國營事業考古題,107年 1.電路學2.電子學-愛舉手

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3. 下圖電路中之各電阻器均為1Ω，則R_ab等於下列何者？
　

(A)（1－

）Ω　 (B)（1＋

）Ω　 (C)（2＋

）Ω　 (D)（2＋

）Ω。

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4. 依下圖所示電路，下列敘述何者正確？
　

(A)V_AC＝6V　 (B)V_AB＝6V　 (C)I＝2.5A　 (D)V_AC＝1.25V。

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5. 求下圖電路中伏特計的讀值為何？
　

(A)13.4V　 (B)13V　 (C)12.4V　 (D)12V。

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6. 有一落後功率因數0.7的負載，並從100V的有效值電壓源吸收350W的平均功率。如果改善電路的功率因數為1時，試求改善後可節省多少安培之有效值的電流？　

(A)5A　 (B)3.5A　 (C)2A　 (D)1.5A。

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7. 依下圖所示電路，當S閉合後，經t＝3×10^－3秒後，電感器的端電壓u_L為何？
　

(A)1.2V　 (B)2.4V　 (C)2.8V　 (D)3.6V。

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8. 60μF之電容器，帶有10庫倫之電荷，其儲存之電能為多少？　

(A)8.3焦耳　 (B)8.3×10²焦耳　 (C)0.83×10⁵焦耳　 (D)0.83×10⁶焦耳。

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9. 電爐之電阻為100Ω，若通過之電流為1.5安培，使用3分鐘，將產生多少焦耳之電能，合計多少卡？　

(A)9405卡　 (B)9470卡　 (C)9530卡　 (D)9720卡。

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10. 若一發電機的旋轉角速度為314弳/秒，於t＝0.005秒時之旋轉角度為下列何者？　

(A)30度　 (B)60度　 (C)90度　 (D)180度。

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11. 有一R-L串聯之電路接於交流電壓e(t)＝10sin（100t－20˚），而線電流i(t)＝2sin（100t－80˚）安培，則此電路之純電阻值為下列何者？　

(A)2.5Ω　 (B)4Ω　 (C)5Ω　 (D)8Ω。

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12. 流過電阻R＝10Ω之電流為i(t)＝2＋3sinωt＋2sin（3ωt），若ω＝377弳/秒，則平均功率為下列何者？　

(A)105W　 (B)100W　 (C)90W　 (D)75W。

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13. 下圖所示之3ψ3W 60Hz之電路，阻抗＝（1＋j2）Ω，經測得受電端之電壓＝2000V，負載消耗功率200kW，功率因數為0.8，則此送電端之電壓為多少？
　

(A)2250V　 (B)2850V　 (C)3250V　 (D)3450V。

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14. 有一平衡Y-Y系統，其線電壓之有效值為200V，三相電功率為600W，功率因數為0.9滯後，請問各相負載阻抗為多少？　

(A)15＋j8.67Ω　 (B)54＋j26.2Ω　 (C)15－j8.67Ω　 (D)54－j26.2Ω。

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15. 於L-C串聯電路中，若L＝2.653H，且與C串聯接於60Hz之電源，今欲改變電容量使達到共振，請問電容器C之值應調整為下列何者？　

(A)1.625μF　 (B)2.358μF　 (C)2.653μF　 (D)3.25μF。

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16. 設F(s)＝，求f(t)為下列何者？　

(A)1－cos t　 (B)t－sin t　 (C)e^t　 (D)e^4t－1。

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17. 下圖所示週期為2a之方形波，求其拉氏轉換式為下列何者？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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18. 下圖所示為一雙埠網路，求Y參數陣列為下列何者？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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19. 有一10安培之電流，流經100匝之圓線圈，其半徑為50公分，且線圈之厚度要遠小於半徑，請問圓心處之磁場強度為何？　

(A)250安匝/公尺　 (B)500安匝/公尺　 (C)750安匝/公尺　 (D)1000安匝/公尺。17.　

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20. 以一只12伏特，40安培小時的蓄電池，供應一只1.2瓦特的燈泡，最多可維持多少小時？　

(A)480小時　 (B)400小時　 (C)40小時　 (D)10小時。

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21. 三相Y型平衡電路，若每相阻抗為（6＋j8）Ω，線電壓E_ℓ＝220V，試求相位角θ為多少？　

(A)26.6度　 (B)37.1度　 (C)53.1度　 (D)63.4度。

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22. 某交流電路e＝100sin（314t－30˚），i＝50sin（314t＋30˚），其最大瞬時功率P_max為何？　

(A)7500W　 (B)4500W　 (C)3750W　 (D)2500W。

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23. i₁＝10sinωt，i₂＝10cosωt，則（i₁＋i₂）比i₁引前多少度？　

(A)30度　 (B)45度　 (C)60度　 (D)90度。

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24. 有一內阻為1Ω的安培表，欲將其測量範圍擴大100倍，須加多大電阻值之分流器？　

(A)0.11Ω　 (B)0.02Ω　 (C)0.01Ω　 (D)0.001Ω。

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25. 某發射機的載波頻率為3000kHz，求其波長為多少？　

