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1. 圖電路中理想運算放大器其開迴路差模電壓增益A
od
=10
4
,若輸出電壓v
O
=-4V,則輸入電壓v
I
約為多少V?
(A)-0.1V
(B)-0.2V
(C)-0.3V
(D)-0.4V。
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2. 下圖為一理想運算放大器電路,求其輸出電壓V
O
=?
(A)1V
(B)2V
(C)3V
(D)4V。
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3. 右圖運算放大器電路圖中接於腳位1及腳位5間之可變電阻VR的主要功能為何?
(A)降低輸入偏移電流
(B)調整偏移電壓
(C)調整共模互斥比
(D)調整電壓增益。
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4. 右圖示為理想運算放大器之電路,R
1
=1kΩ、R
2
=25kΩ、R=10kΩ,則其輸入阻抗R
i
為若干Ω?
(A)1k
(B)10k
(C)25k
(D)∞。
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5. 在邏輯電路中,輸出高至低的傳輸延遲(propagation delay)時間的定義為何?
(A)由高準位電壓下降至50%的高準位電壓所需的時間
(B)由高準位電壓下降至70%的高準位電壓所需的時間
(C)由90%的高準位電壓下降至10%的高準位電壓所需的時間
(D)由80%的高準位電壓下降至20%的高準位電壓所需的時間。
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6. 下列何種記憶體IC不屬於非揮發性記憶體(Non Volatile Memory)?
(A)DRAM
(B)Mask ROM
(C)EP-ROM
(D)Flash。
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7. P通道空乏型MOSFET,在閘極上施加正電壓時,其通道導通程度會:
(A)無影響
(B)減小
(C)加大
(D)無法判斷。
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8. 當一雙極接面電晶體(BJT)操作於主動模式,其轉導值(transconductance)g
m
與集極電流I
C
的關係為:
(A)
(B)
(C)
(D)
。
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9. 圖中的LCR振盪器,當電容C值增加2%時,其振盪頻率ω
0
改變多少?
(A)0.5%
(B)不變
(C)-0.5%
(D)-1%。
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10. 在P型半導體材料中,電流傳導的主要載子為:
(A)電子
(B)離子
(C)電洞
(D)質子。
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11. 在一全波整流電路中,使用中心抽頭變壓器,其輸出電壓振幅為V
S
,二極體正向壓降為V
D
,請問二極體的峰值反向電壓為何?
(A)V
S
-V
D
(B)V
S
-2V
D
(C)2V
S
-V
D
(D)2V
S
-2V
D
。
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12. 有關於光檢測用之光二極體,下列描述何者錯誤?
(A)光二極體工作於順向偏壓區
(B)不同材料之光二極體對光有不同之頻譜響應
(C)不同材料之光二極體產生光激載子的數量與入射光強度成正比
(D)光二極體之逆向電流和光強度成正比。
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13. 圖示理想二極體電壓,變壓器次級圈交流電壓有效值為10V
rms
,試問在穩定狀態時v
O
的電壓約為若干?
(A)10V
(B)14V
(C)20V
(D)28V。
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14. 如圖所示二極體電路,假設二極體導通電壓V
D0
=0.7V,已知電壓v
S
(t)=12sin(120πt)V、C=47μF、V
DC
=3V、R為無窮大,在穩態時,電容C兩端的電壓約為多少?
(A)12V
(B)11.7V
(C)8.3V
(D)3.7V。
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15. 如圖電路中,D
1
與D
2
均為理想二極體。當V
I
=+5V時,Vo的值為:
(A)2V
(B)5V
(C)7V
(D)10V。
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16. 齊納(Zener)二極體主要常應用於何種電路?
(A)放大
(B)濾波
(C)整流
(D)穩壓。
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17. 如圖的共射(CE)放大器,設電晶體工作於主動模式(Active Mode),其小訊號參數g
m
、r
e
、r
π
及輸出電阻r
o
均為已知,各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻R
out
(不含R
L
)為:
(A)R
C
+r
o
(B)r
o
(C)R
C
∥r
o
(D)R
C
+r
e
。
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18. 圖示放大器電路若電流源I為1mA、R
B
=100kΩ,R
C
=R
L
=2kΩ,R
e
=100Ω,電晶體電流放大率β=100,則電壓增益約為若干?
(A)-100
(B)-10
(C)-8
(D)-4。
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19. 圖中電晶體的V
T
=25mV,β=100,V
BE
=0.7V,其電流增益(i
o
/i
i
)約為:
(A)8.3
(B)10.1
(C)83
(D)101。
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20. 在雙極性接面電晶體(BJT)共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C
c
進入基極,該電容C
c
之主要功能為何?
(A)使電壓增益變大
(B)使電流增益變大
(C)隔離雜訊
(D)隔離直流。
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21. 圖示電路中場效電晶體FET之V
T
=-0.5V、μ
p
C
ox
(W/L)=2mA/V
2
,欲此電晶體工作在飽和區(Saturation Region),電壓v
G
應如何?
