電容的:
(A)4 倍
(B)1/4 倍
(C)1/2 倍
(D)2 倍。
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22. 電晶體作為線性放大器時,須偏壓於下列何種區域?
(A)工作區(Active region)
(B)飽和區(Saturation region)
(C)截止區(Cut-off region)
(D)無限制。
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23. 下列有關串級放大器的耦合方式敘述,何者錯誤?
(A)電阻/電容耦合結構較簡單,但功率損失較大
(B)變壓器耦合之阻抗匹配容易,但成本較高
(C)直接耦合之低頻響應最佳且穩定性最好
(D)直接耦合可減少交連電路的損失。
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24. 將某一電阻,重覆測量5次,所量得的數值分別如下:147.2Ω,147.4Ω,146.7Ω,146.8Ω,146.9Ω,則其平均偏差為:
(A)0.12Ω
(B)0.18Ω
(C)0.24Ω
(D)0.32Ω。
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25. 下列何種FET在不加閘極電壓時,沒有通道產生?
(A)N通道MOSFET
(B)增強型MOSFET
(C)空乏型MOSFET
(D)JFET。
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26. 二極體中逆向漏電流對溫度極為敏感,通常在PN接觸之溫度每遞增10℃,可使逆向漏電流增加:
(A)20%
(B)50%
(C)80%
(D)100%。
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27. 以下何者為是?
(A)MOS消耗功率比CMOS小很多
(B)CMOS傳遞時間要比TTL快
(C)CMOS是由加強式MOS與空乏式MOS組合而成
(D)CMOS消耗功率比TTL要小。
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28. 有一個TTL的NAND閘,其有四個輸入A、B、C、D,若只使用A與B二個輸入,則對於C與D的安排下列何者錯誤?
(A)C與D同時不接
(B)C或D接地
(C)C接到A,D接到B
(D)C與D分別接到+5伏特。
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29. 四級串接放大器中,各級的電壓增益為10,則總電壓增益為:
(A)120 dB
(B)100 dB
(C)80 dB
(D)140 dB。
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30. 傳統電晶體-電晶體邏輯(TTL)的邏輯閘為何?
(A)及(AND)閘
(B)或(OR)閘
(C)反及(NAND)閘
(D)反或(NOR)閘。
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31. 741運算放大器的內部電路中沒有下述那一種電路?
(A)輸入級
(B)放大級
(C)整流級
(D)輸出級。
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32. 100W,100V之電燈泡的電阻為:
(A)100
(B)1000
(C)10
(D)1 Ω。
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33. 以直流電表測量有效值為100伏特的正弦交流電壓,則電壓指示為多少伏特?
(A)100(√2)
(B)100
(C)50
(D)0。
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34. 某一放大器之輸入電壓為10mV,輸出電壓為1V,則該放大器的放大倍率為:
(A)100分貝
(B)40分貝
(C)20分貝
(D)10分貝。
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35. 有關TRIAC的一般性敘述,那一項是錯誤的?
(A)特性與兩個SCR反向並聯工作時非常類似
(B)是一個四端電子元件
(C)利用正或負的閘極觸發電壓均可使其導通
(D)頗適合應用於交流電力控制。
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36. 功率電晶體多用矽質的主要原因為?
(A)製造簡單
(B)漏電流小
(C)成本較低
(D)矽耐溫較高。
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37. 惠斯敦電橋在量測0.1Ω以下電阻時:
(A)準確度低,可由凱爾文電橋改善
(B)準確度低,可由歐文電橋改善
(C)準確度高
(D)此時電橋接觸電阻對其無影響。
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38. RAM和ROM二種記憶體,下列何者為真?
(A)停電時,RAM的資料還在
(B)停電時,ROM的資料還在
(C)RAM的資料不可改變
(D)ROM的資料可以改變。
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39. 741的三級運算放大器,回饋電容跨接於何處?
(A)輸入級
(B)第二級
(C)短路保護電路
(D)輸出級。
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40. 頻率為60赫之交流電源,經二極體全波整流後,其輸出的漣波頻率為若干赫?
(A)50
(B)60
(C)120
(D)180。
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41. 有一交流電壓V=Vm sinωt通過一半波整流器,一週期內輸出電壓平均值應為:
(A)0
(B)Vm/π
(C)Vm/(2π)
(D)2Vm/π。
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42. 一調幅信號,最大振幅與最小振幅之比為2:1,則其調變因數為:
(A)0.12
(B)0.33
(C)0.66
(D)0.9。
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43. 下列那一項係屬於達靈頓電路的特性?
(A)輸出阻抗低,電流增益甚高
(B)輸出阻抗高,電流增益甚低
(C)輸出阻抗與電流增益皆甚高
(D)輸出阻抗與電流增益皆甚低。
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44. PN二極體在接面附近所形成接觸電勢的極性是:
(A)視偏壓大小而定
(B)P端為正,N端為負
(C)P端為負,N端為正
(D)無正負極之分。
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45. IC卡內的記憶體,以何者為主,使得沒電源時,資料不會流失,又可存取資料?
(A)DRAM
(B)SRAM
(C)ROM
(D)FLASH。
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46. 一放大器,輸入為0.01V,輸出為-1V。其電壓增益為多少dB?
(A)-40dB
(B)100dB
(C)40dB
(D)20dB。
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47. 對一60Hz全波橋式整流電路,如其輸出具有60Hz的漣波時,則其電路可能為:
(A)變壓器二次側短路
(B)濾波電容器漏電
(C)有一個二極體開路
(D)無異常。
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48. 下列IC編號何者不屬於單晶片微處理機?
(A)Intel 8048
(B)Intel 8731
(C)Intel 8255
(D)Intel 8051。
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49. 以一個八對一的多工器而言,最少需有幾條選擇線?
(A)3條
(B)4條
(C)5條
(D)8條。
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50. 「源極(Source)與基底(Substrate)的電壓差VSB對臨限電壓(Threshold Voltage)的改變」,此敘述是下列那一種效應所造成?
(A)密勒效應(Miller Effect)
(B)負載效應(Loading Effect)
(C)基體效應(Body Effect)
(D)霍爾效應(Hall Effect)。
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