台電公司考古題,106年電子學-愛舉手

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6. 下列何者為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的？　

(A)決定電晶體的α值　 (B)決定電晶體的工作溫度　 (C)決定電晶體的β值　 (D)決定電晶體的工作點（operating point）。

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7. 如圖所示電路，Q₁與Q₂為匹配之電晶體（β₁＝β₂＝β），且皆操作於作用區（active region），請問為下列哪個選項？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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8. 當一輸出額定值為40W的放大器被接到一個10Ω的揚聲器上，若放大器之功率增益為20dB，試求在全功率輸出時，輸入功率應為多少？　

(A)500mW　 (B)400mW　 (C)300mW　 (D)200mW。

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9. 有一N通道增強型MOSFET的臨界電壓V_T＝2V，當V_GS＝5V時，MOSFET工作於飽和區（夾止區），且I_D＝3mA。若V_GS＝8V，則轉移電導g_m為何？　

(A)1mS　 (B)2mS　 (C)4mS　 (D)6mS。

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10. 如圖所示電路，已知g_m＝5mS，r_d＝20kΩ，則V_o為何？
　

(A)－10mV　 (B)10mV　 (C)－20mV　 (D)20mV。

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11. 如圖所示電路，若Q₁與Q₂完全相同，則V_o的週期約為多少？
　

(A)2.1 R_C　 (B)2 R_C　 (C)1.4 R_C　 (D)0.7 R_C。

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12. 如圖所示電路，為＿＿濾波電路，其截止頻率為＿＿，請問空格處應填入下列哪組選項？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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13. 運算放大器若利用R_C相移電路產生振盪，則此R_C電路必須提供的相位移為何？　

(A)90˚ (B)180˚ (C)270˚ (D)360˚。

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14. 有一只PN矽質二極體之溫度為25˚C時，其順向電壓為0.7V，則當溫度上升到多少˚C時，其順向電壓為0.5V？　

(A)105　 (B)125　 (C)145　 (D)165。

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15. 如圖所示電路，其I-V特性曲線為下列何者？　

(A)

　　 (B)

　 (C)

　　 (D)

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16. 若有一共射極組態電晶體之α值由0.98變至0.99，則β值變化為何？　

(A)由99變為49　 (B)由88變為49　 (C)由49變為88　 (D)由49變為99。

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17. 有關電晶體的結構與特性，下列敘述何者有誤？　

(A)NPN電晶體少數載子為電洞　 (B)含雜值比例是射極多於集極　 (C)含雜值比例是基極多於集極　 (D)PNP電晶體的射極內，電子為多數載子。　

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18. 如右圖所示之LED驅動電路，使LED發亮的電壓為2V，電流為15mA，假設飽和電晶體之V_CE(sat)電壓降可忽略不計，V_BE(sat)＝0.8V，試求R_B、R_C的適當電阻值為何？
　

(A)15kΩ、100Ω　 (B)15kΩ、200Ω　 (C)25kΩ、100Ω　 (D)25kΩ、200Ω。

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19. 如右圖所示之放大電路，已知電晶體的β值為109，此電路的r_π為1.1kΩ，則此放大電路的輸出阻抗Z_o約為多少？
　

(A)1kΩ　 (B)100Ω　 (C)9.9Ω　 (D)0.99Ω。

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20. 有一電路之電流增益A_i＝49，輸入阻抗為2kΩ，輸出阻抗為18kΩ，則此電路之電壓增益為何？　

(A)69　 (B)245　 (C)441　 (D)521。

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21. 有一個N通道JFET，若I_DSS＝12mA，V_GS(OFF)＝V_P＝－4V，則V_GS＝－2V時的I_D電流值為何？　

(A)6mA　 (B)3mA　 (C)2mA　 (D)0mA。

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22. 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓V_T＝－2V，假設其閘極（gate）接地而源極（source）接至＋5V，欲使此元件操作在飽和區（saturation region），則汲極（drain）之最高電壓為何？　

(A)7V　 (B)5V　 (C)3V　 (D)2V。

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23. 下列由理想運算放大器（OPA）所製作的應用電路中，哪一種電路中之OPA的輸入端不可看成虛短路？　

(A)比較器　 (B)非反相放大器　 (C)反相放大器　 (D)微分器。

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24. 有一差動放大器，其兩輸入電壓分別為V_i1＝55μV，V _i2＝45μV，共模拒斥比CMRR（dB）＝40dB，差模增益A _d＝500，則下列何者正確？　

(A)共模增益A_c＝10　 (B)差模輸入電壓V_d＝5μV　 (C)共模輸入電壓V_C＝100μV　 (D)輸出電壓V_o＝5.25mV。

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25. 有關理想運算放大器的特性，下列敘述何者有誤？　

(A)輸出阻抗無限大　 (B)有虛擬接地現象　 (C)輸入阻抗無限大　 (D)開迴路電壓增益無限大。

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26. 類比式交流電壓表所量測的交流電壓值為下列何者？　

(A)平均值　 (B)最大值　 (C)有效值　 (D)波形與頻率。

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27. 下列何者不是二極體常見的功用？　

(A)整流　 (B)截波　 (C)濾波　 (D)保護。

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28. 稽納二極體（Zener Diode）常應用於下列何種電路？　

