鐵路特考考古題,模擬題庫電子學大意-愛舉手

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

4. 關於韋恩（Wien）振盪器，下列敘述何者正確？

(A)振盪波形為方波 (B)振盪波形為三角波 (C)振盪波形為單一脈波 (D)振盪波形為弦波。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

5. 如圖所示電路主要作用為：

(A)電壓緩衝器（Voltage Buffer） (B)電流放大器（Current Amplifier） (C)轉阻放大器（Transresistance Amplifier） (D)截波電路（Limiter Circuit）。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

6. 有一個N通道增強型MOSFET，Vth＝1.2V，V_GS＝2V，下列工作區域何者錯誤？

(A)當V_DS＝0.4V，電晶體處在飽和區 (B)當V_DS＝1V，電晶體處在飽和區 (C)當V_DS＝1.5V，電晶體處在飽和區 (D)當V_DS＝5V，電晶體處在飽和區。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

7. 對理想二極體之敘述，下列何者錯誤？

(A)順向時視為短路，逆向時視為開路 (B)順向電阻等於零，逆向電阻無限大 (C)順向電壓等於零，逆向電流無限大 (D)無順向電壓降，無逆向電流。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

8. 如圖所示電路，假設電晶體M的輸出電阻及輸出電容可忽略不計，請問此電路具有何種濾波特性？

(A)低通 (B)高通 (C)帶通 (D)全通。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

9. 某單一增益運算放大器的電壓轉換率（Slew rate）為0.628V/μs，當輸入電壓振幅為5V之正弦波時，其最大不失真的輸入頻率為何？

(A)1kHz (B)2kHz (C)10kHz (D)20kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

10. 分析以下之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g_m為1mA/V，元件之輸出阻抗r_o皆為10kΩ，試求V_o/V_i約為多少？

(A)10 (B)7.5 (C)25/6 (D)25/11。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

11. 一個差動放大器，若V_＋＝＋10mV而V_－＝－10mV，那差動輸入電壓（differential-mode input voltage）為：

(A)0mV (B)＋10mV (C)＋20mV (D)－30mV。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

12. 關於MOSFET電晶體之輸出阻抗，下列敘述何者錯誤？

(A)相同電流且寬長比（W/L）相同之條件下，通道長度越長輸出阻抗越大 (B)固定元件尺寸之條件下，電流越大輸出阻抗越大 (C)電晶體操作在飽和區（saturation）時之輸出阻抗較操作在三極管區（triode region）時之輸出阻抗大 (D)輸出阻抗是由於通道調變效應所造成。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

13. 如圖所示一放大器，外接電容為C_C1、C_C2和C_S，MOSFET的寄生電容為Cgs和Cgd。有關此放大器電路在中頻的增益（Mid-band gain），下列敘述何者正確？

(A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受MOSFET寄生電容的影響 (C)受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度均相同 (D)均不受外接電容與MOSFET寄生電容的影響。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

14. 分析如圖之電路，若MOSFET之轉導值g_m＝1mA/V且操作於飽和區，元件之輸出阻抗r_o＝10kΩ，R_D＝10kΩ，R_G＝10kΩ，試求V_o/I_i＝？

(A)－90/11 (B)－10 (C)－15/2 (D)－25/3。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

15. 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設PMOS、NMOS的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已知此電路的轉移特性（Voltage transfer characteristic）曲線如右圖所示，試研判在曲線A點兩電晶體MP1、MN1的工作狀態。

(A)電晶體MP1的工作狀態為截止（Cut-off）區、電晶體MN1的工作狀態為截止（Cut-off）區 (B)電晶體MP1的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體MN1的工作狀態為截止（Cut-off）區 (C)電晶體MP1的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體MN1的工作狀態為飽和（Saturation）區 (D)電晶體MP1的工作狀態為飽和（Saturation）區、電晶體MN1的工作狀態為飽和（Saturation）區。