鐵路特考考古題,模擬題庫電子學大意-愛舉手

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6. 有一電路的轉移函數T(s)＝，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency）時，頻率與|?T(s)?| 的變化關係，下列何者正確？

(A)頻率每增大十倍，|?T(s)?|減少10dB (B)頻率每增大十倍，|?T(s)?|減少20dB (C)頻率每增大二倍，|?T(s)?|減少10dB (D)頻率每增大二倍，|?T(s)?|減少20dB。

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7. 如圖所示之放大器，若電晶體操作於飽和區，且其高頻3dB頻率ω_H遠高於低頻3dB頻率ω_L，忽略元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？

(A)降低R_S可提高中頻增益 (B)降低C_S可增加ω_H－ω_L (C)降低C_D可增加ω_H－ω_L (D)增加R_G可增加ω_H－ω_L。

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8. 如圖所示，跨於二極體的電壓V_D應為：

(A)0.7V (B)－5V (C)－7V (D)－10V。

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9. 圖示差動放大器，若電晶體Q₁與Q₂的特性相同，Q₃與Q₄的特性相同，且其轉導（Transconductance）g_m皆為2mA/V、輸出電阻r_o皆為20kΩ，則差模電壓增益A_d＝v_o/v_id＝？

(A)－20 (B)－10 (C)10 (D)20。

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10. 如圖所示電路中電晶體的β＝100且爾利電壓（Early Voltage）為無窮大，請問電路的頻寬約為多少？

(A)57MHz (B)60MHz (C)65MHz (D)70MHz。

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11. 有一電路的轉移函數T(s)＝，則下列何者正確？

(A)半功率頻率為100rad/sec (B)增益為100dB的頻率為1rad/sec (C)直流增益為40dB (D)高頻增益為100。

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12. 下圖為一理想運算放大器電路，求其輸出電壓V_O＝？

(A)1V (B)2V (C)3V (D)4V。

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13. 在室溫時，N型或P型半導體的導電特性與溫度的關係是：

(A)隨溫度升高，導電特性變好 (B)隨溫度升高，導電特性變差 (C)導電特性不隨溫度變化而改變 (D)視其為N型或P型半導體而定。

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14. 在BJT的小訊號參數中，下列那一個關係式錯誤？

(A)r_e＝V_T/I_E (B)

＝V_T/I_B (C)g_m＝I_C/V_T (D)r_o＝V_T/I_C。

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15. 由電阻R₁、R₂和運算放大器組成的非反相放大器（Non-Inverting Amplifier），如圖所示。其中R₁＝1kΩ，R₂＝1MΩ。運算放大器的輸出飽和電壓為±10V，輸入偏移電壓（Input Offset Voltage, Vos）為5mV。若輸入V_IN為正弦訊號，則其最大輸入振幅大約為多少才不會造成輸出訊號失真？

(A)15mV (B)10mV (C)5mV (D)2mV。

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16. 如圖之電路，振盪發生時，R₂/R為何？

(A)19 (B)29 (C)39 (D)49。

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17. 某單一增益運算放大器的電壓轉換率（Slew rate）為0.628V/μs，當輸入電壓振幅為5V之正弦波時，其最大不失真的輸入頻率為何？

(A)1kHz (B)2kHz (C)10kHz (D)20kHz。

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18. 今欲設計二極體整流電路使v_O產生負極性的電壓輸出，下列何者正確？

(A)

(B)

(C)

(D)

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19. 關於CC-CC放大器的特性，下列何者正確？

(A)低輸入阻抗 (B)高輸出阻抗 (C)高電壓增益 (D)高電流增益。

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20. 圖中為一由兩個5.7V稽納（Zener）二極體所構成的截波電路，其順偏時的電壓為0.7V，請問輸入波形被截波的電壓為何？

(A)±1.4V (B)±5V (C)±6.4V (D)±11.4V。

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21. 如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數g_m、r_e、r_π及輸出電阻r_o均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻R_out（不含R_L）為：

(A)R_C＋r_o (B)r_o (C)R_C∥r_o (D)R_C＋r_e。

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22. 分析右圖之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g_m為1mA/V，忽略元件之輸出阻抗r_O，試求V_O/V_i？

(A)5 (B)10 (C)－5 (D)－10。

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23. 有一N通道空乏型MOSFET的汲極飽和電流I_DSS＝8mA，截止電壓V_GS_（_off_）＝－4V，則在V_GS＝0V的情況下，請問汲極電流I_D＝？

(A)8mA (B)12mA (C)16mA (D)20mA。

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24. 圖中的LCR振盪器，當電容C值增加2%時，其振盪頻率ω₀改變多少？

(A)0.5% (B)不變 (C)－0.5% (D)－1%。

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25. PN二極體之內建電位障（built-in potential barrier），乃是其空乏區域（depletion region）內甚麼所造成？

(A)兩側電子 (B)兩側電洞 (C)中性原子 (D)正離子及負離子。

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26. 如圖之電路，振盪發生時其振盪頻率為何？

(A)198Hz (B)298Hz (C)398Hz (D)498Hz。

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27. 有關BJT雙極性接面電晶體與FET場效電晶體的一般特性比較，下列何者錯誤？

(A)BJT的轉導（Transconductance）g_m比FET的轉導大 (B)BJT的輸出電阻r_o比FET的輸出電阻小 (C)BJT的本質增益（Intrinsic Gain）A₀比FET的本質增益大 (D)BJT的輸入阻抗R_i比FET的輸入阻抗小。

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28. 如圖所示之電路，二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？

