中油公司考古題,103年電工原理-愛舉手

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1.
有關自由電子的敘述，下列何者正確？

(A)自由電子又可稱為價電子 (B)自由電子是原子最外層的電子因受到光、熱、輻射影響而脫離軌道的電子 (C)自由電子是原子最外層軌道上的電子 (D)每個自由電子的帶電量為6.25×10^－19庫倫。

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2.
下列敘述何者正確？

(A)單位時間內流過某導體截面積的電荷量稱為電流 (B)自由電子流動的方向是由電源的正端流至負端 (C)1度電相當於1仟瓦之電功率 (D)1度電是電功率的單位。

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3.
有一台冷氣機額定電壓為220伏特，每秒消耗1000焦耳的電能，若此冷氣機連續使用10小時，則消耗多少度電？

(A)1度 (B)2度 (C)5度 (D)10度。

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4.
水電工於室內配線時，將原設計之線徑由2.0mm降為1.6mm之單心導線，若長度與材料不變，則其線路的電阻值應為原來的幾倍？

(A)0.8倍 (B)0.64倍 (C)1.25倍 (D)1.5625倍。

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5.
小明幫媽媽修理家中故障的電腦，拆開後發現有一段電熱線斷了，因此將電熱線剪掉一部分後再連接；若此電鍋在原額定電壓下使用，可能會發生何種情況？

(A)使用時的功率下降 (B)使用時的電流減少 (C)功率下降但電流增加 (D)功率增加，但會有燒毀的可能性。

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6.
克希荷夫電壓定律（KVL）是指任何封閉迴路中，電壓升與電壓降關係為：

(A)平方正比 (B)成正比 (C)成反比 (D)電壓升的總和與電壓降的總和相同。

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7.
三個電阻之電阻值的比值為1：2：4，將此三個電阻並聯接於電源，流過此線路的總電流為14A，請問最大電阻值的電阻流過電流為多少安培？

(A)1A (B)2A (C)4A (D)8A。

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8.
如【圖8】所示電路，求ab兩端的等效電阻R_ab為何？

(A)1Ω (B)1.5Ω (C)2Ω (D)2.5Ω。

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9.
用迴路電流法來分析電路時，是利用何種定律來列出迴路電流方程式？

(A)戴維寧定律 (B)諾頓定律 (C)克希荷夫電壓定律 (D)克希荷夫電流定律。

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10.
欲求線性的電路中的戴維寧等效電阻時，電路中之電源該如何處置？

(A)電壓源短路，電流源開路 (B)電壓源短路，電流源短路 (C)電壓源開路，電流源開路 (D)電壓源開路，電流源短路。

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11.
如【圖11】所示，電源的內阻R_S＞0Ω，此電源提供電力給可變電阻R_L，當R_L由0Ω逐漸調至∞時，則此電路的效率如何變化？

(A)逐漸增加 (B)逐漸減少 (C)先增後減 (D)先減後增。

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12.
下列有關法拉第定律之敘述，何者正確？

(A)感應電勢與線圈匝數無關 (B)感應電勢與通過線圈之磁通量成正比 (C)感應電勢與時間成反比 (D)感應電勢與單位時間內通過線圈之磁通變化量成正比。

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13.
如【圖13】所示電路，開關S閉合瞬間（t＝0），電流i為多少？

(A)0mA (B)2mA (C)6mA (D)10mA。

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14.
如【圖14】所示電路，開關S閉合後，需經歷多久時間，電容器兩端電壓才能約等於電源電壓？

(A)20ms (B)50ms (C)200ms (D)250ms。

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15.
某水力發電廠發電機之發電頻率為60赫芝，每分鐘轉速為300轉，則此發電機之極數為：

(A)4 (B)6 (C)12 (D)24。

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16.
一交流電路，電源電壓v(t)＝200sin（377t＋60(），電路電流i(t)＝10sin（377t＋30(），則此電路之視在功率S為多少伏安？

(A)500 (B)1000 (C)

(D)2000。

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17.
某工廠負載為480KW，功率因數為0.6滯後，現欲並聯電容器將功率因數提升到0.8，則所需電容器的容量為：

(A)120KVAR (B)200KVAR (C)280KVAR (D)320KVAR。

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18.
如【圖18】所示，電路之功率因數為多少？

(A)0.5 (B)0.6 (C)0.75 (D)0.8。

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19.
如【圖19】所示，電路供給之實功率P與虛功率Q分別為：

(A)800W；400VAR (B)800W；1600VAR (C)1000W；1000VAR (D)1000W；1600VAR。

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20.
RLC並聯電路，當發生諧振時，電路之總導納與總電流之值分別為：

(A)最小；最小 (B)最小；最大 (C)最大；最小 (D)最大；最大。

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21.
某週期性的正弦波信號，在2秒內完成10週變化，則其頻率為多少？

(A)1Hz (B)5Hz (C)10Hz (D)20Hz。

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22.
請問正弦波之波峰因素（Crest Factor，C.F）為何？

(A)

(B)

