國營事業考古題,105年 1.電路學2.電子學-愛舉手

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1. 電流i(t)＝〔5cos（ωt＋36.87˚）＋10cos（ωt－53.13˚）〕A，如改用相量表示為何？　

(A)11.2∠－26.6˚A　 (B)11.2∠－53.2˚A　 (C)22.4∠－26.6˚A　 (D)22.4∠－53.2˚A。

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2. 有一弦波電壓V(t)＝300cos（120πt＋30˚）V，當t＝2.778ms時，電壓值為何？　

(A)0V　 (B)150V　 (C)212V　 (D)260V。

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3. 有一電壓源V(t)＝100＋20cos（3t－20˚）＋10cos（5t＋10˚）＋10cos（7t－30˚）V串聯1Ω電阻，則1Ω電阻所吸收之平均功率為何？　

(A)5300W　 (B)8050W　 (C)10300W　 (D)10525W。

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4. 有一RLC並聯電路，其自然響應V(t)＝sinωt，A為常數，α＞0，ω≠0。有關V(t)敘述，下列何者有誤？　

(A)電壓會在正值、負值間交替　 (B)電壓振盪的幅度呈指數衰減　 (C)α值會影響電壓衰減的速度　 (D)此為臨界阻尼響應。

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5. 有一弦波電壓源連接RLC串聯電路，R＝50Ω，L＝50mH，C＝80μF。欲使電路出現最大電流振幅，則電源角頻率ω值為何？　

(A)200rad/s　 (B)300rad/s　 (C)400rad/s　 (D)500rad/s。

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6. 有一電容器C＝0.5F，其電流i(t)＝6t A。已知t＝0s時，電容器上之電壓為2V，求t＝1s時，儲存於電容器之能量為何？　

(A)8J　 (B)16J　 (C)24J　 (D)32J。

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7. 有一電壓V(t)＝（ωt－10˚）V，連接阻抗Z＝Ω，則其複數功率大小為何？　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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8. 關於RLC串聯諧振之敘述，下列何者有誤？　

(A)電路阻抗最小　 (B)頻寬與品質因數Q成反比　 (C)功率因數為1　 (D)電源頻率大於諧振頻率時，電路呈電容性。

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9. 有一元件之電壓及電流分別為v(t)＝3cos（3t＋20˚）V，i(t)＝－2sin（3t＋30˚）A，則電壓和電流之相位關係為何？　

(A)電壓領先電流10˚ (B)電流領先電壓10˚ (C)電壓領先電流100˚ (D)電流領先電壓100˚。

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10. 一個25μF之電容器兩端加上電壓V(t)＝10sin200t V，則電容阻抗值為何？　

(A)－j100Ω　 (B)－j200Ω　 (C)－j400Ω　 (D)－j600Ω。

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11. 有一電阻R＝2Ω，將其通過i(t)＝4sin（ωt＋30˚）A之電流時，電阻消耗之功率為何？　

(A)8W　 (B)16W　 (C)24W　 (D)32W。

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12. 有一RLC串聯電路，連接一個60Hz，100V之電源。電路之R＝10Ω，X_L＝50Ω，X_C＝－0.5Ω，則此電路之諧振頻率為何？　

(A)6Hz　 (B)12Hz　 (C)18Hz　 (D)24Hz。

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13. 有兩條銅線，銅線A的直徑及長度皆為銅線B的2倍。若在兩條銅線加上相同電壓，則銅線A所消耗功率為銅線B的幾倍？　

(A)1/4　 (B)1/2　 (C)2　 (D)4。

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14. 有一電源所提供之電壓及電流分別為V(t)＝20sin（ωt）V，i(t)＝40sin（ωt－30˚）A，則電源所提供之平均功率為何？　

(A)200W　 (B)400W　 (C)

　 (D)

。

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15. 有一電感L＝100mH，當t＜0，其兩端電壓為0V。當t＞0，其兩端電壓V(t)＝。假設t≤0時，i_L＝0A。求t＝0.2s時，i_L值＝？　

(A)1.05A　 (B)1.19A　 (C)2.11A　 (D)2.37A。

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16. 有一RLC串聯電路，R＝560Ω，L＝100mH，C＝0.1μF，其電流之自然響應特性為何？　

(A)過阻尼　 (B)欠阻尼　 (C)臨界阻尼　 (D)無阻尼。

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17. 如下圖之電路，t＝0s時，S₁閉合，t＝5s時，S₂閉合。當0≤t≤5時，求電路之i(t)＝？
　