(A)0.5V?v
G
?3.5V
(B)1. 5V?v
G
?3.5V
(C)0.5V?v
G
?2.5V
(D)1.5V?v
G
?2.5V。
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22. 如圖電路對於小訊號電壓增益,下列敘述何者錯誤?
(A)R
C
過大增益可能減低
(B)若電晶體操作於主動區,增加R
E
則增益增加
(C)若電晶體操作於飽和區,增加R
B
可使電晶體進入順向主動(forward active)區
(D)若電晶體操作於飽和區,增加R
E
可使電晶體進入順向主動(forward active)區。
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23. 有一n通道MOSFET工作於飽和模式(saturation mode),並構成共源(CS)放大器,該MOSFET之臨界電壓V
t
=0.5V。當V
GS
=1.5V時,其I
D
=1mA,則當V
GS
增為2.5V時,其I
D
為:
(A)仍為1mA
(B)增為2mA
(C)增為3mA
(D)增為4mA。
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24. 關於理想轉導放大器(Transconductance Amplifier)特性之敘述,下列何者正確?
(A)放大器本身之輸入阻抗為0
(B)放大器本身之輸出阻抗為無限大
(C)放大器本身之輸出阻抗與電壓放大器相同
(D)其增益單位為歐姆(Ω)。。
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25. 圖示電路中場效電晶體之臨限電壓V
T
=1V、μ
n
C
ox
(W/L)=100μA/V
2
,電壓V
D
=0.2V,則電阻R
D
約為若干kΩ?
(A)34
(B)54
(C)74
(D)94。
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26. 如圖為一共汲(CD)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導參數為g
m
,輸出電阻為r
o
→∞,則此放大器的輸入電阻R
i
為何?
(A)R
S
(B)1/g
m
+R
S
(C)∞
(D)0。
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27. 以下之放大器若電晶體操作於順向主動區(forward active region),對於小訊號電壓增益,下列敘述何者無法降低放大器之低頻3dB頻率ω
L
?
(A)增加R
S
(B)增加R
B
(C)增加R
C
(D)增加C值。
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28. 如圖之電路,振盪發生時,R
2
/R為何?
(A)19
(B)29
(C)39
(D)49。
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29. 下列那一種振盪器是屬於較低頻的正弦波振盪器?
(A)考畢子振盪器
(B)韋恩電橋振盪器
(C)哈特萊振盪器
(D)石英晶體振盪器。
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30. 如圖所示之電路,假設電晶體操作在順向主動區,忽略爾利(Early)效應與所有其他電容,假使此電路之功率消耗為2mW且低頻增益值為2.45,V
T
=26mV,則其-3dB頻寬為何?
(A)1GHz
(B)2GHz
(C)3GHz
(D)4GHz。
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31. 如圖之電路,振盪發生時其振盪頻率為何?
(A)198Hz
(B)298Hz
(C)398Hz
(D)498Hz。
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32. 如圖所示之理想運算放大器電路,電源為±15V,則此電路之遲滯(Hysteresis)電壓範圍約為何?
(A)10V
(B)15V
(C)18V
(D)30V。
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33. 下圖振盪器電路中,V
o
輸出是屬於下列那一種波形?
(A)三角波
(B)方波
(C)正弦波
(D)脈波。
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34. 下列為一被動式濾波器(Passive filter),試研判此電路是何種濾波器?
(A)低通濾波器
(B)高通濾波器
(C)帶通濾波器
(D)全通濾波器。
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35. 圖中振盪器L
1
=
,L
2
=
,C=
。其振盪頻率約為:
(A)1MHz
(B)500kHz
(C)250kHz
(D)125kHz。
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36. 一個放大器在中段頻率範圍內,輸出電壓峰值為10V,則在高3分貝頻率(Upper 3 dB Frequency)時輸出電壓峰值約為多少?
(A)5V
(B)7V
(C)10V
(D)14V。
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37. 分析以下之電路,若BJT操作在順向主動區(forward active region)且轉導值g
m
為10mA/V,I
bias
為理想直流偏壓電流,電晶體之β=10。忽略元件之輸出阻抗r
o
,試求V
o
/I
i
約為多少?
(A)10kΩ
(B)100kΩ
(C)120kΩ
(D)1.2MΩ。
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38. 分析以下之電路,若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g
m
為1mA/V,忽略元件之輸出阻抗r
o
,試求其輸入端等效之偏移電壓(offset voltage)|?V
os
?|=?
(A)1mV
(B)2mV
(C)10mV
(D)20mV。
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39. 分析下圖之電路,若MOSFET之轉導值g
m
=1mA/V且操作於飽和區,元件之輸出阻抗r
o
=10kΩ,R
b
=10kΩ,R
D
=10kΩ,R
S
=1kΩ,試求V
o
/V
i
約為多少?
(A)-10/3
(B)-5
(C)-20/3
(D)-25/3。
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