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1. 當一雙極接面電晶體(BJT)操作於主動模式,其轉導值(transconductance)g
m
與集極電流I
C
的關係為:
(A)
(B)
(C)
(D)
。
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2. 如圖所示之電路,若MOSFET操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(g
m
)為1mA/V。若忽略元件之輸出阻抗(r
o
),則輸出(V
o
)對輸入(V
i
)之共模增益(Common Mode Gain)Acm=?
(A)0
(B)1/11
(C)1/10
(D)∞。
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3. 下列何種功率放大器通常作為射頻(RF)調諧放大器使用?
(A)A類功率放大器
(B)B類功率放大器
(C)AB類功率放大器
(D)C類功率放大器。
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4. 如圖所示電路,齊納二極體的V
Z
=5V,電源V=15V,R
L
=1kΩ,若齊納二極體容許的最大I
Z
電流I
Zmax
為20mA,則R的最小值R
min
應為多大?
(A)200Ω
(B)300Ω
(C)400Ω
(D)500Ω。
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5. 在室溫時,N型或P型半導體的導電特性與溫度的關係是:
(A)隨溫度升高,導電特性變好
(B)隨溫度升高,導電特性變差
(C)導電特性不隨溫度變化而改變
(D)視其為N型或P型半導體而定。
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6. 分析如圖之電路,若MOSFET之轉導值g
m
=1mA/V且操作於飽和區,元件之輸出阻抗r
o
=10kΩ,R
D
=10kΩ,R
G
=10kΩ,試求V
o
/I
i
=?
(A)-90/11
(B)-10
(C)-15/2
(D)-25/3。
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7. 如圖所示之理想運算放大器電路,
=
,求
為何?
(A)10kHz
(B)50kHz
(C)100kHz
(D)200kHz。
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8. 今有一二極體電路如下左圖所示,假設二極體元件的電流-電壓(I-V)特性曲線如下右圖所示:導通後,二極體的端電壓為V
D0
=0.7V,不考慮二極體導通的串聯電阻效應。已知V
DD
=10V、V
SS
=5V、R1=5kΩ、R2=10kΩ。試研判此電路中兩顆二極體的導通情形:
(A)二極體D1導通、二極體D2不導通
(B)二極體D1、二極體D2都不導通
(C)二極體D1、二極體D2都導通
(D)二極體D1不導通、二極體D2導通。
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9. 圖示放大器電路中的電阻R
e
主要功用為何?
(A)降低輸出阻抗
(B)提升電壓增益
(C)提高輸入訊號的線性放大範圍
(D)頻率補償。
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10. 以下之放大器若電晶體操作於順向主動區(forward active region),對於小訊號電壓增益,下列敘述何者無法降低放大器之低頻3dB頻率ω
L
?
(A)增加R
S
(B)增加R
B
(C)增加R
C
(D)增加C值。
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11. 請問右圖高通濾波器電路之3分貝(或截止)頻率約為多少?
(A)160Hz
(B)230Hz
(C)450Hz
(D)700Hz。
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12. 在雙極性接面電晶體(BJT)共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C
c
進入基極,該電容C
c
之主要功能為何?
(A)使電壓增益變大
(B)使電流增益變大
(C)隔離雜訊
(D)隔離直流。
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13. 分析右圖之電路,若BJT操作在順向主動區(forward active region)且轉導值g
m
為10mA/V,β=10,R
E
=1kΩ,R
C
=10kΩ,忽略元件之輸出電阻r
o
,試求v
o
/v
i
約為多少?
(A)5
(B)8
(C)12
(D)15。
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14. 今有一NMOS邏輯反相器(Inverter)的電路如下左圖所示,已知電晶體Q
1
、Q
2
特性均相同。此電路之電壓轉移特性(Voltage transfer characteristic)如下右圖所示。在此電壓轉移曲線所標示的四個工作點中:A點為v
I
=0V的工作條件;B點為電壓轉移曲線斜率=-1的工作條件;C點為v
O
=0.5V
DD
的工作條件;D點為v
I
=V
DD
的工作條件,試研判那一工作點的功率損耗最少?
(A)A
(B)B
(C)C
(D)D。
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15. 如圖所示之電路,其共振頻率約為何?
(A)51.4Hz
(B)61.4Hz
(C)71.4Hz
(D)81.4Hz。
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16. 圖示電路中場效電晶體之臨限電壓V
T
=1V、μ
n
C
ox
(W/L)=100μA/V
2
,電壓V
D
=0.2V,則電阻R
D
約為若干kΩ?
(A)34
(B)54
(C)74
(D)94。
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17. 下列為一被動式濾波器(Passive filter)。試問此電路轉移函數(Transfer function)T(s)≡V
O
/V
i
的數學形式為何?
(A)T(s)≡
=
(B)T(s)≡
=
(C)T(s)≡
=
(D)T(s)≡
=
。
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18. 已知一BJT電晶體之β=100,g
m
=0.01A/V,求圖中電路之R
in
值?
(A)1kΩ
(B)10kΩ
(C)100kΩ
(D)500kΩ。
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19. 一個理想二極體,在逆向偏壓時:
(A)電流為零
(B)電壓為零
(C)電阻為零
(D)電容為零。
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20. 圖中電晶體的V
T
=25mV,β=100,V
BE
=0.7V,其電流增益(i
o
/i
i
)約為:
(A)8.3
(B)10.1
(C)83
(D)101。
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21. 有一放大器電路的高頻響應轉移函數(Transfer Function)F
H
(s)如下所示,其中s=jω=j2πf:F
H
(s)=
若繪製|?F
H
(s)?|的波德圖(Bode Plot),試問在頻率f=600kHz時的線段斜率應落在下列何範圍內?
(A)>+25 dB/decade
(B)0 dB/decade至+25 dB/decade
(C)-25 dB/decade至0 dB/decade
(D)<-25 dB/decade。
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22. 有一n通道MOSFET工作於飽和模式(saturation mode),並構成共源(CS)放大器,該MOSFET之臨界電壓V
t
=0.5V。當V
GS
=1.5V時,其I
D
=1mA,則當V
GS
增為2.5V時,其I
D
為:
(A)仍為1mA
(B)增為2mA
(C)增為3mA
(D)增為4mA。
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23. 如圖電路,設二極體為理想二極體。I=1mA,E=10V,R=10kΩ,則流經二極體之電流I
D
為多大?
(A)0mA
(B)0.5mA
(C)1mA
(D)2mA。
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24. 今有一二極體電路如下左圖所示,已知二極體的特性函數為I
D
=I
S
(a),其中I
s
=1×10
-
12
(a)、V
T
=25mV,V
D
、I
D
分別為流經二極體的電壓降,實際的電流-電壓(I-V)特性曲線如下右圖所示。已知V
DD
=2V、R=500Ω。試研判此電路通過二極體的電流I
D
:
(A)接近3.5mA
(B)接近2.5mA
(C)接近1.5mA
(D)接近0.5mA。
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25. 如圖所示之電路,假設電晶體操作在順向主動區,忽略爾利(Early)效應與所有其他電容,假使此電路之功率消耗為2mW且低頻增益值為2.45,V
T
=26mV,則其-3dB頻寬為何?
(A)1GHz
(B)2GHz
(C)3GHz
(D)4GHz。
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26. 今有一階Op Amp-RC電路所製作的主動式濾波器(Active filter)如下圖所示。設放大器U1為理想的電壓放大器,且R1=R2。此電路屬於那一種濾波器類型?
(A)低通濾波器(Low-pass filter)
(B)高通濾波器(High-pass filter)
(C)帶通濾波器(Band-pass filter)
(D)全通濾波器(All-pass filter)。
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27. 如圖振盪電路,U
1
為理想運算放大器,假設二極體導通電壓V
D0
=0.7V。已知V=15V、R
1
=10kΩ、R
f
=20.3kΩ、R
2
=3kΩ、R
3
=1kΩ、R
4
=1kΩ、R
5
=3kΩ。在放大器U
1
正端輸入設有一回授網路,其中C
S
=16nF、R
S
=5kΩ、C
P
=16nF、R
P
=5kΩ。試求此電路輸出振盪電壓的峰對峰值(peak-to-peak value)約為多少?
(A)6V
(B)11V
(C)16V
(D)21V。
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28. 下圖振盪器電路中,V
o
輸出是屬於下列那一種波形?
(A)三角波
(B)方波
(C)正弦波
(D)脈波。
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29. 如圖所示電路,其功能為何?
(A)NMOS反相器
(B)PMOS反相器
(C)CMOS反相器
(D)BJT反相器。
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30. 空乏型nMOSFET,下列中那一項偏壓將使元件不導通?
(A)Vgs?0
(B)Vgs=0
(C)Vgs>0
(D)Vgs?0。
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31. 如圖所示電路中電晶體的β=100且爾利電壓(Early Voltage)為無窮大,請問電路的頻寬約為多少?
(A)57MHz
(B)60MHz
(C)65MHz
(D)70MHz。
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32. 如圖所示為一BJT差動對(Differential-Pair)電路。Q
1
=Q
2
,並設工作於主動模式(active-mode)。則呈現在兩基極端的差動輸入電阻(Differential Input Resistance)R
id
以熱電壓(Thermal Voltage)V
T
表示為:
(A)V
T
/I
(B)(β+1)V
T
/I
(C)2(β+1)V
T
/I
(D)4(β+1)V
T
/I。
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33. 關於韋恩(Wien)振盪器,下列敘述何者正確?