(A)4（1－

）A　 (B)6（1－

）A　 (C)4（1－

）A　 (D)6（1－

）A。

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18. 如下圖之電路，t＜0時已達穩態。當t＝0s時，瞬間將開關斷路，則t＝48s時，求V₁＝？
　

(A)10e^－²V　 (B)20e^－²V　 (C)10e^－¹V　 (D)20e^－¹V。

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19. 如下圖之電路，t＜0時已達穩態。當t＝0s時，瞬間將開關斷路，則t＞0時，V_C(t)＝？
　

(A)10－

　 (B)15－

　 (D)25－

。

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20. 如下圖之電路，電感在t＝0s時，i_L(0)＝2A。求t＞0時，i_L(t)＝？
　

(A)3－

　 (B)3－

　 (D)4－

。

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21. 如下圖之電路，t＝0s時，開關瞬間閉合。則t＝1ms時，電壓V_L＝？
　

(A)2e^－²V　 (B)6e^－²V　 (C)12e^－⁴V　 (D)16e^－⁴V。

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22. 如下圖之電路，t＝0s時，開關瞬間閉合。求t＞0時，V_C(t)＝？
　

(A)6e^－^2tV　 (B)12e^－^2tV　 (C)16te^－^2tV　 (D)32te^－^2tV。

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23. 如下圖之電路，從V_OC兩端點看入之戴維寧等效阻抗為何？
　

(A)40＋j10Ω　 (B)50＋j10Ω　 (C)30＋j20Ω　 (D)60＋j20Ω。

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24. 求下圖電路之i_x＝？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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25. 下圖電路之V_O＝aV₁＋bi₂＋cV₃，求a＋b＋c＝？
　

(A)1　 (B)2　 (C)4　 (D)8。

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26. 如下圖之電路，在下列哪種條件下，其電壓增益值V_O/V_I與頻率無關？（OP：理想運算放大器）
　

(A)R₁C₂＝R₂C₁　 (B)R₁R₂＝C₁C₂　 (C)C₁＝C₂　 (D)R₁C₁＝R₂C₂。

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27. 如下圖之電路，流經R_f的電流值I_f為多少？（OP：理想運算放大器；D₁為二極體，其導通電壓＝0.7V；V_Z：稽納二極體的逆向崩潰電壓）
　

(A)0.14mA　 (B)0.28mA　 (C)0.42mA　 (D)0.56mA。

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28. 如下圖之電路，要確保此電路可以開始振盪，其條件為何？（OP：理想運算放大器）
　

(A)（R₂/R）＞2　 (B)（R₁/R）＞2　 (C)（R₁/R₂）＞2　 (D)（R₂/R₁）＞2。

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29. 轉導放大器（Transconductance Amplifier）的理想特性為何？（R_i：輸入阻抗；R_o：輸出阻抗）　

(A)R_i＝∞，R_o＝0　 (B)R_i＝0，R_o＝∞　 (C)R_i＝∞，R_o＝∞　 (D)R_i＝0，R_o＝0。

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30. 一理想矽質PN介面的二極體，在T＝300K時（V_T＝26mV），其逆向偏壓的飽和電流為I_S＝2×10^－¹⁴A且n＝1，請問在順向偏壓＋0.65V時的電流值為多少？　

(A)1.44mA　 (B)2.88mA　 (C)3.44mA　 (D)4.05mA。

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31. 如下圖之電路，假設I_REF＝I_O＝100μA，所有的MOSFET（Q₁～Q₄）的爾利電壓（Early Voltage）| V_A |＝50V，且g_m＝0.5mA/V，忽略基體效應（Body Effect），請問輸出電阻R_o的值為多少？
　

(A)116MΩ　 (B)126MΩ　 (C)256MΩ　 (D)502MΩ。

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32. 如下圖之電路，假設MOSFET Q₁、Q₂、Q₃之工作點均在飽和區且忽略爾利效應（Early Effect），g_m1＝0.5mA/V，Q₃與Q₂的通道寬度比W₃/W₂＝1.2，試求此電路的小信號電壓放大倍數v_o/v_i等於多少？
　

(A)70　 (B)80　 (C)90　 (D)100。

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33. 如下圖之電路，假設I_o＝10μA，BJT Q₁、Q₂、Q₃的電流增益β均為80，V_T＝25mV，且爾利電壓（Early Voltage）| V_A |＝100V，求R_o的電阻值為多少？
　

