中華電信考古題 模擬題庫 電子學

1. 電阻8Ω與電感抗j8Ω並聯等效阻抗Z為多少?

5. 有關CMOS SRAM之敘述,下列何者正確?

6. 下列何種FET在不加閘極電壓時,沒有通道產生?

7. 一般而言,雙互補金氧半導體(BiCMOS)邏輯電路構造為何?

9. 額定50V,2μF及100V,2μF之電容器串聯後最大耐壓為:

11. 正反器(Flip-Flop)是何種電路用的元件?

12. 電晶體作為線性放大器時,須偏壓於下列何種區域?

13. 一般PN二極體兩端順向電壓隨著溫度變化的情形是:

16. 任意的邏輯函數(Logic Function)可只用下列那一種電路組成?

17. 雙軌示波器之型式(Mode)選擇開關,置CHOP位置,是用來觀測:

20. 下列敘述,何者是CMOS(互補式MOS)邏輯電路的主要特點:

21. 蕭特基(Schottky)電晶體之速度較其他電晶體快之原因為:

22. 下列關於NMOS共源極(Common Source)電路飽和時的敘述,何者正確?

24. 下列何種放大器,失真度最小?

26. 下列那一個該用運算放大器來做?

27. 當一個BJT之基極接至集極,並接成順向偏壓,則下列敘述何者錯誤?

28. 場效電晶體做為線性放大器時,下列何種區域為其操作區?

30. 振盪器任務循環(Duty Cycle)的定義為何?

31. 函數波訊號產生器,先用積分電路產生下列何種波形?

32. RAM 2114為1K×4的記憶體,要組成128KB的主記憶體需RAM 2114:

33. 下列何者屬於系統軟體:

34. 有一色碼電阻,其顏色為橙、橙、紅、金,則其電阻為:

38. 對BJT電晶體信號放大採自偏電壓(self-biasing)之設計及增加Re電阻,下列敘述何者為正確?

39. 傳統電晶體-電晶體邏輯(TTL)的邏輯閘為何?

40. 與雙極性接面電晶體相比,下列何者不是場效應電晶體(FET)的主要優點?

42. 有關功率放大器(power amplifier)之敘述,下列何者錯誤?

43. 下列關於矽介面二極體順向偏壓時的敘述,何者正確?

44. 有關共基極BJT放大器之敘述,下列何者錯誤?

45. 下列對於共集極之電晶體放大器的敘述,何者正確?

46. BJT電晶體元件中主要載子的流動方向為:

47. 射極隨耦器之阻抗特性是:

49. 下列何者不是變壓器耦合放大器之優點?

50. 典型的一般矽二極體導通後,其壓降約為: