臺灣菸酒考古題,模擬題庫電子學-愛舉手

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5. 一晶片上有8000個元件，依積體電路之分類，該晶片應屬哪一類？

(A)小型積體電路SSI (B)中型積體電路MSI (C)大型積體電路LSI (D)超大型積體電路VLSI。

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6. 今有一二極體電路如下左圖所示，假設二極體元件的電流－電壓（I-V）特性曲線如下右圖所示：導通後，二極體的端電壓為V_D0＝0.7V，不考慮二極體導通的串聯電阻效應。已知V_DD＝10V、V_SS＝5V、R1＝5kΩ、R2＝10kΩ。試研判此電路中兩顆二極體的導通情形：

(A)二極體D1導通、二極體D2不導通 (B)二極體D1、二極體D2都不導通 (C)二極體D1、二極體D2都導通 (D)二極體D1不導通、二極體D2導通。

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7. 將一個共射（CE）電晶體的集極端，接至一個共基（CB）電晶體的射極端，而形成的疊接（Cascode）放大器，其主要的功用係提供：

(A)較大的電壓增益 (B)較大的電流增益 (C)較大的頻寬 (D)較大的穩定性。

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8. 有一回授放大器之轉換函數（Transfer function）Af(S)＝，在此S＝jω，則當A(S)β(S)的相角為多少度時，該回授放大器有可能產生振盪？

(A)－180° (B)－180° (C)－270° (D)0°。

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9. 有一BJT偏壓於順向主動區（forward-active region），若集極（collector）電流iC＝2mA、基極（base）電流iB＝20μA，其共基極電流增益（common-base current gain）為何？

(A)100/101 (B)99/100 (C)100 (D)101。

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10. 在共射極組態下，若電晶體的β＝50、I_B＝20uA、I_CBO＝5uA，在考慮漏電流的情況下，求I_C電流為多少？

(A)1005uA (B)1250uA (C)1255uA (D)1275uA。

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11. PNP型電晶體位於工作區，則電晶體三端（E、B、C）之電壓大小關係為何？

(A)V_B＞V_E＞V_C (B)V_C＞V_B＞V_E (C)V_E＞V_C＞V_B (D)V_E＞V_B＞V_C。

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12. N通道加強型MOSFET的閘－源電壓VGS應如何才能使汲極電流ID導通（註：VT是臨界電壓）？

(A)VGS＞0，VGS＞VT (B)VGS＞0，VGS＞VT (C)VGS＜0，VGS＜VT (D)VGS＜0，VGS＞VT。

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13. 一原子失去電子後，其游離後將變成？

(A)帶負電的離子 (B)不帶電 (C)可能帶正電亦可能帶負電 (D)帶正電的離子。

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14. 有關稽納二極體崩潰種類之比較，下列敘述何者正確？

(A)稽納崩潰之空乏區寬度較累增崩潰之崩潰電壓為窄 (B)稽納崩潰之空乏區寬度較累增崩潰之崩潰電壓為窄 (C)累增崩潰型之稽納二極體摻雜濃度比例較低且具有負溫度係數 (D)稽納崩潰型之稽納二極體摻雜濃度比例較高且具有正溫度係數。

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15. 若A類功率放大器的負載為電阻性負載，請問其最高效率約等於多少？

(A)25% (B)50% (C)78.5% (D)100%。

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16. 如【圖19】所示之電晶體電路，求V_E電壓約為多少？

(A)2.01V (B)2.96V (C)3.44V (D)4.7V。

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17. JFET之工作原理為何？

(A)控制通道空乏區之厚度（寬度） (B)控制通道空乏區之厚度（寬度） (C)控制通道接面之電流 (D)控制通道中的載子濃度。

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18. 回授放大器的穩定條件為：

(A)Loop gain在相位差為180°時，其絕對值小於1 (B)Closed-loop gain在相位差為180°時，其絕對值大於1 (C)Closed-loop gain在相位差為180°時，其絕對值小於1 (D)Open loop gain在相位差為180°時，其絕對值小於1。

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19. 一共射極組態的BJT電路操作於飽和區域（saturation region），若共射極電流增益b為100、基極電流IB為10mA，則集極電流IC可能為下列何者？

(A)0.7mA (B)1mA (C)1.5mA (D)2mA。

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20. 在正常的運用情況下，史密特觸發器（Schmitt trigger）的輸出波形為何？

(A)鋸齒波 (B)三角波 (C)正弦波 (D)脈波。

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21. 有兩個電流方程式分別為i1(t)＝10sin（120πt）A，i2(t)＝5sin（120πt＋30°）A，則此兩波形時間差為何？

(A)2.51ms (B)1.02ms (C)1.39ms (D)1.53ms。

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22. 下列何者同時具有空乏型與增強型特性？

(A)D-MOSFET (B)E-MOSFET (C)BJT (D)JFET。

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23. 如圖所示電路，請問輸出電壓V_o＝？

(A)10V (B)－10V (C)12V (D)－12V。

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24. 下列多級放大器耦合類別中，何種耦何具有良好的低頻響應？

(A)電感耦合 (B)變壓器耦合 (C)直接耦合 (D)電阻電容耦合。

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25. 若流入電晶體各極的電流取正值，且已知基極電流是0.2mA，集極電流是2mA，則射極電流值為若干？

(A)－2.2mA (B)－2.2mA (C)＋1.8mA (D)－1.8mA。

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26. μA741運算放大器哪兩隻接腳用於消除抵補電壓的誤差值？

(A)1與5 (B)2與6 (C)1與6 (D)3與7。

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27. 若運算放大器的迴轉率（slew rate）為0.5V/μs，其輸出訊號為峰值±5V的對稱三角波，則在不失真的情況下，此訊號最高頻率等於多少？

