國營事業考古題,106年 1.電路學2.電子學-愛舉手

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1. 求下圖電路中的V＝？
　

(A)－4V　 (B)－2V　 (C)2V　 (D)4V。

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2. 求下圖電路中的I＝？
　

(A)0.5A　 (B)1A　 (C)1.5A　 (D)2A。

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3. 有關重疊定理（Principle of Superposition）的應用，下列何者有誤？　

(A)獨立電壓源可以用短路代替　 (B)獨立電流源可以用開路代替　 (C)相依電源可以用開路或短路代替　 (D)可適用於線性系統。

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4. 兩個磁耦合線圈的自感分別為L₁＝10mH，L₂＝16mH，設耦合係數為0.85，求互感量為？　

(A)10.75mH　 (B)11.66mH　 (C)12.65mH　 (D)14.88mH。

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5. 求下圖所示電路，a、b兩端的等效電容？
　

(A)1nF　 (B)1.52nF　 (C)2nF　 (D)2.52nF。

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6. 理想二極體組成之箝位器（Diode Clampers）電路，如下圖所示，若輸入為0～10V之方波，試求其輸出電壓範圍？
　

(A)－10～0V　 (B)－7～3V　 (C)－3～7V　 (D)3～10V。

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7. 若一齊納二極體（Zener Diode）在25˚C時崩潰電壓為15V，溫度係數為0.02%/˚C，若崩潰電壓升為15.135V，求當時溫度為何？　

(A)35˚C　 (B)45˚C　 (C)60˚C　 (D)70˚C。

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8. 關於蕭特基二極體（Schottky Diode）特性，下列敘述何者有誤？　

(A)並非一般二極體的pn接面，而是半導體與金屬接面　 (B)對於偏壓改變有快速反應能力，應用於高頻與高速切換　 (C)順向電壓降約為0.3V　 (D)靠多數載子操作，有大量逆向漏電流。

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9. 經過全波整流器（Full-Wave Rectifier）之正弦波信號，輸出電壓平均值V_avg與輸入電壓峰值V_p的關係為？　

(A)V_avg＝

　 (B)V_avg＝

　 (C)V_avg＝

　 (D)V_avg＝

。

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10. 有關於BJT電晶體（npn）之敘述，下列敘述何者有誤？　

(A)基極－射極、基極－集極接面皆施與順向偏壓，電晶體將工作於飽和區　 (B)當基極電流逐漸下降為0，電晶體將進入截止區　 (C)在飽和區工作之電晶體，I_C＝β_DCI_B　 (D)一般BJT之電壓增益參數β_DC會隨著接面溫度T_j上升而增加。

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11. 求下圖電路中的V＝？
　

(A)50V　 (B)60V　 (C)70V　 (D)80V。

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12. 求下圖電路中，5Ω所消耗的功率？
　

(A)2.4W　 (B)3.8W　 (C)7.2W　 (D)8.4W。

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13. 有一個戴維寧等效電路是由一獨立電壓源V_Th串聯一電阻R_Th組成，請問轉換為諾頓等效電路後的獨立電流源I_N為？　

(A)

　 (B)V_ThR_Th　 (C)V_Th－R_Th　 (D)V_Th＋R_Th。

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14. 有一負載的功率因數為1.0，請問此負載屬何種性質負載？　

(A)純電阻性負載　 (B)純電容性負載　 (C)純電感性負載　 (D)複合性負載。

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15. 下圖所示電路是理想的運算放大器，求V_O＝？
　

(A)－11V　 (B)－5V　 (C)5V　 (D)11V。

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16. 一BJT電晶體直流工作電路如下圖，若不希望電晶體進入飽和區，請問V_in在基極端所產生之電流最大允許增加量為何？
　

(A)100μA　 (B)150μA　 (C)175μA　 (D)200μA。

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17. 若一BJT電晶體分壓器偏壓電路如下圖，若電晶體β_DC＝100，試求V_C？
　

