鐵路特考考古題模擬題庫電子學大意

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

1. 如圖所示之電路，二極體為理想。其電源電壓v_s為一交流弦波，大小為110Vrms，頻率為60Hz，R＝25Ω，則i_o之均方根值（rms）為何？

(A)2.11A (B)3.11A (C)4.11A (D)5.11A。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

2. 如圖所示之理想運算放大器電路，＝，求為何？

(A)10kHz (B)50kHz (C)100kHz (D)200kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

3. 如圖所示電路，A與B為輸入，v_o為輸出，於正邏輯系統中，其功能為何？

(A)AND閘 (B)OR閘 (C)NAND閘 (D)NOR閘。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

4. 今有一階Op Amp-RC電路所製作的主動式濾波器（Active filter）如下圖所示。設放大器U1為理想的電壓放大器，且R1＝R2。此電路屬於那一種濾波器類型？

(A)低通濾波器（Low-pass filter） (B)高通濾波器（High-pass filter） (C)帶通濾波器（Band-pass filter） (D)全通濾波器（All-pass filter）。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

5. 如圖的放大器（其偏壓電路未示），若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o，則此放大器的電壓增益約為何？

(A)－g_mR_C (B)－g_m(R_C//r_o) (C)－R_C/R_E (D)－r_o/R_E。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

6. 若一電源頻率為50Hz，經半波整流後，輸出電壓漣波頻率為何？

(A)25Hz (B)50Hz (C)60Hz (D)100Hz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

7. 圖電路中理想運算放大器其開迴路差模電壓增益A_od＝10⁴，若輸出電壓v_O＝－4V，則輸入電壓v_I約為多少V？

(A)－0.1V (B)－0.2V (C)－0.3V (D)－0.4V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

8. 一個放大器在中段頻率範圍內，輸出電壓峰值為10V，則在高3分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）時輸出電壓峰值約為多少？

(A)5V (B)7V (C)10V (D)14V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

9. 圖示整流電路，輸入v_I為弦波，若二極體D的導通角度變大，下列敘述何者為其可能原因？

(A)v_I的週期變大 (B)v_I的峰值電壓變大 (C)電容值C變大 (D)電阻值R變大。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

10. 如圖所示之理想運算放大器電路，電源為±15V，則此電路之遲滯（Hysteresis）電壓範圍約為何？

(A)10V (B)15V (C)18V (D)30V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

11. 如圖示電路，電晶體電流放大率β＝100，若R_C＝5kΩ，R_e＝200Ω，I＝1mA，則差模輸入阻抗R_id約為多少？

(A)400Ω (B)500Ω (C)40kΩ (D)50kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

12. 有一放大器振盪電路，設放大器U1為理想放大器，已知R2＝2kΩ、R1＝1kΩ、R3＝R4＝3kΩ、C1＝C2＝1pF，試研判輸出電壓V_O可能之振盪頻率：

(A)接近25MHz (B)接近50MHz (C)接近100MHz (D)接近150MHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

13. 當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？

(A)空乏區變寬、障壁電位減少 (B)空乏區變寬、障壁電位增加 (C)空乏區變窄、障壁電位減少 (D)空乏區變窄、障壁電位增加。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

14. 有關BJT雙極性接面電晶體與FET場效電晶體的一般特性比較，下列何者錯誤？

(A)BJT的轉導（Transconductance）g_m比FET的轉導大 (B)BJT的輸出電阻r_o比FET的輸出電阻小 (C)BJT的本質增益（Intrinsic Gain）A₀比FET的本質增益大 (D)BJT的輸入阻抗R_i比FET的輸入阻抗小。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

15. 如圖電路，設二極體為理想二極體。I＝1mA，E＝10V，R＝10kΩ，則流經二極體之電流I_D為多大？

(A)0mA (B)0.5mA (C)1mA (D)2mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

16. 一個差動放大器，若V_＋＝＋10mV而V_－＝－10mV，那差動輸入電壓（differential-mode input voltage）為：

(A)0mV (B)＋10mV (C)＋20mV (D)－30mV。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

17. 如圖所示為一BJT差動對（Differential-Pair）電路。Q₁＝Q₂，並設工作於主動模式（active-mode）。則呈現在兩基極端的差動輸入電阻（Differential Input Resistance）R_id以熱電壓（Thermal Voltage）V_T表示為：