(A)191MΩ　 (B)291MΩ　 (C)391MΩ　 (D)491MΩ。

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34. 對一MOSFET以一固定的v_GS電壓操作在飽和區，在v_DS＝4V時，i_D＝2mA，且v_DS＝8V時，i_D＝2.1mA，請問其爾利電壓（Early Voltage）| V_A |為多少？　

(A)70V　 (B)76V　 (C)80V　 (D)86V。

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35. 對一增強型的PMOS電晶體，其＝90μA/V²，V_t＝－1.5V，爾利電壓（Early Voltage）| V_A |＝50V，將閘極(G)端接地，源極(S)端接＋5V，當汲極(D)端電壓v_D＝＋4V時，求其汲極電流值i_D為多少？　

(A)0.14mA　 (B)0.27mA　 (C)0.40mA　 (D)0.59mA。

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36. 在積體電路中，NMOS的基體(B)端應如何接？　

(A)接至電流源　 (B)接至汲極（Drain）　 (C)接至源極（Source）　 (D)接至最低電壓。

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37. 使一個npn型電晶體操作在v_BE＝670mV，I_C＝2mA，其i_C對v_CE的特性有一斜率為2×10^－⁵℧，當電晶體操作在I_C＝10mA時，其輸出阻抗值為多少？　

(A)40kΩ　 (B)30kΩ　 (C)20kΩ　 (D)10kΩ。

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38. 對一BJT電晶體操作在I_B＝5mA時，在I_C＝10mA下，其對應的V_CEsat＝140mV，且I_C＝20mA時，其對應的V_CEsat＝180mV，求其飽和區的R_CEsat電阻值為多少？　

(A)2Ω　 (B)3Ω　 (C)4Ω　 (D)5Ω。

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39. 如下圖之電路，已知此CMOS反向器電路的V_TN＝0.8V，V_TP＝－0.8V且K_n＝K_p，假設v_O1＝0.5V時，請問v_I的電壓值為多少？
　

(A)1.55V　 (B)2.06V　 (C)2.86V　 (D)3.75V。

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40. 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A_o＝100dB，當頻率f＝10⁴Hz時，其開路增益的大小為40dB，請問此放大器之單位增益頻寬（unit gain bandwidth）值約為多少？　

(A)10⁴Hz　 (B)10⁵Hz　 (C)10⁶Hz　 (D)10⁷Hz。

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41. 如下圖的一組並聯－串聯式（Shunt-Series）負回授放大電路，電晶體參數g_m1＝g_m2＝6mA/V，忽略爾利效應（Early Effect）及基體效應（Body Effect），電阻R_S＝R_D＝10kΩ及R_F＝90kΩ，求電流放大倍數A_f＝I_O/I_S為多少？
　

(A)－6.9　 (B)－9.9　 (C)－12.9　 (D)－15.9。

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42. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值V_T，下列敘述何者正確？　

(A)降低基體（Substrate）的濃度（N_A）　 (B)降低源極（Source）區域的濃度（N_D）　 (C)降低汲極（Drain）區域的濃度（N_D）　 (D)降低閘極（Gate）區域的

/t_Ox（

：矽氧化層的permittivity；t_Ox：矽氧化層厚度）。

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43. 對一npn型的BJT所組成的共基極（Common Base）放大器，下列敘述何者有誤？　

(A)輸入阻抗R_i＝r_e（很小）　 (B)高頻響應比共射極（Common Emitter）放大器差　 (C)電流增益A_i＝α≤1　 (D)電壓增益A_v對β變化的影響小。

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44. 對一PN二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流I_S的敘述何者有誤？　

(A)逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流I_S（約10^－¹⁵A）　 (B)I_S由少數載子數量控制　 (C)溫度越高，I_S會上升　 (D)Junction面積增加會使I_S下降。

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45. 下列有關MOS電流鏡和BJT電流鏡的比較何者有誤？　

(A)MOS電流鏡無β效應（有限β值效應）　 (B)通常MOS電流鏡的V_Omin＝V_GS－V_t＝V_OV比BJT電流鏡的V_Omin＝V_CEsat來的大　 (C)MOS電流鏡r_O的影響比BJT電流鏡小（有限r_O值效應）　 (D)Wilson電流鏡的電路可降低BJT電流鏡β值有限效應及增加輸出電阻值。

國營事業考古題 105年 1.電路學2.電子學

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