(A)振盪波形為方波
(B)振盪波形為三角波
(C)振盪波形為單一脈波
(D)振盪波形為弦波。
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34. 若A類功率放大器的負載為電阻性負載,請問其最高效率約等於多少?
(A)25%
(B)50%
(C)78.5%
(D)100%。
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35. 在邏輯電路中,輸出高至低的傳輸延遲(propagation delay)時間的定義為何?
(A)由高準位電壓下降至50%的高準位電壓所需的時間
(B)由高準位電壓下降至70%的高準位電壓所需的時間
(C)由90%的高準位電壓下降至10%的高準位電壓所需的時間
(D)由80%的高準位電壓下降至20%的高準位電壓所需的時間。
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36. 如圖所示電路,A與B為輸入,v
o
為輸出,於正邏輯系統中,其功能為何?
(A)AND閘
(B)OR閘
(C)NAND閘
(D)NOR閘。
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37. 下列為一被動式濾波器(Passive filter),試研判此電路是何種濾波器?
(A)低通濾波器
(B)高通濾波器
(C)帶通濾波器
(D)帶拒濾波器。
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38. 下列何者為全通(All Pass)被動濾波器的主要功用之一?
(A)放大訊號
(B)去除雜訊
(C)類比訊號轉換為數位訊號
(D)提供相位移。
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39. 如圖所示之電路,假設BJT電晶體操作在順向主動區,忽略爾利(Early)效應,I
C
=1mA,V
T
=26mV,β=100,
=100fF,
=20fF,且C
CS
=30fF,採用米勒(Miller)趨近法,求於BJT輸入端之極點頻率為何?
(A)516MHz
(B)616MHz
(C)716MHz
(D)816MHz。
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40. 如圖之電路,運算放大器之飽和電壓為±15V,若V
o
之週期為3ms,則R
2
/R
1
為何?
(A)1/10
(B)1/4
(C)1/3
(D)1/2。
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41. 有一商用BJT電晶體元件其三支接腳分別標記為A、B、C,又僅有一具電阻計可利用。試利用此電阻計研判此電晶體之型態與接腳。設此電阻計的(+)端輸出相對於(-)端+1.5V的直流電壓,內有電阻限制最大電流,避免燒毀元件,由通過(+)(-)端兩端點接腳之電流換算求得電阻。今試取任意兩接腳進行導通測試,測量裝置圖與測量結果如下所示。有關此電晶體之型式與接腳之敘述,下列敘述何者最為正確?
(A)此電晶體為NPN型,且接腳A為基極(Base)
(B)此電晶體為NPN型,且接腳C為基極(Base)
(C)此電晶體為PNP型,且接腳A為基極(Base)
(D)此電晶體為PNP型,且接腳C為基極(Base)。
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42. 如圖所示,跨於二極體的電壓V
D
應為:
(A)0.7V
(B)-5V
(C)-7V
(D)-10V。
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43. 如圖中具有負載電阻R的箝位電路中,電容值對於輸出波形的影響為何?
(A)不會有影響
(B)影響直流準位的移動量
(C)影響輸出波形的頻率
(D)電容值愈大,輸出波形愈接近輸入波形。
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44. 齊納(Zener)二極體主要常應用於何種電路?
(A)放大
(B)濾波
(C)整流
(D)穩壓。
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45. 在一般MOSFET元件中,為何閘極電流幾乎為零?
(A)因為有閘絕緣層在通道上方
(B)因為有空乏區在通道上方
(C)因為閘極反偏
(D)因為元件靠電壓驅動。
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46. 下列為一被動式濾波器(Passive filter),試研判此電路是何種濾波器?
(A)低通濾波器
(B)高通濾波器
(C)帶通濾波器
(D)全通濾波器。
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47. 雙極性接面電晶體中,收集多數載子的電極稱為:
(A)源極
(B)基極
(C)集極
(D)閘極。
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48. 對理想二極體之敘述,下列何者錯誤?
(A)順向時視為短路,逆向時視為開路
(B)順向電阻等於零,逆向電阻無限大
(C)順向電壓等於零,逆向電流無限大
(D)無順向電壓降,無逆向電流。
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49. 分析以下之電路,若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g
m
為1mA/V,忽略元件之輸出阻抗r
o
,試求其輸入端等效之偏移電壓(offset voltage)|?V
os
?|=?
(A)1mV
(B)2mV
(C)10mV
(D)20mV。
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50. 今欲設計二極體整流電路使v
O
產生負極性的電壓輸出,下列何者正確?
(A)
(B)
(C)
(D)
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