(A)V_T/I (B)（β＋1）V_T/I (C)2（β＋1）V_T/I (D)4（β＋1）V_T/I。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

18. 當一雙極接面電晶體（BJT）操作於主動模式，其轉導值（transconductance）g_m與集極電流I_C的關係為：

(A)

(B)

(C)

(D)

。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

19. 齊納（Zener）二極體主要常應用於何種電路？

(A)放大 (B)濾波 (C)整流 (D)穩壓。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

20. PN二極體之內建電位障（built-in potential barrier），乃是其空乏區域（depletion region）內甚麼所造成？

(A)兩側電子 (B)兩側電洞 (C)中性原子 (D)正離子及負離子。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

21. P通道空乏型MOSFET，在閘極上施加正電壓時，其通道導通程度會：

(A)無影響 (B)減小 (C)加大 (D)無法判斷。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

22. 如圖所示，跨於二極體的電壓V_D應為：

(A)0.7V (B)－5V (C)－7V (D)－10V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

23. 在一全波整流電路中，使用中心抽頭變壓器，其輸出電壓振幅為V_S，二極體正向壓降為V_D，請問二極體的峰值反向電壓為何？

(A)V_S－V_D (B)V_S－2V_D (C)2V_S－V_D (D)2V_S－2V_D。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

24. 如圖之電路，運算放大器之飽和電壓為±15V，若V_o之週期為3ms，則R₂/R₁為何？

(A)1/10 (B)1/4 (C)1/3 (D)1/2。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

25. 兩個共集極放大器串接之電壓增益為何？

(A)約1000 (B)約100 (C)約10 (D)約1。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

26. 分析如圖之電路，若MOSFET之轉導值g_m＝1mA/V且操作於飽和區，臨界電壓V_th＝1V，V_GS＝1.2V，求R_D＝？

(A)19kΩ (B)25kΩ (C)38kΩ (D)45kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

27. 如右圖電路所示，若電晶體參數β＝100，＝2pF，＝6pF，則其高頻－3dB頻率約為多少kHz？

(A)110 (B)220 (C)330 (D)550。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

28. 有一p通道增強型（p-channel enhance mode）之MOSFET元件，不考慮輸出電阻效應，已知其i_D-v_DS電流電壓特性曲線如下圖所示，其中電壓v_DS、電流i_D均採用絕對值。若考慮v_GS的極性，試研判其飽和電流| i_D |與v_GS的關係以下列那一曲線最為正確？

(A)

(B)

(C)

(D)

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

29. 一個理想二極體，在逆向偏壓時：

(A)電流為零 (B)電壓為零 (C)電阻為零 (D)電容為零。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

30. 關於MOSFET電晶體之輸出阻抗，下列敘述何者錯誤？

(A)相同電流且寬長比（W/L）相同之條件下，通道長度越長輸出阻抗越大 (B)固定元件尺寸之條件下，電流越大輸出阻抗越大 (C)電晶體操作在飽和區（saturation）時之輸出阻抗較操作在三極管區（triode region）時之輸出阻抗大 (D)輸出阻抗是由於通道調變效應所造成。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

31. 在一般MOSFET元件中，為何閘極電流幾乎為零？

(A)因為有閘絕緣層在通道上方 (B)因為有空乏區在通道上方 (C)因為閘極反偏 (D)因為元件靠電壓驅動。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

32. 下列何者可產生方波？

(A)考畢子（Colpitts）振盪器 (B)無穩態多諧振盪器（Astable Multivibrator） (C)雙穩態多諧振盪器（Bistable Multivibrator） (D)韋恩橋式（Wien Bridge）振盪器。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

33. 分析右圖之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g_m為1mA/V，忽略元件之輸出阻抗r_O，試求V_O/V_i？

(A)5 (B)10 (C)－5 (D)－10。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

34. 分析以下之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g_m為1mA/V，元件之輸出阻抗r_o皆為10kΩ，試求V_o/V_i約為多少？

(A)10 (B)7.5 (C)25/6 (D)25/11。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

