臺灣菸酒考古題,105年電子學-愛舉手

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1. 一晶片上有8000個元件，依積體電路之分類，該晶片應屬哪一類？

(A)小型積體電路SSI (B)中型積體電路MSI (C)大型積體電路LSI (D)超大型積體電路VLSI。

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2. 有關材料基本性質之敘述，下列何者錯誤？

(A)原子核最外層的電子稱為價電子 (B)自由電子存在於物質的傳導帶中 (C)導體材料的傳導帶與價電帶重疊 (D)溫度越高矽半導體的導電性越差。

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3. 在常溫下，欲將矽晶體共價鍵中的電子釋放出來，所需能量為何？

(A)0.72eV (B)0.78eV (C)1.12eV (D)1.21eV。

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4. 將本質半導體摻雜微量砷元素後，其半導體材料之類型及電性為何？

(A)P型半導體、帶正電 (B)P型半導體、電中性 (C)N型半導體、帶負電 (D)N型半導體、電中性。

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5. 有關二極體特性之敘述，下列何者錯誤？

(A)二極體逆向偏壓越大，則逆向飽和電流也越大 (B)二極體內空乏區電場方向是由N型指向P型 (C)二極體擴散電流是由載子濃度不均所形成 (D)二極體漂移電流是由電位差所形成。

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6. 如【圖6】所示之二極體電路V_D＝0.6V，求V_o為多少？

(A)2.2V (B)2.4V (C)2.5V (D)3V。

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7. 如【圖7】所示之電路，二極體為理想二極體，求I為多少？

(A)2.5mA (B)3.33mA (C)4.0mA (D)5.83mA。

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8. 如【圖8】所示之整流電路，輸入電壓110V/60Hz，電阻兩端輸出漣波電壓有效值約為多少？

(A)3.08V (B)3.85V (C)4.36V (D)5.44V。　　　　

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9. 如【圖9】所示之穩壓電路，稽納二極體最大工作電流為15mA，在電路正常工作的條件下，求輸入電壓的範圍為多少？

(A)10V～25V (B)10V～30V (C)15V～25V (D)15V～30V。

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10. 如【圖10】所示之濾波電路，求輸出漣波因數約為多少？

(A)1.2% (B)2.4% (C)3.6% (D)4.8%。　　　

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11. 有關電晶體組態的敘述，下列何者錯誤？

(A)共基極（CB）組態的電流增益小於1 (B)共集極（CC）組態的電壓增益小於1 (C)共集極（CC）組態的輸出阻抗最低 (D)共射極（CE）組態的輸入信號與輸出信號相位相同。

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12. 電晶體的漏電流I_CBO與I_CEO的關係為何？

(A)I_CBO＝αI_CEO (B)I_CBO＝（1－α）I_CEO (C)I_CBO＝βI_CEO (D)I_CBO＝（1＋β）I_CEO。

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13. 如【圖13】所示之倍壓電路，輸入電壓V_s＝10sin（200πt）V，當t＝4mS時，求V_o兩端輸出電壓為何？

(A)10V (B)15V (C)17.07V (D)20V。

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14. 如【圖14】所示之截波電路，已知稽納二極體非理想且崩潰電壓ZD₁＝6V、ZD₂＝4V，若輸入電壓V_i＝10sin（ωt）V，則輸出電壓V_o上下限為何？

(A)3.3V～－5.3V (B)3.3V～－6.7V (C)4.7V～－5.3V (D)4.7V～－6.7V。

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15. 如【圖15】所示之截波電路，稽納二極體為理想，崩潰電壓ZD₁＝8V、ZD₂＝5V，若輸入電壓V_i＝12sin（ωt）V，則輸出電壓V_o上下限為何？

(A)8V～－5V (B)7V～－4V (C)5V～－8V (D)4V～－7V。

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16. 如【圖16】之箝位電路，若輸入電壓V_i為2.5V峰值，頻率為1KHz之方波，則輸出電壓V_o上下限為何？

(A)－2.5V～2.5V (B)0V～5V (C)2.5V～5V (D)2.5V～7.5V。

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17. PNP型電晶體位於工作區，則電晶體三端（E、B、C）之電壓大小關係為何？

(A)V_B＞V_E＞V_C (B)V_C＞V_B＞V_E (C)V_E＞V_C＞V_B (D)V_E＞V_B＞V_C。

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18. 在共射極組態下，若電晶體的β＝50、I_B＝20uA、I_CBO＝5uA，在考慮漏電流的情況下，求I_C電流為多少？

(A)1005uA (B)1250uA (C)1255uA (D)1275uA。

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19. 如【圖19】所示之電晶體電路，求V_E電壓約為多少？

(A)2.01V (B)2.96V (C)3.44V (D)4.7V。

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20. 如【圖20】所示之電晶體電路，求I_C電流約為多少？

(A)1.6mA (B)2mA (C)2.4mA (D)3mA。

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21. 如【圖21】所示之電晶體電路，下列敘述何者錯誤？

(A)電路為集極回授式偏壓電路 (B)電路回授形式為電壓並聯負回授 (C)電路透過負回授能提高電路的穩定度 (D)電路透過負回授能提高電路的輸入阻抗。

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22. 如【圖22】所示之電晶體電路，求電流增益A_i約為多少？

(A)60 (B)75 (C)120 (D)150。

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23. 如【圖23】所示之電晶體電路，已知I_E＝1mA，求輸入阻抗R_i約為多少？

(A)12.5Ω (B)16.7Ω (C)25Ω (D)50Ω。

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24. 如【圖24】所示之疊接電路，求電壓增益A_v約為多少？