(A)2V　 (B)4.3V　 (C)5V　 (D)8.5V。

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18. 有一差動放大器，CMRR＝2000、共模增益A_CM＝0.2、輸入電壓分別為200μV、100μV，求輸出電壓？　

(A)39.97mV　 (B)40mV　 (C)40.03mV　 (D)40.06mV。

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19. 對於電晶體組成共射極放大器（Common-Emitter Amplifier）電路特性，下列敘述何者有誤？　

(A)高電壓增益　 (B)加入射極旁路電容可提高電壓增益　 (C)高電流增益　 (D)輸出與輸入電壓同相。

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20. 關於達靈頓對（Darlingt on Pair）組成之射極隨耦器，下列敘述何者正確？　

(A)輸入阻抗低　 (B)可作為低阻抗負載緩衝器　 (C)高電壓增益　 (D)輸出阻抗高。

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21. 下圖所示電路為理想的運算放大器，求Rin＝？
　

(A)

　 (B)

。

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22. 一電感器兩端的電壓為V(t)＝40e^－^10tV，請問電感器的電壓變成10V時，t為何值？　

(A)128.629ms　 (B)138.629ms　 (C)148.371ms　 (D)158.371ms。

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23. 一RLC並聯電路的電阻值、電感值以及電容值分別為2500Ω、2.5H、4nF，其電壓響應應屬於何種性質？　

(A)欠阻尼　 (B)無阻尼　 (C)臨界阻尼　 (D)過阻尼。

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24. 有一個10Ω電阻器與一個5mH電感器並聯，然後再跟一個5Ω電阻，以及一個10μF的電容器串聯，求此電路在ω＝2000rad/s時的阻抗？　

(A)10－j45Ω　 (B)10＋j45Ω　 (C)12.5－j75Ω　 (D)12.5＋j75Ω。

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25. 已知一弦波電壓為V＝10cos（1256t－53.13˚），求其週期為？　

(A)4ms　 (B)5ms　 (C)6ms　 (D)7ms。

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26. 關於放大器之敘述，下列敘述何者有誤？　

(A)A類放大器效率最高約有79%　 (B)B類放大器偏壓在截止點　 (C)AB類放大器可改善交越失真現象（Crossover Distortion）　 (D)C類放大器偏壓在截止點以下。

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27. 有一AB類放大器電路如下圖，試求其交流輸出功率為？
　

(A)0.5W　 (B)0.9W　 (C)1.25W　 (D)1.5W。

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28. 如下圖之JFET共源極放大器電路，若V_GS＝20V時、反向漏電流I_GSS＝50nA，由信號源看入之輸入阻抗為何？
　

(A)19.05MΩ　 (B)20MΩ　 (C)20.95MΩ　 (D)23.33MΩ。

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29. 對JFET自給偏壓（Self-Bias）電路，若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點，意即I_D＝，下列哪一種方式可達成？　

(A)V_GS＝V_GS(off)/2　 (B)V_GS＝V_GS(off)/3.4　 (C)V_D＝V_DD/2　 (D)V_D＝V_DD/3.4。

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30. 有一增強型MOSFET，其臨界電壓V_GS₍_th₎＝2V，當V_GS＝8V時、對應之I_D₍_on₎＝200mA，求V_GS＝5V時之I_D值？　

(A)50mA　 (B)100mA　 (C)125mA　 (D)150mA。

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31. 有關弦波穩態功率的敘述，下列何者有誤？　

(A)瞬間功率的頻率為電壓或電流頻率的二倍　 (B)平均功率等於瞬間功率經過一週期的平均值　 (C)複數功率等於實功率與無效功率的複數和　 (D)功率因數等於電壓與電流之間相角的正弦值。

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32. 如下圖所示電路，轉移到負載阻抗Z_L的最大功率為何？
　

(A)6W　 (B)9W　 (C)18W　 (D)36W。

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33. 有一平衡三相電路V_AN為120∠－30˚V，且為正相序，V_BC的值為？　