(A)20kHz (B)25kHz (C)30kHz (D)50kHz。

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28. 一正弦波交流電壓之峰值為220V，則經全波整流後之平均值Va為何？

(A)140.06V (B)140.06V (C)70.03V (D)86.42V。

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29. 有一電壓v(t)＝Vmsinωt，當其串聯一純電阻後，則其瞬時功率會包含下列何種頻率？

(A)(1／4)ω (B)(1／2)ω (C)2ω (D)4ω。

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30. 如【圖21】所示之電晶體電路，下列敘述何者錯誤？

(A)電路為集極回授式偏壓電路 (B)電路回授形式為電壓並聯負回授 (C)電路透過負回授能提高電路的穩定度 (D)電路透過負回授能提高電路的輸入阻抗。

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31. 請選出「電路中，流入某一節點的電流量等於流出該節點之電流量總合」為下列哪一個定律？

(A)柯希荷夫電流定律 (B)高斯電流定律 (C)亨利電流定律 (D)戴維寧定律。

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32. 有關半導體之敘述，下列何者正確？

(A)外質半導體帶正電、本質半導體為電中性 (B)P型半導體帶正電、N型半導體帶負電 (C)P型半導體是本質半導體摻雜5價元素所形成 (D)矽（Si）質半導體之逆向崩潰電壓（V_BR）較鍺（Ge）質半導體為高。

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33. 有一視在功率S＝20kVA，PF＝0.6 lagging的負載，外接100V、50Hz之電源。若想將其功率因數提升至0.8 lagging，則需在原電路中如何作才能達成？

(A)並聯2228μF之電容 (B)並聯2228μF之電容 (C)串聯3714μF之電容 (D)並聯3714μF之電容。

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34. 某一電路的輸入電壓波形方程式為V(t)＝100√2sin(314t＋15°)伏特，則此電路在t＝1/600秒時的電壓值約為？

(A)100V (B)100V (C)70.7V (D)50V。

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35. 某運算放大器之變動率SR＝62.8V/μs，若輸出正弦波峰值電壓為10V，則其線性放大之最高頻率為何？

(A)15MHz (B)8MHz (C)3MHz (D)1MHz。

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36. 石英晶體之零阻抗發生於何時？

(A)串聯諧振頻率 (B)串聯諧振頻率 (C)並聯諧振頻率 (D)不可能發生。

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37. 100V有效值之交流正弦波電壓，經半波整流與濾波後，其輸出電壓值為何？

(A)45V (B)90V (C)141V (D)282V。

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38. 若流入電晶體各極的電流取正值，且已知基極電流是0.2mA，集極電流是2mA，則射極電流值為若干？

(A)－2.2mA (B)－2.2mA (C)＋1.8mA (D)－1.8mA。

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39. 在正常狀況下，用歐姆表量單接合面場效電晶體之D（汲極）及S（源極）兩端，結果是？

(A)0Ω (B)∞Ω (C)數百Ω至數仟Ω (D)與極性有關，無法測量。

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40. 如【圖10】所示之濾波電路，求輸出漣波因數約為多少？

(A)1.2% (B)2.4% (C)3.6% (D)4.8%。　　　

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41. 有一差動放大器，其共模具斥比（CMRR）為40dB、差模增益A_d＝100，若輸入共模信號V_c＝10V、差模信號V_d＝0.1V，則此差動放大器輸出為何？

(A)20V (B)20V (C)33V (D)40V。

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42. 某差動放大器，其共模拒斥比CMRR＝20dB，A_d＝100，假設輸入V₁＝10μV，V₂＝8μV，則輸出電壓V_O＝？

(A)200μV (B)245μV (C)290μV (D)360μV。

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43. 電子層中，每層可容納電子的數目為多少？

(A)2n² (B)n² (C)2n (D)n。

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44. 如【圖14】所示之截波電路，已知稽納二極體非理想且崩潰電壓ZD₁＝6V、ZD₂＝4V，若輸入電壓V_i＝10sin（ωt）V，則輸出電壓V_o上下限為何？

(A)3.3V～－5.3V (B)3.3V～－6.7V (C)4.7V～－5.3V (D)4.7V～－6.7V。

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45. JFET之工作原理為何？

(A)控制通道空乏區之厚度（寬度） (B)控制通道空乏區之厚度（寬度） (C)控制通道接面之電流 (D)控制通道中的載子濃度。

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46. 下列有關雙極性電晶體三種基本放大器間比較之敘述，何者有誤？

(A)共基極之輸出阻抗最低 (B)共射極之功率增益最高 (C)共射極為反相放大 (D)共集極之輸入阻抗最高。

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47. 有關功率放大器（power amplifier）之敘述，下列何者錯誤？

(A)B類（class-B）放大器的偏壓電流導通3/4週期 (B)B類（class-B）放大器的偏壓電流導通3/4週期 (C)C類（class-C）放大器的偏壓電流導通小於一半週期 (D)AB類（class-AB）放大器的偏壓電流導通稍大於一半週期。

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48. 如【圖42】所示之運算放大器電路，為何種形式之負回授？

(A)電壓串聯負回授 (B)電壓並聯負回授 (C)電流串聯負回授 (D)電流並聯負回授。

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49. 有關BJT電晶體與金氧半場效電晶體（MOSFET）電路的敘述，下列何者正確？

(A)BJT比MOSFET不適合製作為記憶體 (B)BJT比MOSFET不適合製作為記憶體 (C)BJT的基體效應（body effect）比MOSFET的大 (D)MOSFET的iD與vGS的關係為指數（exponential）型式。

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