。

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23.
自由電子存在於半導體中的哪一個能帶？

(A)價電帶 (B)能隙 (C)傳導帶 (D)禁止帶。

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24.
若將鋁（Al）元素摻入純矽晶體中，可成為何種材料半導體？

(A)N型 (B)P型 (C)A型 (D)D型。

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25.
在P型與N型半導體接合時，接合面形成的空乏區，其作用為何？

(A)抑制漂移電流 (B)增加漂移電流 (C)增加擴散電流 (D)抑制擴散電流。

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26.
有關稽納二極體崩潰的敘述，下列何者正確？

(A)稽納崩潰之崩潰電壓屬於正溫度係數 (B)稽納崩潰摻雜的雜質濃度比累積崩潰摻雜濃度低 (C)稽納二極體接順向偏壓可造成崩潰 (D)摻雜濃度高則崩潰電壓較低。

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27.
發光二極體中，哪一顏色的能隙最低？

(A)紅色 (B)黃色 (C)綠色 (D)藍色。

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28.
在半波整流電路中，輸入為有效值10V，60Hz正弦波信號，則輸出的平均電壓為多少？

(A)4.5V (B)6.36V (C)7.07V (D)10V。

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29.
使用四顆二極體組成的橋式整流電路中，輸入為有效值10V，60Hz正弦波信號，則每個二極體所承受的逆向峰值電壓（PIV）為多少？

(A)10V (B)

。

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30.
如【圖30】所示，二極體為理想，則輸出Vo波形範圍為何？

(A)－5V～5V (B)0V～5V (C)0V～10V (D)－10V～0V。

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31.
下列哪種電晶體放大組態，具有最高的輸入阻抗及最低的輸出阻抗？

(A)共射極（CE）放大 (B)共基極（CB）放大 (C)共集極（CC）放大 (D)共閘極（CG）放大。

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32.
如【圖32】所示，電晶體β＝100，V_BE＝0.7V，則其V_CE＝？

(A)10.5V (B)11.6V (C)2.2V (D)0V。

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33.
如【圖33】所示，電晶體β＝100，r_π＝1kΩ，其電壓增益Av＝Vo/Vi為何？

(A)－250 (B)－200 (C)＋200 (D)＋0.4。

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34.
在場效應電晶體中，欲使N通道JFET的導通條件為何？

(A)0≤V_GS≤Vp (B)0≤Vp≤V_GS (C)0≥V_GS≥Vp (D)0≥Vp≥V_GS。

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35.
如【圖35】所示為倍壓電路，若Vi＝5sinωt，二極體視為理想，試問輸出電壓Vo為多少？

(A)5V (B)7.07V (C)10V (D)14.14V。

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36.
有關場效應電晶體之敘述，下列何者錯誤？

(A)場效應電晶體為單一載子形成電流 (B)場效應電晶體為電場V_GS控制電流I_D的元件 (C)場效應電晶體從閘極看入的輸入阻抗較電晶體從基極看入的輸入阻抗高 (D)接面場效應電晶體（JFET）要產生I_D電流必須閘源極電壓（V_GS）＞0。

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37.
已知N通道JFET偏壓電路中，I_DSS＝4mA，Vp＝－4V，若工作於夾止區，所測得之V_GS為－2V，則電流I_D為何？

(A)8mA (B)4mA (C)2mA (D)1mA。

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38.
有關理想運算放大器的特性，下列何者錯誤？

(A)輸入阻抗無限大 (B)開迴路電壓增益無限大 (C)輸入抵補電壓無限大 (D)轉動率（Slew Rate，SR）無限大。

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39.
如【圖39】所示，OPA為理想，若輸入電壓Vi等於3V，則輸出電壓Vo為何？

(A)4V (B)6V (C)9V (D)12V。

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40.
溫度每上升1℃，矽二極體兩端的順向偏壓會如何變化？

(A)上升約1mV (B)下降約1mV (C)下降約2.5mV (D)上升約2.5mV。

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41.
將規格為110V/60W與110V/20W的兩個相同材質電燈泡串聯接於220V電源，則下列敘述何者正確？

(A)20W的電燈泡較亮 (B)110V/60W的燈泡超過額定電壓而燒毀 (C)60W的電燈泡較亮 (D)110V/20W的燈泡超過額定電壓而燒毀。

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42.
兩個電阻的規格分別為3Ω/6W及6Ω/24W，若將這兩個電阻器串聯，相當於9Ω電阻器多少瓦？

(A)24W (B)18W (C)12W (D)9W。

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43.
如【圖43】所示，求E＝？

(A)12V (B)18V (C)24V (D)36V。

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44.
如【圖44】所示電路中，求a、b兩端的戴維寧等效電壓E_Th、等效電阻R_Th分別為何？

(A)9V與4Ω (B)6V與4Ω (C)9V與4.5Ω (D)6V與4.5Ω。

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45.
如【圖45】所示之電路，請問C₂兩端的電壓為多少？

(A)10V (B)20V (C)30V (D)60V。

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46.
如【圖46】所示，將磁鐵向左靠近線圈後再向右離開，則R的電流流動方向為：

