鐵路特考考古題 105年電子學大意

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1. 某一內部補償的運算放大器，其直流開迴路增益為100dB，單一增益頻寬（Unity-gain Bandwidth）為2MHz，求頻率在2kHz時的開迴路增益？

(A)10dB (B)20dB (C)30dB (D)60dB。

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2. 一運算放大器其增益為3×10⁵，直流供應電壓為±12V，最大輸出電壓變化範圍為±11.5V，當其正輸入端與負輸入端電壓分別為50μV和90μV，其輸出電壓為何？

(A)11.5V (B)－11.5V (C)12V (D)－12V。

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3. 某單一增益運算放大器的電壓轉換率（Slew rate）為0.628V/μs，當輸入電壓振幅為5V之正弦波時，其最大不失真的輸入頻率為何？

(A)1kHz (B)2kHz (C)10kHz (D)20kHz。

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4. 圖中邏輯電路的輸出信號Y為何？

(A)Y＝A＋B＋C＋D (B)Y＝ABCD (C)Y＝（A＋B）（C＋D） (D)Y＝

。

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5. 若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為β，下列何項敘述正確？

(A)β定義為I_B/I_C (B)相同電路之下，β較小的電晶體較易飽和 (C)β值大小與溫度無關 (D)工作在飽和區（Saturation Region）的電流放大率小於β。

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6. 關於P-N接面二極體崩潰電壓之敘述，下列何者錯誤？

(A)逆向崩潰電壓較順向導通電壓為大 (B)PN區域雜質濃度越高，若發生稽納式崩潰（Zener breakdown）時，崩潰電壓越大 (C)溫度越高，若發生雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）時，崩潰電壓越大 (D)雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓較稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓為大。

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7. 如圖所示之電路為何種濾波器？

(A)低通 (B)帶通 (C)高通 (D)全通。

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8. 將砷（As）元素經熱擴散摻進純矽晶體中且取代矽原子，此矽晶體將成為何種摻雜型式半導體？

(A)正(P)型 (B)負(N)型 (C)以上皆有可能 (D)無法確定。

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9. 圖中理想二極體電路輸入正弦波訊號的峰值為V_m，請問在那兩個端點間可得到4V_m的輸出？

(A)A、B端點 (B)A、C端點 (C)F、E端點 (D)F、D端點。

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10. 如圖所示，跨於二極體的電壓V_D應為：

(A)0.7V (B)－5V (C)－7V (D)－10V。

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11. 如圖所示之電路，二極體為理想。其電源電壓v_s為一交流弦波，大小為110Vrms，頻率為60Hz，R＝25Ω，則i_o之均方根值（rms）為何？

(A)2.11A (B)3.11A (C)4.11A (D)5.11A。

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12. 圖中為一由兩個5.7V稽納（Zener）二極體所構成的截波電路，其順偏時的電壓為0.7V，請問輸入波形被截波的電壓為何？

(A)±1.4V (B)±5V (C)±6.4V (D)±11.4V。

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13. 圖示整流電路，輸入v_I為弦波，若二極體D的導通角度變大，下列敘述何者為其可能原因？

(A)v_I的週期變大 (B)v_I的峰值電壓變大 (C)電容值C變大 (D)電阻值R變大。

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14. 如圖電路，稽納二極體的V_z＝5V，電源V＝10V，R＝2kΩ，則R_L的最小值R_Lmin約為多大？

(A)1kΩ (B)2kΩ (C)3kΩ (D)4kΩ。

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15. 如圖電路，設二極體為理想二極體。I＝1mA，E＝10V，R＝10kΩ，則流經二極體之電流I_D為多大？

(A)0mA (B)0.5mA (C)1mA (D)2mA。

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16. 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之g_m＝0.5mA/V，V_A＝∞，R_D＝5kΩ，則此放大器的電壓增益|?Av?|為：

(A)0 (B)2V/V (C)2.5V/V (D)∞。

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17. 關於下列之放大器，若電晶體操作於飽和區，且電流源為理想，下列敘述何者錯誤？

(A)I_bias增加，若電晶體維持操作於飽和區，則其電壓增益越大 (B)Cs＝0則其電壓增益為0 (C)若W/L減少則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region） (D)若R_D增加則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region）。

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18. 如圖的放大器（其偏壓電路未示），若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o，則此放大器的電壓增益約為何？

(A)－g_mR_C (B)－g_m(R_C//r_o) (C)－R_C/R_E (D)－r_o/R_E。

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19. 雙極性接面電晶體中，下列何種電路組態其小訊號輸入阻抗為最大？

(A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態。

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20. 若要使一操作於飽和區的MOS電晶體的轉導值增為2倍，可藉由下列的何種方式改變汲極電流I_D來達成？

(A)將I_D增為4倍 (B)將I_D增為2倍 (C)將I_D增為

倍 (D)將I_D減半。

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21. 有關BJT雙極性接面電晶體與FET場效電晶體的一般特性比較，下列何者錯誤？

