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1. 下列由理想運算放大器所組成的應用電路中，何種電路中的運算放大器輸入端，不可視為虛短路？
(A)比較器
(B)非反相放大器
(C)反相放大器
(D)微分器。
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2. 如圖所示之電晶體係下列那一種電晶體？
(A)n通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）
(B)p通道金氧半場效電晶體（P-MOSFET）
(C)n通道接面場效電晶體（N-JFET）
(D)p通道接面場效電晶體（P-JFET）。
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3. 如圖所示運算放大器電路，下列敘述何者錯誤？
(A)參考電壓V
REF
為＋6V
(B)當輸入電壓V
i
為5V，輸出電壓V
o
約為－12V
(C)當輸入電壓V
i
為7V，LED燈為暗
(D)此電路為比較器電路。
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4. 有一BJT，其β＝100，已知在室溫下熱電壓V
T
＝25mV，若I
C
＝1mA，則該BJT之轉導g
m
值為：
(A)4mA/V
(B)40mA/V
(C)400mA/V
(D)4A/V。
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5. PN二極體之內建電位障（built-in potential barrier），乃是其空乏區域（depletion region）內甚麼所造成？
(A)兩側電子
(B)兩側電洞
(C)中性原子
(D)正離子及負離子。
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6. 在室溫時，N型或P型半導體的導電特性與溫度的關係是：
(A)隨溫度升高，導電特性變好
(B)隨溫度升高，導電特性變差
(C)導電特性不隨溫度變化而改變
(D)視其為N型或P型半導體而定。
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7. 圖示理想二極體電路中，試求輸入電壓v
I
的範圍，在此範圍內，輸出電壓v
O
的值將會隨輸入v
I
之變化而變化，其範圍為：
(A)1V≤v
I
≤4V
(B)1.5V≤v
I
≤6V
(C)2V≤v
I
≤8V
(D)4V≤v
I
≤10V。
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8. 如圖所示之電路，其共振頻率約為何？
(A)51.4Hz
(B)61.4Hz
(C)71.4Hz
(D)81.4Hz。
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9. 圖示全波整流電路，若交流電v
S
之有效值電壓為10V
rms
，二極體導通時的壓降V
D
為0.7V，則此電路中使用的二極體崩潰電壓應至少為：
(A)6.3V
(B)9.3V
(C)13.3V
(D)17.3V。
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10. 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0，若Vi＝Asinωt，下列敘述何者正確？
(A)若A＜0.7V，則二極體兩端壓差為0
(B)若A＝1V，則電阻上之峰值電流0.3mA
(C)若A＝2V，則電阻上之峰值電流為0.65mA
(D)若A＞0.7V，則電阻上之電流為直流電。
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11. 如圖所示的電路，則“D
1
”的主要功能為何？
(A)限制電流
(B)限制電壓
(C)提供定電流源
(D)解調。
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12. 今有一電路如圖所示，其中V
P1
＝V
P2
＝6V、R
1
＝10kΩ、R
2
＝5kΩ，啟動二極體導通的端電壓須達0.7V以上，則電路中兩顆二極體導通的情形為何？
(A)D
1
（ON），D
2
（ON）
(B)D
1
（ON），D
2
（OFF）
(C)D
1
（OFF），D
2
（ON）
(D)D
1
（OFF），D
2
（OFF）。
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13. 下列對於場效電晶體放大器的敘述，何者錯誤？
(A)共源極放大器的輸入電壓與輸出電壓反相
(B)共閘極放大器的輸入阻抗值很高
(C)共汲極放大器的電壓增益值小於1
(D)共源極放大器的輸入阻抗值很高。
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14. 如圖中具有負載電阻R的箝位電路中，電容值對於輸出波形的影響為何？
(A)不會有影響
(B)影響直流準位的移動量
(C)影響輸出波形的頻率
(D)電容值愈大，輸出波形愈接近輸入波形。
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15. 如圖所示電路，齊納二極體的V
Z
＝5V，電源V＝15V，R
L
＝1kΩ，若齊納二極體容許的最大I
Z