35. 右圖示為理想運算放大器之電路，R₁＝1kΩ、R₂＝25kΩ、R＝10kΩ，則其輸入阻抗R_i為若干Ω？

(A)1k (B)10k (C)25k (D)∞。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

36. 下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？

(A)低通濾波器 (B)高通濾波器 (C)帶通濾波器 (D)帶拒濾波器。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

37. 若欲提高雙極性接面電晶體（BJT）差動放大器之共模拒斥比（CMRR），則差動電路中之射極端以連接下列何種元件為較佳？

(A)定電流源 (B)定電壓源 (C)定電阻 (D)定電容。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

38. 以下之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），對於小訊號電壓增益，下列敘述何者無法降低放大器之低頻3dB頻率ω_L？

(A)增加R_S (B)增加R_B (C)增加R_C (D)增加C值。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

39. 下列由理想運算放大器所組成的應用電路中，何種電路中的運算放大器輸入端，不可視為虛短路？

(A)比較器 (B)非反相放大器 (C)反相放大器 (D)微分器。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

40. 有一放大器電路的頻率響應轉移函數（Transfer function）F（s）＝V_O（s）/V_I（s）如下所示，其中s＝jω＝j2πf：F（s）＝，在製作絕對值| F（s）|的波德曲線圖（Bode plot）時，欲估計在頻率f＝3kHz時的線段斜率，下列敘述何者最為正確？

(A)此線段斜率大於＋10dB/decade (B)此線段斜率落在－10dB/decade至＋10dB/decade之間 (C)此線段斜率落在－30dB/decade至－10dB/decade之間 (D)此線段斜率小於－30dB/decade。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

41. 在P型半導體材料中，電流傳導的主要載子為：

(A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)質子。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

42. 相較於共射極放大器（CE），下列有關共基極放大器（CB）之敘述，何者正確？

(A)輸入阻抗較大 (B)頻率響應較佳 (C)輸出電壓與輸入電壓相位差180° (D)輸出阻抗較低。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

43. 如圖電路，設電晶體的β＝100，V_BE＝0.7V，則I_C電流約為：

(A)19.6mA (B)9.3mA (C)0.1mA (D)0mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

44. 如圖所示之電路，輸入電壓v_i為一交流弦波，有效值為100V，頻率為60Hz，二極體導通之壓降皆為0.7V，求二極體之峰值反向電壓約為何？

(A)17.4V (B)34.7V (C)69.4V (D)104.1V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

45. 圖示放大器電路中的電阻R_e主要功用為何？

(A)降低輸出阻抗 (B)提升電壓增益 (C)提高輸入訊號的線性放大範圍 (D)頻率補償。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

46. 如圖所示電路，v_A、v_B及v_C為輸入，v_Y為輸出，於正邏輯系統中，其功能為何？

(A)AND閘 (B)OR閘 (C)NAND閘 (D)NOR閘。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

47. 圖示理想二極體電壓，變壓器次級圈交流電壓有效值為10V_rms，試問在穩定狀態時v_O的電壓約為若干？

(A)10V (B)14V (C)20V (D)28V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

48. 今有一電路如圖所示，其中V_P1＝V_P2＝6V、R₁＝10kΩ、R₂＝5kΩ，啟動二極體導通的端電壓須達0.7V以上，則電路中兩顆二極體導通的情形為何？

(A)D₁（ON），D₂（ON） (B)D₁（ON），D₂（OFF） (C)D₁（OFF），D₂（ON） (D)D₁（OFF），D₂（OFF）。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

49. 在BJT的小訊號參數中，下列那一個關係式錯誤？

(A)r_e＝V_T/I_E (B)

＝V_T/I_B (C)g_m＝I_C/V_T (D)r_o＝V_T/I_C。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

50. 有一電路的轉移函數T(s)＝，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency）時，頻率與|?T(s)?| 的變化關係，下列何者正確？

(A)頻率每增大十倍，|?T(s)?|減少10dB (B)頻率每增大十倍，|?T(s)?|減少20dB (C)頻率每增大二倍，|?T(s)?|減少10dB (D)頻率每增大二倍，|?T(s)?|減少20dB。

愛舉手問答平台

鐵路特考考古題 模擬題庫 電子學大意

主題分類

鐵路特考考古題模擬題庫電子學大意