(A)先從A流至B，再轉換為B流至A (B)先從B流至A，再轉換為A流至B (C)持續由A流至B (D)持續由B流至A。

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47.
如【圖47】所示，請問是屬於哪種接法？耦合係數K＝0.5，則總電感量L_T為多少？

(A)串聯互消，L_T＝6H (B)串聯互消，L_T＝8H (C)串聯互助，L_T＝12H (D)串聯互助，L_T＝14H。

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48.
有一電流i(t)＝10＋5sin377t安培，則此電流的平均值及有效值分別為：

(A)10，10.6 (B)10，5 (C)10.6，5 (D)10，15。

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49.
如【圖49】所示，電路之總導納Y為：

(A)

－

(B)

－

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50.
RLC串聯電路，R＝200Ω，L＝1H，C＝1μF，若通以頻率可變之電源電壓100V，則當電路功率因數為1時，電容器C兩端電壓為多少？

(A)25V (B)50V (C)100V (D)500V。

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51.
如【圖51】所示電路，求ab兩端等效電阻R_ab為何？

(A)1Ω (B)2Ω (C)2.5Ω (D)3Ω。

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52.
將L₁及L₂兩線圈以並聯互消之方式連接，將電路的耦合係數K逐漸升高時，其總電感量L_T如何變化？

(A)逐漸增大 (B)逐漸減少 (C)先增後減 (D)先減後增。

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53.
如【圖53】電路，諧振時電路阻抗Z＝16Ω，則X_L＝？

(A)6Ω (B)8Ω (C)12Ω (D)20Ω。

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54.
若電晶體偏壓電路中，基極電流I_B＝10μA，集極電流I_C＝1mA，射極電流I_E＝1.01mA，則共射極電流增益β為何？

(A)99 (B)100 (C)101 (D)0.9。

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55.
電晶體放大電路中，哪些元件會影響到高頻響應？

(A)電晶體偏壓電路中的射極旁路電容 (B)電晶體極際電容 (C)放大電路接至輸出負載的交連電容 (D)輸入信號連接至放大器的交連電容。

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56.
有關多級放大電路，下列敘述何者錯誤？

(A)若每一級的電壓增益大於1，串接級數越多，輸出頻寬越寬 (B)若每一級的電壓增益大於1，串接級數越多，總增益越大 (C)若總增益等於0dB，代表輸出信號振幅等於輸入信號 (D)第一級放大若使用差動放大器，可以增加輸入阻抗與抗雜訊能力。

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57.
如【圖57】所示，OPA為理想，欲使Vo等於3V，則電阻值R為多少？

(A)500Ω (B)1kΩ (C)1.5kΩ (D)2kΩ。

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58.
如【圖58】所示，電晶體β＝10，V_BE及V_CE(sat)忽略不計，LED之發光電壓Vf＝2V，試求R_B及R_C適當電阻值？

(A)R_C＝250Ω，R_B＝250Ω (B)R_C＝2.5kΩ，R_B＝1.5kΩ (C)R_C＝150Ω，R_B＝2.5kΩ (D)R_C＝150Ω，R_B＝1.5kΩ。

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59.
某系統具有三級串接放大器，第一級電壓增益為5倍，第二級電壓增益為10dB，第三級電壓增益為20倍，則其總電壓增益為多少dB？

(A)30dB (B)50dB (C)400dB (D)1000dB。

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60.
如【圖60】所示為OPA一階低通濾波器，OPA為理想，欲使輸出Vo與輸入Vi相位差45度，則Vi的頻率約為多少？

(A)200Hz (B)625Hz (C)800Hz (D)1250Hz。

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61.
如【圖61】所示，電晶體之β＝50，r_π＝1kΩ，試求電壓增益Av＝與輸出阻抗Ro為多少？

(A)Av＝－50，Ro＝3kΩ (B)Av＝－100，Ro＝2kΩ (C)Av＝－2，Ro＝3kΩ (D)Av＝－2，Ro＝2kΩ。

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62.
如【圖62】所示，JFET之I_DSS＝4mA，Vp＝－4V，電路偏壓於夾止區，下列敘述何者正確？

(A)R_S＝2kΩ (B)R_S＝6kΩ (C)R_D＝6kΩ (D)R_D＝8kΩ。

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63.
如【圖63】所示，V_EB(ON)＝0.6V，β＝50，若V_EC＝4V，則Rc等於多少？

(A)2kΩ (B)2.9kΩ (C)4.5kΩ (D)5.8kΩ。

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64.
如【圖64】所示，所有MOSFET之K＝2mA/V²，V_T＝1V，則輸出Vo等於多少？

(A)3V (B)4.5V (C)6V (D)9V。

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65.
如【圖65】所示，輸出飽和電壓為±12V，下列敘述何者錯誤？

(A)Vc為一類似三角波，振盪電壓範圍為－4V～＋4V (B)R₁電阻值增加，輸出Vo週期變大 (C)R₂電阻值增加，輸出Vc振幅變大 (D)輸出Vo為方波，週期約為1.4mS。

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