電流I
Zmax
為20mA，則R的最小值R
min
應為多大？
(A)200Ω
(B)300Ω
(C)400Ω
(D)500Ω。
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16. 如圖的共集（CC）放大器（其偏壓未示）。若電晶體的轉導參數為g
m
，輸出電阻為r
o
，則此放大器的電壓增益約為何？
(A)g
m
R
E
(B)g
m
R
E
/（1＋g
m
R
E
）
(C)－g
m
R
E
(D)－g
m
R
E
/（1＋g
m
R
E
）。
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17. 分析如圖之電路，若MOSFET之轉導值g
m
＝1mA/V且操作於飽和區，元件之輸出阻抗r
o
＝10kΩ，R
D
＝10kΩ，R
G
＝10kΩ，試求V
o
/I
i
＝？
(A)－90/11
(B)－10
(C)－15/2
(D)－25/3。
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18. 如圖所示電路中電晶體的β＝100且爾利電壓（Early Voltage）為無窮大，請問電路的頻寬約為多少？
(A)57MHz
(B)60MHz
(C)65MHz
(D)70MHz。
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19. 如圖所示之放大器，若電晶體操作於飽和區，且其高頻3dB頻率ω
H
遠高於低頻3dB頻率ω
L
，忽略元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？
(A)降低R
S
可提高中頻增益
(B)降低C
S
可增加ω
H
－ω
L
(C)降低C
D
可增加ω
H
－ω
L
(D)增加R
G
可增加ω
H
－ω
L
。
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20. 關於MOSFET電晶體之敘述，下列何者錯誤？
(A)NMOSFET通道下方之空乏區帶負電荷
(B)PMOSFET導通時之通道帶正電荷
(C)MOSFET操作在飽和區時之Cgs（閘極到源極之寄生電容）＞Cgd（閘極到汲極之寄生電容）
(D)NMOSFET源極（source）對基板（substrate）之電壓提高，臨界電壓（threshold voltage）降低。
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21. 如圖所示電路主要作用為：
(A)電壓緩衝器（Voltage Buffer）
(B)電流放大器（Current Amplifier）
(C)轉阻放大器（Transresistance Amplifier）
(D)截波電路（Limiter Circuit）。
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22. 如圖所示電路中場效電晶體（FET）之V
t
＝－1V、μ
p
C
ox
（W/L）＝2mA/V
2
，若FET工作在飽和區，且電流I
D
＝1mA、V
DD
＝5V，則電壓V
G
應為若干伏特？
(A)4.5V
(B)4V
(C)3.5V
(D)3V。
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23. 有一個N通道增強型MOSFET，Vth＝1.2V，V
GS
＝2V，下列工作區域何者錯誤？
(A)當V
DS
＝0.4V，電晶體處在飽和區
(B)當V
DS
＝1V，電晶體處在飽和區
(C)當V
DS
＝1.5V，電晶體處在飽和區
(D)當V
DS
＝5V，電晶體處在飽和區。
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24. 如圖所示電路，假設MOS電晶體操作在飽和區，且其λ值皆大於零，忽略元件內極間電容效應，V
b
為直流電壓，求此電路之轉折（corner）頻率為何？
(A)
(B)
(C)
(D)
。
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25. 空乏型nMOSFET，下列中那一項偏壓將使元件不導通？
(A)Vgs?0
(B)Vgs＝0
(C)Vgs＞0
(D)Vgs?0。
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26. 有一放大器電路的高頻響應轉移函數（Transfer Function）F
H
（s）如下所示，其中s＝jω＝j2πf： F
H
（s）＝
若繪製|?F
H
（s）?|的波德圖（Bode Plot），試問在頻率f＝600kHz時的線段斜率應落在下列何範圍內？
(A)＞＋25 dB/decade
(B)0 dB/decade至＋25 dB/decade
(C)－25 dB/decade至0 dB/decade
(D)＜－25 dB/decade。
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27. 請問右圖高通濾波器電路之3分貝（或截止）頻率約為多少？
(A)160Hz
(B)230Hz
(C)450Hz
(D)700Hz。
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28. 如圖所示為一BJT差動對（Differential-Pair）電路。Q
1
＝Q
2
