國營事業考古題,104年 1.電路學2.電子學-愛舉手

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1. 下列有關理想的R、L、C三元件串聯電路之敘述，何者有誤？　

(A)發生諧振現象時，電路的阻抗值最小　 (B)發生諧振現象之頻率與電阻R無關　 (C)電阻R越大，品質因數越高　 (D)不一定為低通濾波器。

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2. 下列有關對稱函數的傅立葉級數展開之敘述，何者有誤？　

(A)偶對稱函數不存在正弦波成分　 (B)四分之一波對稱函數僅存在偶次諧波成分　 (C)奇對稱函數不存在餘弦波成分　 (D)半波對稱函數僅存在奇次諧波成分。

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3. 請求出電壓v(t)＝10cos（10t＋30˚）的振盪週期T，及與電流i(t)＝－5sin（10t－70˚）間的相位關係為何？　

(A)π/5，電壓領先電流10˚　 (B)π/5，電流領先電壓10˚　 (C)π/10，電壓領先電流100˚ (D)π/10，電流領先電壓100˚。

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4. 下列有關平衡三相系統之敘述，何者正確？　

(A)Δ型接法，相電壓是線電壓的

倍　 (B)Δ型接法，相電流是線電流的

倍　 (C)Y型接法，相電壓與線電壓相等　 (D)Y型接法，相電流與線電流相等。

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5. 有一單埠電路，其諾頓等效電流源為4安培，戴維寧等效電壓源為16伏特，請問其諾頓與戴維寧等效電阻各為何？　

(A)同為

　 (B)同為4Ω　 (C)

與4Ω　 (D)4Ω與

。

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6. 有一正相序平衡三相電壓源，線電壓V_ab＝∠30˚V，經由每相線路阻抗為1＋j0.5Ω的傳輸線，傳送電力到單相阻抗值為9＋j7.5Ω的平衡Δ接負載，請問a相的線電流I_a為何？　

(A)10∠－6.87˚A　 (B)10∠－36.87˚A　 (C)

∠－36.87˚A　 (D)

∠－6.87˚A。

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7. 求F(s)＝的逆拉普拉斯轉換為何？　

(A)－3e^－^3t＋2e^－^4t　 (B)－2e^－^3t＋3e^－^4t　 (C)2e^－^3t－3e^－^4t　 (D)3e^－^3t－2e^－^4t。

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8. 有一個RL串聯低通濾波器的截止頻率為4kHz，假設電阻R＝10kΩ，求電感L及24kHz時的︱H(jω)︱為何？　

(A)0.40H，0.164　 (B)0.40H，0.707　 (C)2.50H，0.164　 (D)2.50H，0.707。

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9. 設平衡三相Y形電路的相電壓V_BN為220∠－150˚V，而且為正相序，求線電壓V_BC值為何？　

(A)311.13∠－120˚V　 (B)311.13∠－180˚V　 (C)381.05∠－120˚V　 (D)381.05∠－180˚V。

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10. 如下圖所示電路，節點電壓V_c為何？
　

(A)14V　 (B)28V　 (C)56V　 (D)112V。

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11. 兩組平衡三相負載接成如下圖所示電路，其中平衡Y接負載之各個單相阻抗Z₁＝3＋j4Ω，而平衡Δ接負載之各個單相阻抗Z₂＝9－j12Ω，則此兩組負載等效成一組三相Y接負載之各單相阻抗值為何？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)5Ω。

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12. 如下圖所示為米勒積分器（Miller Integrator），其中R＝100kΩ、C＝10μF、V＝5V，設電容器初始電壓為0V，t＝0時S接通，當t＝1秒時，V_o電壓為多少？
　

(A)－5V　 (B)－2V　 (C)＋1V　 (D)＋2V。

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13. 下列有關BJT與MOSFET之比較，何者有誤？　

(A)相同直流偏壓電源下，BJT有較高的互導值（gm）　 (B)MOSFET有較大的輸入阻抗　 (C)BJT比MOSFET更適合作為開關使用　 (D)BJT有較大的頻寬。

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14. 關於p-n接面二極體（p-n junction diode）之敘述，下列何者有誤？　

(A)開路狀態下空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度低的一邊　 (B)順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係　 (C)逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大　 (D)多數載子之移動形成擴散電流。

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15. 一個齊納二極體（Zener Diode）於25˚C時，V_Z＝6.8V，其正溫度係數為0.05%/˚C，求80˚C時V_Z？　