(A)BJT的轉導（Transconductance）g_m比FET的轉導大 (B)BJT的輸出電阻r_o比FET的輸出電阻小 (C)BJT的本質增益（Intrinsic Gain）A₀比FET的本質增益大 (D)BJT的輸入阻抗R_i比FET的輸入阻抗小。

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22. 如圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（g_m）為1mA/V，輸出阻抗（r_o）為10kΩ，試求V_o/V_i＝？

(A)－2.5 (B)－5 (C)－10 (D)－20。

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23. 圖示電路，若電晶體β＝100，V_BE(on)＝0.7V，電流I_C約為若干mA？

(A)0.2 (B)0.4 (C)0.7 (D)1.3。

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24. P通道空乏型MOSFET閘極加上正電壓時，其通道導通程度會：

(A)減小 (B)加大 (C)無影響 (D)不一定。

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25. 如圖電路，設電晶體的β＝100，V_BE＝0.7V，則I_C電流約為：

(A)19.6mA (B)9.3mA (C)0.1mA (D)0mA。

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26. 圖示放大器電路中的電阻R_e主要功用為何？

(A)降低輸出阻抗 (B)提升電壓增益 (C)提高輸入訊號的線性放大範圍 (D)頻率補償。

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27. 在BJT的小訊號參數中，下列那一個關係式錯誤？

(A)r_e＝V_T/I_E (B)

＝V_T/I_B (C)g_m＝I_C/V_T (D)r_o＝V_T/I_C。

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28. 如圖所示之電路，假設BJT電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應，I_C＝1mA，V_T＝26mV，β＝100，＝100fF，＝20fF，且C_CS＝30fF，採用米勒（Miller）趨近法，求於BJT輸入端之極點頻率為何？

(A)516MHz (B)616MHz (C)716MHz (D)816MHz。

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29. 如圖所示之電路，若忽略元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？

(A)該電路為高通放大器 (B)增加I_b有助於降低低頻－3dB頻率（

） (C)C_c增加有助於降低低頻－3dB頻率（

） (D)該電路為同相放大器。

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30. 如圖所示之理想運算放大器電路，＝，求為何？

(A)10kHz (B)50kHz (C)100kHz (D)200kHz。

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31. 非反向運算放大器電路具有增益40dB，其3dB頻率為25kHz，將其應用在某特殊系統中，若此系統需要50kHz的頻寬，在此情況下能夠達到的最大增益為何？

(A)10V/V (B)20V/V (C)50V/V (D)100V/V。

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32. 關於CC-CC放大器的特性，下列何者正確？

(A)低輸入阻抗 (B)高輸出阻抗 (C)高電壓增益 (D)高電流增益。

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33. 若增加差動放大器中之射極電阻，則：

(A)A_cm增加 (B)A_cm不變 (C)CMRR值增加 (D)CMRR值減少。

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34. 圖示差動放大器，若電晶體Q₁與Q₂的特性相同，Q₃與Q₄的特性相同，且其轉導（Transconductance）g_m皆為2mA/V、輸出電阻r_o皆為20kΩ，則差模電壓增益A_d＝v_o/v_id＝？

(A)－20 (B)－10 (C)10 (D)20。

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35. 有一電路的轉移函數T(s)＝，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency）時，頻率與|?T(s)?| 的變化關係，下列何者正確？

(A)頻率每增大十倍，|?T(s)?|減少10dB (B)頻率每增大十倍，|?T(s)?|減少20dB (C)頻率每增大二倍，|?T(s)?|減少10dB (D)頻率每增大二倍，|?T(s)?|減少20dB。

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36. 下圖由5個NOT閘組成之環形振盪器，若每一個NOT閘的延遲時間（Delay Time）為2ns，則此電路之振盪頻率為多少？

(A)25MHz (B)50MHz (C)100MHz (D)125MHz。

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37. 一個兩級串接放大器電路，其第一級放大器之低3分貝頻率（Lower3dBFrequency）與高3分貝頻率（Upper 3dB Frequency）分別為1kHz與1MHz。電路中第二級放大器之低3分貝頻率（Lower 3dB Frequency）與高3分貝頻率（Upper 3dB Frequency）分別為10kHz與2MHz。則此放大器之頻寬約為：

(A)990kHz (B)999kHz (C)1990kHz (D)1999kHz。

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38. 關於韋恩（Wien）振盪器，下列敘述何者正確？

(A)振盪波形為方波 (B)振盪波形為三角波 (C)振盪波形為單一脈波 (D)振盪波形為弦波。

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39. 圖示放大器中所有電晶體特性完全相同且匹配，所有電晶體的|?V_A?|＝2V，過驅電壓（Overdrive voltage）|?V_OV?|＝|?V_GS－V_t?|＝0.2V，工作電流I_D皆為0.2mA，則輸出阻抗R_o約為若干kΩ？

(A)50 (B)100 (C)150 (D)200。

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40. 下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？

(A)低通濾波器 (B)高通濾波器 (C)帶通濾波器 (D)帶拒濾波器。

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