(A)207.85∠－120˚V　 (B)207.85∠120˚V　 (C)207.85∠－150˚V　 (D)207.85∠150˚V。

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34. 有一個三相額定平均功率為20kW的負載，已知電源的三相線路的線電壓額定值為240V，線電流為50A，求負載所吸收的無效功率？　

(A)3.66kVAR　 (B)4.66kVAR　 (C)5.66kVAR　 (D)6.66kVAR

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35. 有一函數F(s)＝，求f(t)？　

(A)e^－t＋2e^－2t＋3e^－3t　 (B)2e^－t＋4e^－2t＋6e^－3t　 (C)3e^－t＋6e^－2t＋9e^－3t　 (D)4e^－t＋8e^－2t＋12e^－3t。

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36. 下列敘述何者有誤？　

(A)JFET共源極放大器相較於BJT共射極放大器，輸入阻抗較低　 (B)JFET共源極放大器，輸入V_GS與輸出V_DS電壓呈現180?反相　 (C)JFET源極隨耦器電壓增益A_V約略等於1　 (D)JFET共閘極放大器具有低輸入阻抗。

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37. 如下圖之MOSFET電路架構，A、B為輸入，V_out為輸出，若希望輸出得到高電位（V_DD），試問A、B輸入應為何？
　

(A)0、0　 (B)0、V_DD　 (C)V_DD、0　 (D)V_DD、V_DD。

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38. 下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大？　

(A)耦合電容　 (B)旁路電容　 (C)電晶體內部電容　 (D)反耦合電容。

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39. 關於負回授與非負回授運算放大器比較，下列敘述何者有誤？　

(A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現180˚反相　 (B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益　 (C)負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入、輸出阻抗目的　 (D)負回授運算放大器可以得到較大頻寬。

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40. 如下圖之理想運算放大器電路，具有100dB開迴路增益和4MHz的單位增益頻寬f_T，下列敘述何者有誤？
　

(A)屬於反相放大器　 (B)電壓增益為－5　 (C)輸入阻抗約為1kΩ　 (D)閉迴路頻寬約為80kHz。

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41. 求下圖電路中，流經5Ω的電流i＝？
　

(A)0.5A　 (B)1A　 (C)1.5A　 (D)2A。

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42. 利用一50mH的電感器設計一個截止頻率為1500Hz的RL低通濾波器，求電阻器R值？　

(A)118Ω　 (B)236Ω　 (C)314Ω　 (D)471Ω。

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43. 下圖所示為一帶通濾波器求共振頻率W_O？
　

(A)10⁵rad/s　 (B)10⁶rad/s　 (C)10⁷rad/s　 (D)10⁸rad/s。

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44. 有一個0.3mF的電容器，其端點電壓為40e^－¹⁵⁰^t sin300t V，求電容器上的電流i (0)？　

(A)1.2A　 (B)2.4A　 (C)3.6A　 (D)4.8A。

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45. 一般家庭用戶所使用的110V為弦波電壓的均方根值，請問110V的最大值為？　

(A)63.51V　 (B)77.78V　 (C)155.56V　 (D)190.52V。

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46. 若有一BJT電晶體在工作區時，其基極電流為0.2mA、射極電流為20mA，試求其直流增益β_DC為何？　

(A)49　 (B)50　 (C)99　 (D)100。

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47. 試求如下圖中低通濾波器臨界頻率f_C為何？
　

(A)3.98kHz　 (B)7.96kHz　 (C)12.58kHz　 (D)15.92kHz。

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48. 關於振盪器之敘述，下列敘述何者有誤？　

(A)回授信號相位移必須為180˚ (B)柯畢子振盪器（Colpitts Oscillator）使用LC回授電路　 (C)迴路增益必須為1　 (D)相移振盪器至少需使用三級RC相移電路。

國營事業考古題 106年 1.電路學2.電子學

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