(A)6.855V　 (B)6.987V　 (C)6.834V　 (D)7.252V。

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16. 使用橋式整流器來實現全波整流電路，其輸入電壓為V_peak＝100V、60Hz，輸出電容為100μF，負載為10kΩ，假設二極體為理想二極體，試求漣波電壓V_{r, peak to peak}？　

(A)0.833V　 (B)0.417V　 (C)1.667V　 (D)0.967V。

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17. 對於共基極放大器，下列何者有誤？　

(A)不會受米勒效應（Miller Effect）的影響　 (B)電流增益約為1　 (C)輸入阻抗很小　 (D)輸出阻抗很小。

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18. 如下圖MOSFET電路，| V_t |＝1V、μ_nCox＝20μA/V²、μ_pCox＝10μA/V²，若V₁＝6V、V₂＝2V，則：：為何？（忽略通道長度調變效應）
　

(A)2：1：9　 (B)1：1：9　 (C)2：1：4　 (D)1：1：2。

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19. 下圖使用齊納二極體（Zener Diode）製作穩壓電路，齊納二極體在20mA時，V_z＝12V、r_z＝10Ω，V_S在20V和25V之間變動，I_L在0mA和30mA之間變動，且I_{z, min}＝5mA、I_{z, max}＝80mA，下列敘述何者正確？
　

(A)R值越小，穩壓越好　 (B)R最大值為245Ω　 (C)R最小值為155Ω　 (D)若R＝160Ω，I_L最大變化可導致V_O有0.287V之變化。

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20. 有一放大器電路其轉移函數為，此為何種濾波器？　

(A)帶通濾波器　 (B)帶拒濾波器　 (C)低通濾波器　 (D)高通濾波器。

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21. 下列關於負回授電路之敘述，何者有誤？　

(A)電壓取樣、電流回授可降低輸入阻抗　 (B)迴路增益（Loop Gain）在相位移180˚下，增益小於1，電路才會穩定　 (C)對於單一極點之開迴路放大器，加入電阻性負載後，電路一定穩定　 (D)電流取樣、電壓回授可降低輸出阻抗。

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22. 一增強型NMOS電晶體，V_t0＝2V、＝0.6V、γ＝，求V_SB＝3.5V時，V_t為多少？　

(A)2.5V　 (B)2V　 (C)3V　 (D)2.3V。

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23. 如下圖，A、B、C為邏輯輸入，Y輸出為何？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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24. 設計一個哈特萊振盪器（Hartley Oscillator），振盪頻率為100kHz，電感L₁＝L₂＝0.1mH，則電容C為何？　

(A)25.33nF　 (B)50.66nF　 (C)500nF　 (D)12.67nF。

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25. 在積體電路設計中，盡量避免使用何種元件？　

(A)電晶體　 (B)電阻　 (C)電感　 (D)電容。

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26. 一並聯RL電路在頻率為f₁時阻抗為2.5＋j2.5Ω，在頻率為f₂時阻抗為4＋j2Ω，求其頻率比為何？　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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27. 如下圖所示的兩電路，互為等效電路，以a、b端為第1埠，以c、d端為第2埠，此雙埠網路之Z參數中的Z₂₂為何？
　

(A)5.6Ω　 (B)7.0Ω　 (C)8.4Ω　 (D)11.2Ω。

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28. 如下圖所示電路，有兩個正弦電源，若v₁(t)＝24cos3t V、v₂(t)＝8cos4t V，則電阻器的平均吸收功率為何？
　

(A)4.48W　 (B)8.48W　 (C)12.96W　 (D)17.44W。

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29. 有一平衡三相、Y形連接發電機的每相阻抗為0.1＋j0.6Ω，發電機的內部相電壓為240V，供電給三相Y形的平衡負載，每相的負載阻抗為39＋j28Ω，發電機與負載之間的線路阻抗為0.9＋j1.4Ω，求損耗在線路中的總平均功率為何？　

(A)13.824W　 (B)31.104W　 (C)62.208W　 (D)88.432W。

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30. 如下圖所示，求在ω＝4000rad/s時，使流過電阻器的電流i_R會比電源電流i_S落後45˚，圖中的R值為何？（利用相量圖求解）
　

(A)1/4Ω　 (B)1/3Ω　 (C)3Ω　 (D)4Ω。

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31. 如下圖所示之電路，其轉移函數H(s)＝為何？
　

(A)H(s)＝

　 (B)H(s)＝

　 (C)H(s)＝

　 (D)H(s)＝

。

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32. 如下圖所示之電路，求V_o電壓為何？
　

(A)113V　 (B)133V　 (C)153V　 (D)173V。

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33. 如下圖所示之電路，求電壓v₁為何？
　

(A)21.4－j42.8V　 (B)21.4＋j42.8V　 (C)42.8－j21.4V　 (D)42.8＋j21.4V。

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34. 如下圖所示之電路，負載L₁以0.6的落後功率因數吸收12kW平均功率，負載L₂以0.8的領先功率因數吸收10kVA，求電流i_s為何？
　