(A)穩壓電路　 (B)微分電路　 (C)濾波電路　 (D)放大電路。

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29. 如圖所示，V_i＝20V，稽納二極體（Zener Diode）的崩潰電壓V_z＝10V，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，則輸出電壓值V_o為何？
　

(A)5V　 (B)10V　 (C)13V　 (D)20V。

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30. 如圖所示，V_i＝20V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_z＝8V，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，則此稽納二極體（Zener Diode）所消耗之功率為多少？
　

(A)64mW　 (B)24mW　 (C)16mW　 (D)趨近0W。

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31. 如圖所示，V_i＝10V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_z＝8V，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，則此稽納二極體（Zener Diode）所消耗之功率為多少？
　

(A)64mW　 (B)24mW　 (C)16mW　 (D)趨近0W。

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32. 有一電晶體，適當偏壓於作用區，測得I_B＝0.05mA，I_E＝5mA，則此電晶體的α值為多少？　

(A)0.01　 (B)0.99　 (C)9.9　 (D)100。

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33. 下列何種電路不具備電流放大的功能？　

(A)共基極放大電路　 (B)共射極放大電路　 (C)共集極放大電路　 (D)達靈頓電路。

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34. 下列何種BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高？　

(A)共閘極組態　 (B)共集極組態　 (C)共基極組態　 (D)共射極組態。

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35. 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點（operating point）落在下列哪種區域內，可獲得較佳之放大倍率？　

(A)作用區（active region）內　 (B)反向作用區（reversed, active region）內　 (C)截止區（cut-off region）內　 (D)飽和區（saturation region）內。

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36. 如圖所示電路，電晶體的β＝100，集極電流為2mA，V_CE＝4V，R_C兩端之電壓為4V，V_BE＝0.7V，則R_E之電阻值約為多少？
　

(A)0.2kΩ　 (B)2kΩ　 (C)20kΩ　 (D)200kΩ。

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37. 如右圖所示電路，電晶體的β＝120，V_CE(sat)＝0.2V，V_BE(act)＝V_BE(sat)＝0.7V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_Z＝5.6V，當V_i＝2V，V_o約為多少？
　

(A)2.8V　 (B)5.6V　 (C)6.3V　 (D)7.3V。

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38. 如圖所示電路，電晶體的β＝120，V_CE(sat)＝0.2V，V_BE(act)＝V_BE(sat)＝0.7V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_Z＝5.6V，當V_i＝3V，V_o約為多少？
　

(A)2.8V　 (B)4.3V　 (C)5.6V　 (D)7.3V。

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39. 如圖所示電路，電晶體的β＝120，V_CE(sat)＝0.2V，V_BE(act)＝V_BE(sat)＝0.7V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_Z＝5.6V，當V_i＝3V時，電流I約為多少？
　

(A)5.3mA　 (B)5.17mA　 (C)4.9mA　 (D)0mA。

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40. 對於達靈頓（Darlington）電路特徵的敘述，下列何者有誤？　

(A)電壓增益高　 (B)輸入阻抗高　 (C)電流增益高　 (D)輸出阻抗低。

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41. 已知一放大電路電壓增益A_V為100，電流增益A_i為10，則其功率增益A_P (dB)為多少？　

(A)10dB　 (B)30dB　 (C)60dB　 (D)1000dB。

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42. 下圖所示CMOS反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示(a)之弦波，則輸出之信號V_o應為下列何者？
　

(A)同頻率之脈波　 (B)16倍頻率之脈波　 (C)同頻率之弦波　 (D)16倍頻率之弦波。

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43. 下圖所示CMOS反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示(b)之方波，則輸出之信號V_o應為下列何者？
　

(A)同頻率反相之方波　 (B)16倍頻率反相之方波　 (C)同頻率同相之方波　 (D)16倍頻率同相之方波。

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44. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數g_m＝1.5m℧，r_d＝10kΩ，已知電路中不存在源極電阻R_S，而汲極電阻R_D＝10kΩ，請問該電路之電壓增益A_V為何？　

(A)－30　 (B)－18.75　 (C)－7.5　 (D)－5。

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45. 下列敘述，何者有誤？　

(A)MOSFET電晶體為單極性（unipolar）電晶體　 (B)BJT電晶體為雙極性（bipolar）電晶體　 (C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小　 (D)MOSFET電晶體為一種電流控制元件。

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46. 如圖所示電路，此電路功能為下列何種濾波器？
　

(A)帶拒濾波器　 (B)帶通濾波器　 (C)高通濾波器　 (D)低通濾波器。

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