，並設工作於主動模式（active-mode）。則呈現在兩基極端的差動輸入電阻（Differential Input Resistance）R
id
以熱電壓（Thermal Voltage）V
T
表示為：
(A)V
T
/I
(B)（β＋1）V
T
/I
(C)2（β＋1）V
T
/I
(D)4（β＋1）V
T
/I。
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29. 金氧半電晶體內部電容影響電路的頻率響應，下列的描述何者錯誤？
(A)電晶體工作於三極管（triode）區時閘極電容可視為一平行板電容
(B)源極－本體間的電容為一反偏的pn接面電容
(C)閘極－汲極間電容與電晶體工作區域無關
(D)源極－本體間的電容會隨偏壓而改變。
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30. 如圖示電路，電晶體電流放大率β＝100，若R
C
＝5kΩ，R
e
＝200Ω，I＝1mA，則差模輸入阻抗R
id
約為多少？
(A)400Ω
(B)500Ω
(C)40kΩ
(D)50kΩ。
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31. 一個差動放大器，若V
＋
＝＋10mV而V
－
＝－10mV，那差動輸入電壓（differential-mode input voltage）為：
(A)0mV
(B)＋10mV
(C)＋20mV
(D)－30mV。
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32. 如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2和CS，MOSFET的寄生電容為Cgs和Cgd。有關此放大器電路的高頻響應，下列敘述何者正確？
(A)主要是受外接電容的影響
(B)主要是受MOSFET寄生電容的影響
(C)受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度均相同
(D)主要受其他電容影響，但受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度不大。
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33. 由電阻R
1
、R
2
和運算放大器組成的非反相放大器（Non-Inverting Amplifier），如圖所示。其中R
1
＝1kΩ，R
2
＝1MΩ。運算放大器的輸出飽和電壓為±10V，輸入偏移電壓（Input Offset Voltage, Vos）為5mV。若輸入V
IN
為正弦訊號，則其最大輸入振幅大約為多少才不會造成輸出訊號失真？
(A)15mV
(B)10mV
(C)5mV
(D)2mV。
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34. 如圖所示之電路，其運算放大器之飽和電壓為±15V，則此電路之遲滯（hysteresis）電壓範圍為何？
(A)10V
(B)12V
(C)15V
(D)18V。
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35. 分析如圖之電路，若MOSFET之轉導值g
m
＝1mA/V且操作於飽和區，臨界電壓V
th
＝1V，V
GS
＝1.2V，求R
D
＝？
(A)19kΩ
(B)25kΩ
(C)38kΩ
(D)45kΩ。
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36. 如圖之電路，運算放大器之飽和電壓為±15V，若V
o
之週期為3ms，則R
2
/R
1
為何？
(A)1/10
(B)1/4
(C)1/3
(D)1/2。
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37. 分析以下之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g
m
為1mA/V，元件之輸出阻抗r
o
皆為10kΩ，試求V
o
/V
i
約為多少？
(A)10
(B)7.5
(C)25/6
(D)25/11。
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38. 如圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（g
m
）為1mA/V。若忽略元件之輸出阻抗（r
o
），則輸出（V
o
）對輸入（V
i
）之共模增益（Common Mode Gain）Acm＝？
(A)0
(B)1/11
(C)1/10
(D)∞。
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39. 相較於單級共射極（CE）放大器，圖示CC-CE串接電路之主要優點在於提高：
(A)輸入阻抗、輸出阻抗
(B)輸入阻抗、頻寬
(C)輸出阻抗、電壓增益v
o
/v
i
(D)輸出阻抗、頻寬。
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40. 一個理想二極體，在順向偏壓時：
(A)電流為零
(B)電壓為零
(C)電阻為無窮大
(D)電容為零。
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