(A)－75 (B)75 (C)－150 (D)150。

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25. 有關達寧頓電路特性的敘述，下列何者錯誤？

(A)高輸入阻抗 (B)低輸出阻抗 (C)高電壓增益 (D)高電流增益。

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26. 已知放大器功率增益為50dB，若電壓增益為100倍，則放大器電流增益為多少分貝（dB）？

(A)30dB (B)40dB (C)50dB (D)60dB。

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27. 某放大器連接至600Ω負載，若在負載兩端量測到7.75 V_rms，則放大器輸出功率為多少分貝（dBm）？

(A)0dBm (B)10dBm (C)20dBm (D)30dBm。

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28. 有兩放大器之頻率響應分別為10～10KHz與100～20KHz，若將兩放大器串接後使用，則串接後放大器的頻率響應範圍為何？

(A)10～10KHz (B)10～20KHz (C)100～10KHz (D)100～20KHz。

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29. 有關放大器之敘述，下列何者錯誤？

(A)A類放大：工作點位於負載線中央，失真最低，主要用於線性放大 (B)B類放大：工作點位於截止區，若採推挽式架構，可消除偶次諧波，主要用於功率放大 (C)AB類放大：工作點略高於截止區，可改善B類放大交越失真的現象 (D)C類放大：工作點位於截止區之下，效率最高，主要用於音頻放大。

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30. 某A類放大器工作電壓20V、消耗電流1A，則該放大器輸出最大交流功率為多少？

(A)5W (B)10W (C)15.7W (D)20W。

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31. 下列場效電晶體FET優於接面電晶體BJT之敘述，何者錯誤？

(A)高輸入阻抗 (B)低雜訊高頻寬 (C)熱穩定度佳 (D)無抵補電壓。

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32. 欲使場效電晶體做線性放大時，電晶體需工作在何處？

(A)夾止飽和區 (B)三極體區 (C)截止區 (D)歐姆區。

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33. 如【圖33】所示之電晶體電路，已知V_p＝－4V、I_DSS＝8mA，求I_D電流為多少？

(A)0.5mA (B)1mA (C)2mA (D)4mA。

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34. 如【圖34】所示之電晶體電路，已知V_T＝3V、K＝0.5mA/V²，求g_m為多少？

(A)0.5mS (B)1mS (C)1.5mS (D)2mS。

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35. 如【圖35】所示之電晶體電路，求V_o為多少？

(A)4V (B)4.5V (C)5V (D)6V。

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36. 如【圖36】所示之電晶體電路，求電壓增益A_v約為多少？

(A)－1.6 (B)－2.4 (C)－4.8 (D)－8。

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37. 如【圖37】所示之電晶體電路，求輸出阻抗R_o約為多少？

(A)600Ω (B)750Ω (C)1KΩ (D)1.5KΩ。

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38. 有關理想運算放大器之敘述，下列何者錯誤？

(A)輸入阻抗（R_i）等於無窮大 (B)輸出阻抗（R_o）等於零 (C)開迴路增益（A_vo）等於無窮大 (D)共模拒斥比（CMRR）等於零。

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39. 下列條件何者符合巴克豪生準則？

(A)A＝－5∠－30°、β＝－0.5∠30° (B)A＝－10∠－30°、β＝0.1∠－60° (C)A＝10∠60°、β＝－0.1∠120° (D)A＝20∠60°、β＝0.2∠－60°

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40. 如【圖40】所示之振盪電路，求輸出週期T_o約為多少？

(A)21mS (B)28mS (C)35mS (D)42mS。

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41. 如【圖41】所示之OPA電路，已知V_s＝2V，求輸出電壓V_o為多少？

(A)－4V (B)－8V (C)－12V (D)－13V。

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42. 如【圖42】所示之運算放大器電路，為何種形式之負回授？

(A)電壓串聯負回授 (B)電壓並聯負回授 (C)電流串聯負回授 (D)電流並聯負回授。

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43. 如【圖43】所示之運算放大器電路，已知V₁＝3V、V₂＝－2V，求輸出電壓V_o為多少？

(A)4V (B)6V (C)8V (D)10V。

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44. 如【圖44】所示之運算放大器電路，求電壓增益V_o/V_i為多少？

(A)－5 (B)－7 (C)－10 (D)－13。

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45. 如【圖45】所示之OPA電路，求輸出電壓V_o為多少？

(A)2V (B)3.5V (C)4V (D)5V。

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46. 如【圖46】所示之OPA電路，求電壓增益V_o/V_s為多少？

(A)3 (B)4 (C)6 (D)7。

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47. 如【圖47】所示之運算放大器電路，若運算放大器的飽和電壓為±12V，求上臨界電壓V_UT及下臨界電壓V_LT？

(A)V_UT＝2.4V、V_LT＝－2.4V (B)V_UT＝3V、V_LT＝－1.8V (C)V_UT＝4V、V_LT＝－0.8V (D)V_UT＝4.4V、V_LT＝－0.4V。

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48. 如【圖48】所示之RC相移振盪電路，求振盪頻率f_o為何？

(A)f_o＝

(B)f_o＝

(C)f_o＝

(D)f_o＝

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49. 如【圖49】所示之韋恩振盪電路，下列敘述何者錯誤？

(A)回授量β＝

(B)電壓增益A＝

(C)振盪頻率f_o＝

(D)振盪電路輸出為弦波形式。

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50. 如【圖50】所示之振盪電路，為何種形式振盪器？

(A)哈特萊振盪器 (B)考畢子振盪器 (C)韋恩振盪器 (D)無穩態多諧振盪器。

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