鐵路特考考古題 103年電子學大意

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1. 如圖所示為臨界電位比較器，已知其電源電壓為±15V，則使輸出改變狀態之V_in轉折電壓為何？

(A)＋5V (B)－5V (C)＋15V (D)－15V。

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2. 下列關於理想運算放大器的輸出特性，何者錯誤？

(A)零共模增益 (B)無限大共模拒斥 (C)常用為差動輸入 (D)常用為交流耦合。

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3. 一使用理想運算放大器的微分電路，當RC乘積值變大時，其輸出相對輸入之相位移為何？

(A)變大 (B)變小 (C)保持－90°不變 (D)保持－180°不變。

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4. 如右圖所示之電路，其邏輯函數為下列何者？

(A)

(B)

(C)

(D)

。

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5. 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設PMOS、NMOS的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已知此電路的轉移特性（Voltage transfer characteristic）曲線如右圖所示，試研判在曲線A點兩電晶體MP1、MN1的工作狀態。

(A)電晶體MP1的工作狀態為截止（Cut-off）區、電晶體MN1的工作狀態為截止（Cut-off）區 (B)電晶體MP1的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體MN1的工作狀態為截止（Cut-off）區 (C)電晶體MP1的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體MN1的工作狀態為飽和（Saturation）區 (D)電晶體MP1的工作狀態為飽和（Saturation）區、電晶體MN1的工作狀態為飽和（Saturation）區。

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6. 在一般MOSFET元件中，為何閘極電流幾乎為零？

(A)因為有閘絕緣層在通道上方 (B)因為有空乏區在通道上方 (C)因為閘極反偏 (D)因為元件靠電壓驅動。

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7. 雙極性接面電晶體中，收集多數載子的電極稱為：

(A)源極 (B)基極 (C)集極 (D)閘極。

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8. 一個理想二極體，在逆向偏壓時：

(A)電流為零 (B)電壓為零 (C)電阻為零 (D)電容為零。

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9. 一般電流計可以利用並聯電阻加大電流計的量測範圍，細部電路如下圖所示。若電流計本身的電阻Rm＝1kΩ，最大可容許通過的滿載電流Im_max＝100μA。已知加入的並聯電阻值分別為Ra＝9.09Ω、Rb＝0.909Ω、Rc＝0.101Ω，今將切換開關接到B接點，試研判這樣的組態在電表正負端接點之間最大的電流量測範圍？

(A)100μA (B)1mA (C)10mA (D)100mA。

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10. 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7V，導通電阻值為0Ω。則2V電壓源流出之電流值為何？

(A)1.5mA (B)1.3mA (C)1.1mA (D)0.7mA。

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11. 今欲設計二極體整流電路使v_O產生負極性的電壓輸出，下列何者正確？

(A)

(B)

(C)

(D)

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12. 圖示由理想二極體構成電路，若電阻R為0.5kΩ，則電流I為若干mA？

(A)6 (B)8 (C)10 (D)12。

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13. 如圖所示之電路，二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？

(A)C₁的耐壓為2V_m (B)C₁＋C₃的耐壓為4V_m (C)C₂＋C₄的耐壓為3V_m (D)D₄的峰值反向電壓為2V_m。

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14. 如圖所示之電路，假設二極體導通之壓降為0.7V，輸入電壓v_i為一峰值10V之交流正弦波，試求輸出電壓之最大負值為何？

(A)－5.3V (B)－10.7V (C)－14.3V (D)－20.7V。

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15. 如圖所示之電路，輸入電壓v_i為一交流弦波，有效值為100V，頻率為60Hz，二極體導通之壓降皆為0.7V，求二極體之峰值反向電壓約為何？

(A)17.4V (B)34.7V (C)69.4V (D)104.1V。

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16. 一般二極體在固定電流順偏導通狀況下的壓降，其溫度係數（Temperature Coefficient）為：

(A)零溫度係數 (B)正溫度係數 (C)負溫度係數 (D)正負溫度係數依導通電壓大小而定。

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17. 對理想二極體之敘述，下列何者錯誤？

(A)順向時視為短路，逆向時視為開路 (B)順向電阻等於零，逆向電阻無限大 (C)順向電壓等於零，逆向電流無限大 (D)無順向電壓降，無逆向電流。

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18. 雙極性接面電晶體的各種組態放大器，何者最適合作輸出端的阻抗匹配？

(A)共基極放大器（CB） (B)共集極放大器（CC） (C)共射極放大器（CE） (D)共汲極放大器（CD）。

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19. 分析右圖之電路，若BJT操作在順向主動區（forward active region）且轉導值g_m為10mA/V，β＝10，R_E＝1kΩ，R_C＝10kΩ，忽略元件之輸出電阻r_o，試求v_o/v_i約為多少？

(A)5 (B)8 (C)12 (D)15。

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20. 如圖所示共射極放大器（CE）（偏壓電路略去未繪），其電壓增益A_v≡v_o/v_i大致可表為：

(A)－g_mR_C (B)－g_m（R_C＋

） (C)－R_C/（R_E＋r_e） (D)－R_sig/R_E。

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21. 若右圖電路中之BJT電晶體操作於飽和區，下列何種調整方式可讓電晶體進入順向主動區（forward active region）？