(A)C₁的耐壓為2V_m (B)C₁＋C₃的耐壓為4V_m (C)C₂＋C₄的耐壓為3V_m (D)D₄的峰值反向電壓為2V_m。

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29. 分析如圖之電路，若MOSFET之轉導值g_m＝1mA/V且操作於飽和區，元件之輸出阻抗r_o＝10kΩ，R_D＝10kΩ，R_G＝10kΩ，試求V_o/I_i＝？

(A)－90/11 (B)－10 (C)－15/2 (D)－25/3。

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30. 圖中理想二極體電路輸入正弦波訊號的峰值為V_m，請問在那兩個端點間可得到4V_m的輸出？

(A)A、B端點 (B)A、C端點 (C)F、E端點 (D)F、D端點。

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31. 今有一二極體電路如下左圖所示，假設二極體元件均為理想二極體，其電流－電壓（I-V）特性曲線如下右圖所示：順向導通電壓為V_D0＝0V，不考慮二極體導通的串聯電阻效應。已知V_P＝2V，試研判此電路中有關C1的描述，下列那一敘述最為正確？

(A)C1的端電壓接近2V且A節點電壓比B節點電壓高 (B)C1的端電壓接近2V且A節點電壓比B節點電壓低 (C)C1的端電壓接近4V且A節點電壓比B節點電壓低 (D)C1的端電壓接近4V且A節點電壓比B節點電壓高。

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32. 在一全波整流電路中，使用中心抽頭變壓器，其輸出電壓振幅為V_S，二極體正向壓降為V_D，請問二極體的峰值反向電壓為何？

(A)V_S－V_D (B)V_S－2V_D (C)2V_S－V_D (D)2V_S－2V_D。

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33. 下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？

(A)低通濾波器 (B)高通濾波器 (C)帶通濾波器 (D)全通濾波器。

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34. 如圖所示電路，v_A、v_B及v_C為輸入，v_Y為輸出，於正邏輯系統中，其功能為何？

(A)AND閘 (B)OR閘 (C)NAND閘 (D)NOR閘。

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35. 一個放大器在中段頻率範圍內，輸出電壓峰值為10V，則在高3分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）時輸出電壓峰值約為多少？

(A)5V (B)7V (C)10V (D)14V。

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36. 有一差動放大器，假設其差動增益為1000，共模增益為1，請問此差動放大器之共模拒斥比（CMRR）約等於多少？

(A)20dB (B)30dB (C)40dB (D)60dB。

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37. 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之g_m＝0.5mA/V，V_A＝∞，R_D＝5kΩ，則此放大器的電壓增益|?Av?|為：

(A)0 (B)2V/V (C)2.5V/V (D)∞。

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38. 下圖由5個NOT閘組成之環形振盪器，若每一個NOT閘的延遲時間（Delay Time）為2ns，則此電路之振盪頻率為多少？

(A)25MHz (B)50MHz (C)100MHz (D)125MHz。

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39. 如圖所示的電路，則“D₁”的主要功能為何？

(A)限制電流 (B)限制電壓 (C)提供定電流源 (D)解調。

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40. 在雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容C_c進入基極，該電容C_c之主要功能為何？

(A)使電壓增益變大 (B)使電流增益變大 (C)隔離雜訊 (D)隔離直流。

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41. 有一放大器電路的頻率響應轉移函數（Transfer function）F（s）＝V_O（s）／V_I（s）如下所示，其中s＝jω＝j2πf：F（s）＝，在製作絕對值| F（s）|的波德曲線圖（Bode plot）時，欲估計在頻率f＝3kHz時的相角，下列敘述何者最為正確？

(A)此相角大於60° (B)此相角落於30°至60°之間 (C)此相角落於－30°至30°之間 (D)此相角小於－30°。

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42. 如圖所示為臨界電位比較器，已知其電源電壓為±15V，則使輸出改變狀態之V_in轉折電壓為何？

(A)＋5V (B)－5V (C)＋15V (D)－15V。

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43. 相較於單級共射極（CE）放大器，圖示CC-CE串接電路之主要優點在於提高：

(A)輸入阻抗、輸出阻抗 (B)輸入阻抗、頻寬 (C)輸出阻抗、電壓增益v_o/v_i (D)輸出阻抗、頻寬。

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44. 在邏輯電路中，輸出高至低的傳輸延遲（propagation delay）時間的定義為何？

(A)由高準位電壓下降至50%的高準位電壓所需的時間 (B)由高準位電壓下降至70%的高準位電壓所需的時間 (C)由90%的高準位電壓下降至10%的高準位電壓所需的時間 (D)由80%的高準位電壓下降至20%的高準位電壓所需的時間。

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45. 若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為β，下列何項敘述正確？

(A)β定義為I_B/I_C (B)相同電路之下，β較小的電晶體較易飽和 (C)β值大小與溫度無關 (D)工作在飽和區（Saturation Region）的電流放大率小於β。

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46. 今有一NMOS邏輯反相器（Inverter）的電路如下左圖所示，已知電晶體Q₁、Q₂特性均相同。此電路之電壓轉移特性（Voltage transfer characteristic）如下右圖所示。在此電壓轉移曲線所標示的四個工作點中：A點為v_I＝0V的工作條件；B點為電壓轉移曲線斜率＝－1的工作條件；C點為v_O＝0.5V_DD的工作條件；D點為v_I＝V_DD的工作條件，試研判那一工作點的功率損耗最少？

(A)A (B)B (C)C (D)D。　　

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47. 金氧半電晶體內部電容影響電路的頻率響應，下列的描述何者錯誤？

(A)電晶體工作於三極管（triode）區時閘極電容可視為一平行板電容 (B)源極－本體間的電容為一反偏的pn接面電容 (C)閘極－汲極間電容與電晶體工作區域無關 (D)源極－本體間的電容會隨偏壓而改變。

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48. 雙極性接面電晶體中，下列何種電路組態其小訊號輸入阻抗為最大？

(A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態。

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