(A)20－j10A　 (B)20＋j10A　 (C)80－j40A　 (D)80＋j40A。

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35. 如下圖所示之電路，v_s(t)＝10cos10t V，求電流i(t)為何？
　

(A)－4－0.707cos（10t－45˚）A　 (B)－4－0.707cos（10t＋45˚）A　 (C)－4＋0.707cos（10t－45˚）A　 (D)－4＋0.707cos（10t＋45˚）A。

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36. 如下圖所示電路，電路中的開關已經打開很久，電容器的初始電荷為零，當t＝0的瞬間開關閉合，求t≥0^＋時的i(t)為何？
　

(A)12e^－^200t mA　 (B)12e^－^20t Ma　 (C)48e^－^200t mA　 (D)48e^－^20t mA。

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37. 如下圖所示電路，使得R_L的吸收功率最大的R_L值為何？
　

(A)7.5Ω　 (B)10Ω　 (C)15Ω　 (D)17.5Ω。

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38. 如下圖所示電路中，開關已打開一段很長的時間，在t＝0開關閉合前已達到穩態狀況，求開關閉合後的電感器電流i(t)為何？
　

(A)1－0.5e^－^4tA　 (B)1－0.5e^－^2tA　 (C)2－e^－^4tA　 (D)2－e^－^2tA。

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39. 一個放大器其增益為40∠－35°，若要使此電路振盪，其回授增益為何？　

(A)0.025∠35° (B)0.025∠－55° (C)0.02∠35° (D)0.02∠－55°。

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40. 對於一個放大器，其電壓增益A＝－100，輸入阻抗為10kΩ，使用一電阻R＝100kΩ，跨接在輸入和輸出端，其輸入阻抗變為多少？　

(A)9.1kΩ　 (B)900.9Ω　 (C)990Ω　 (D)101kΩ。

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41. 如下圖電晶體在25°C時，V_BE＝0.7V，β＝50，V_BE對其溫度的變化為－2mV/°C，在125°C時，β＝200，忽略爾利效應（Early Effect），試算125°C時V_o直流偏壓為多少？
　

(A)4.17V　 (B)0.83V　 (C)1.08V　 (D)3.92V。

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42. 設計一B類放大器，輸入為正弦波信號，提供10W平均功率給10Ω負載，則電源±V_CC應選用何者較佳？　

(A)±5V　 (B)±12V　 (C)±20V　 (D)±10V。

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43. 關於下圖電路，R_S＝R₁＝R₂＝R_B、R_A＝2R_B、二極體導通電壓為0.7V，假設A為理想運算放大器，下列何者有誤？
　

(A)V_S＝1V、V_O＝2V　 (B)二極體導通條件為V_S≥2.8V　 (C)V_S＝4V、V_O＝6.73V　 (D)V_S＝3V、V_O＝5.4V。

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44. 有一個一階運算放大器，其直流增益為10⁶，且有一極點於10rad/s，零點為無窮大，使用電阻將其組成非反向放大器，直流增益為10，求非反向放大器之極點為何？　

(A)10rad/s　 (B)10⁵rad/s　 (C)10⁶rad/s　 (D)10²rad/s。

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45. 設計一個低通濾波器如下圖，頻寬為10kHz，R₁＝10kΩ、C₁＝C₂＝1nF，A為理想運算放大器，R₂應為多少？
　

(A)1MΩ　 (B)50.66kΩ　 (C)25.33kΩ　 (D)20.64kΩ。

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46. 下圖為一串串（Series-Series）回授電路A_f＝，R_E＝100Ω、r_π＝2kΩ、gm＝0.04A/V、R₁＝R₂＝10kΩ，忽略爾利效應（Early Effect），下列何者正確？
　

(A)R_inf＝5kΩ　 (B)β＝0.01　 (C)A_f＝0.12　 (D)A＝0.038。

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47. 下列關於開關電容濾波器（The Switched-Capacitor Filter）的敘述，何者有誤？　

(A)需使用不重疊（non-overlapping）的脈波來切換開關　 (B)在積體電路中可以掌握更精確的時間常數　 (C)利用快速切換的電容所等效的電阻，切換頻率越高，電阻越小　 (D)切換脈波頻率需小於輸入信號頻率。

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