(A)減小V_CC (B)加大V_B (C)加大R_E (D)加大R_C。

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22. 下列那一項為影響放大器低頻響應的主要因素？

(A)使用的電晶體型式 (B)放大器的負載電容 (C)放大器的電壓增益 (D)放大器中的耦合電容。

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23. 如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點（Operating Point）閘源極電壓V_GS為－2.6V，汲極電流I_D為2.6mA，I_DSS為8mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）V_P為－6V，則此放大器的輸入阻抗Z_i約為多少？

(A)470kΩ (B)680kΩ (C)1MΩ (D)1.8MΩ。　　

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24. 右圖示雙極性接面電晶體（BJT）電路，電晶體β＝100，V_BE＝0.7V，當電路處最佳工作點，則電阻R_B約為若干kΩ？

(A)115 (B)230 (C)460 (D)575。

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25. 關於MOSFET電晶體之輸出阻抗，下列敘述何者錯誤？

(A)相同電流且寬長比（W/L）相同之條件下，通道長度越長輸出阻抗越大 (B)固定元件尺寸之條件下，電流越大輸出阻抗越大 (C)電晶體操作在飽和區（saturation）時之輸出阻抗較操作在三極管區（triode region）時之輸出阻抗大 (D)輸出阻抗是由於通道調變效應所造成。

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26. 已知一BJT電晶體之β＝100，g_m＝0.01A/V，求圖中電路之R_in值？

(A)1kΩ (B)10kΩ (C)100kΩ (D)500kΩ。

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27. 如右圖電路所示，若電晶體參數β＝100，＝2pF，＝6pF，則其高頻－3dB頻率約為多少kHz？

(A)110 (B)220 (C)330 (D)550。

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28. 下列對於MOSFET共源極架構放大器的頻率響應特性敘述中，何者錯誤？

(A)低－3dB頻率與電晶體內部電容無關，而是與外部電容有關 (B)高－3dB頻率受到米勒效應的影響而變大 (C)當外部電容愈大，低－3dB頻率愈小 (D)在場效電晶體內部電容中，Cgd對於高－3dB頻率的影響最大。

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29. 一般MOSFET單級放大器架構中，小訊號特性輸出阻抗較低的是那一種？

(A)共源極 (B)共汲極 (C)共閘極 (D)具源極電阻之共源極。

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30. 如圖所示一放大器，外接電容為C_C1、C_C2和C_S，MOSFET的寄生電容為Cgs和Cgd。有關此放大器電路在中頻的增益（Mid-band gain），下列敘述何者正確？

(A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受MOSFET寄生電容的影響 (C)受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度均相同 (D)均不受外接電容與MOSFET寄生電容的影響。

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31. 下列為一被動式濾波器（Passive filter）。試問此電路轉移函數（Transfer function）T(s)≡V_O/V_i的數學形式為何？

(A)T(s)≡

＝

(B)T(s)≡

＝

(C)T(s)≡

＝

(D)T(s)≡

＝

。

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32. 下列何者可產生方波？

(A)考畢子（Colpitts）振盪器 (B)無穩態多諧振盪器（Astable Multivibrator） (C)雙穩態多諧振盪器（Bistable Multivibrator） (D)韋恩橋式（Wien Bridge）振盪器。

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33. 相較於共射極放大器（CE），下列有關共基極放大器（CB）之敘述，何者正確？

(A)輸入阻抗較大 (B)頻率響應較佳 (C)輸出電壓與輸入電壓相位差180° (D)輸出阻抗較低。

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34. 下列何者為全通（All Pass）被動濾波器的主要功用之一？

(A)放大訊號 (B)去除雜訊 (C)類比訊號轉換為數位訊號 (D)提供相位移。

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35. 圖為單端輸出差動放大器（Differential Amplifier）。其中R_E＝4.3kΩ，R_C1＝R_C2＝R_E/2，V_CC＝－V_EE＝5V，電晶體的β為100，放大器的輸入共模（Common Mode）偏壓為0V。則差動放大器的共模拒斥比（Common Mode Rejection Ratio, CMRR）約為？

(A)344 (B)258 (C)172 (D)86。

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36. 兩個共集極放大器串接之電壓增益為何？

(A)約1000 (B)約100 (C)約10 (D)約1。

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37. 分析右圖之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g_m為1mA/V，忽略元件之輸出阻抗r_O，試求V_O/V_i？

(A)5 (B)10 (C)－5 (D)－10。

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38. 有一電路的轉移函數T(s)＝，則下列何者正確？

(A)半功率頻率為100rad/sec (B)增益為100dB的頻率為1rad/sec (C)直流增益為40dB (D)高頻增益為100。

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39. 如圖振盪電路，U₁為理想運算放大器，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知V＝15V、R₁＝10kΩ、R_f＝20.3kΩ、R₂＝3kΩ、R₃＝1kΩ、R₄＝1kΩ、R₅＝3kΩ。在放大器U₁正端輸入設有一回授網路，其中C_S＝16nF、R_S＝5kΩ、C_P＝16nF、R_P＝5kΩ。試求此電路輸出振盪電壓的峰對峰值（peak-to-peak value）約為多少？

(A)6V (B)11V (C)16V (D)21V。

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40. 若欲提高雙極性接面電晶體（BJT）差動放大器之共模拒斥比（CMRR），則差動電路中之射極端以連接下列何種元件為較佳？

(A)定電流源 (B)定電壓源 (C)定電阻 (D)定電容。

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