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1. 一個交流負載輸入電流為i(t)=4cos(10πt+10°)A,輸入電壓為v(t)=120cos(10πt-20°)V,求此負載吸取的視在功率(Apparent power)為何?
(A)240VA
(B)480VA
(C)277VA
(D)416VA。
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2. 矽晶接面二極體等效電路模型中的擴散電容(Diffusion Capacitance),是由下列那一項的物理現象所形成?
(A)金屬和半導體所形成的歐姆接觸
(B)接面的崩潰效應
(C)接面空乏區
(D)二極體順偏時的注入電荷。
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3. 史密特觸發器(Schmitt Trigger)的輸入和輸出之間存在何種效應?
(A)爾利效應(Early Effect)
(B)米勒效應(Miller Effect)
(C)磁滯效應(Hysteresis Effect)
(D)基體效應(Body Effect)。
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4. 在BJT電路中,下列何者是由爾利效應(Early Effect)所產生?
(A)穿透崩潰(Punch-through Breakdown)現象發生
(B)累積崩潰(Avalanche Breakdown)現象發生
(C)射極寬度變大
(D)IC飽和發生。
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5. 一具空乏型負載的NMOS放大器和一CMOS數位邏輯反相器相互比較之下,它們之輸入-輸出特性曲線之最大不同處為何?
(A)空乏型負載之NMOS放大器最高輸出電壓較大
(B)空乏型負載之NMOS之最低輸出電壓可為零,但CMOS不為零
(C)兩者相位差180度
(D)CMOS之輸出電壓可為零,但空乏型負載之NMOS不為零。
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6. 某一電晶體電路的IC=1mA、fT=400MHz,其中Cπ=10.9pF(EB接面電容),試求Cμ(CB接面電容)值為多少?
(A)2pF
(B)3pF
(C)4pF
(D)5pF。
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7. N通道增強型(Enhancement type)MOSFET通道導通的條件是?(VTH臨限電壓)
(A)VGS<0
(B)VGS>VTH
(C)VGS<VTH
(D)VGS=0。
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8. 運算放大器參數之一,迴轉率(Slew rate)之單位為?
(A)V/μs
(B)R.P.M
(C)km/s
(D)rad/s。
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9. 下列敘述何者不是達靈頓(Darlington)放大電路的特性?
(A)電壓增益高
(B)輸入阻抗高
(C)輸出阻抗低
(D)電流增益高。
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10. 雙極性接面電晶體(BJT)放大器的下列組態中何者的電壓增益較小?
(A)CE組態
(B)CB組態
(C)CC組態
(D)疊接組態(Cascode)。
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11. 在A類(Class A)、B類(Class B)、AB類(Class AB)、C類(Class C)放大器中,以哪一類放大器之功率轉換轉換效率最低?
(A)AB類
(B)A類
(C)B類
(D)C類。
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12. 回授放大器的穩定條件為:
(A)Loop gain在相位差為180°時,其絕對值小於1
(B)Closed-loop gain在相位差為180°時,其絕對值大於1
(C)Closed-loop gain在相位差為180°時,其絕對值小於1
(D)Open loop gain在相位差為180°時,其絕對值小於1。
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