(A)10公尺　 (B)50公尺　 (C)100公尺　 (D)200公尺。

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26. 有關功率放大器輸出級分成A類、B類、AB類與C類的敘述，下列何者有誤？　

(A)A類放大器的工作操作點定於負載線中點　 (B)B類放大器的工作操作點定於飽和區　 (C)AB類放大器的工作操作點介於A類及B類放大器之間　 (D)C類放大器的工作操作點定於截止區之下。

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27. 若電晶體輸出電流I_CQ＝0.99mA，α＝0.99及V_T＝25mV，求電晶體交流等效電阻r_e為何？　

(A)50Ω　 (B)25Ω　 (C)30Ω　 (D)15Ω。

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28. 有一雙極性接面電晶體BJT，其β＝100，已知在室溫下熱電壓V_T＝25mV，若I_C＝1mA，則該BJT之轉導g_m值為何？　

(A)4mA/V　 (B)40mA/V　 (C)400mA/V　 (D)4A/V。

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29. 有關場效電晶體FET放大器的敘述，下列何者有誤？　

(A)共源極放大器的輸入與輸出電壓反相　 (B)共源極放大器的輸入阻抗值很高　 (C)共汲極放大器的電壓增益值小於1　 (D)共閘極放大器的輸入阻抗值很高。

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30. 設計電晶體差動放大器時，射極共同點接一穩定電流源之主要目的為何？　

(A)增加負回授量　 (B)提高CMRR　 (C)增加頻寬　 (D)提高增益。

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31. 設有一電路的轉移函數T(S)＝，求下列敘述何者正確？　

(A)半功率頻率為100rad/sec　 (B)增益為100dB的頻率為1rad/sec　 (C)直流增益為40dB　 (D)高頻增益為100。

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32. 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極，該電容C_C之主要功能為何？　

(A)使電壓增益變大　 (B)使電流增益變大　 (C)隔離雜訊　 (D)隔離直流。

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33. 有關雙極性接面電晶體BJT與場效電晶體FET的一般特性比較，下列何者有誤？　

(A)輸出電阻r_o：BJT較FET小　 (B)轉導g_m：BJT較FET大　 (C)本質增益A_o：BJT較FET大　 (D)輸入阻抗R_i：BJT較FET小。

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34. 非反向運算放大器電路具有增益40dB，其3dB頻率為25kHz，將其應用在某特殊系統中，若此系統需要50kHz的頻寬，在此情況下能夠達到的最大增益為何？　

(A)10V/V　 (B)20V/V　 (C)50V/V　 (D)100V/V。

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35. 射極隨耦器常作阻抗匹配之用，有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述，下列何者正確？　

(A)高輸入阻抗，高輸出阻抗　 (B)高輸入阻抗，低輸出阻抗　 (C)低輸入阻抗，高輸出阻抗　 (D)低輸入阻抗，低輸出阻抗。

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36. 已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高10˚C約成為原來之兩倍，在溫度25˚C時的逆向飽和電流為3nA，當逆向飽和電流增加到24nA，溫度約升到幾度？　

(A)35˚C　 (B)45˚C　 (C)55˚C　 (D)65˚C。

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37. 有關共射極放大器的特性敘述，下列何者正確？　

(A)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差180?　 (B)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差0?　 (C)電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差180?　 (D)電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差0?。

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38. 有一差動放大器，其一端輸入V_i1＝100μV，另一端輸入V_i2＝50μV，且此放大器之差模增益A_d為100，而共模拒斥比CMRR為10，請問此輸出電壓為何？　

(A)2.75mV　 (B)3.75mV　 (C)4.75mV　 (D)5.75mV。

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39. 有一接合面場效應電晶體JFET的汲極飽和電流I_DSS＝16mA，夾止電壓V_GS₍_off₎＝－4V，請問此JFET為何種通道？另，當V_GS＝－3V時的汲極電流I_D為何？　

(A)N通道，I_D＝1mA　 (B)N通道，I_D＝4mA　 (C)P通道，I_D＝1mA　 (D)P通道，I_D＝4mA。

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40. 有關振盪器的敘述，下列何者有誤？　

(A)低頻振盪器一般採用RC電路　 (B)射頻振盪器一般採用LC電路　 (C)石英振盪器是利用晶體本身之壓電效應　 (D)一般RC相移振盪器所產生的輸出波形為方波。

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41. 假設下圖之二極體為一理想元件，試求二極體電流I_D之值約為何？
　

(A)0.83mA　 (B)1.0mA　 (C)1.87mA　 (D)2.5mA。

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42. 如下圖所示之電晶體偏壓電路，已知C₁＝20μF，C₂＝20μF，C₃＝60μF，R₁＝20kΩ，R₂＝5kΩ，R₃＝5kΩ，R₄＝1kΩ，β＝100，I_C電流值約為何？
　

(A)0.84mA　 (B)1.24mA　 (C)2.14mA　 (D)3.34mA。

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43. 一電晶體電路如下圖所示，假設各電晶體的β＝50，V_BE＝0.7V，C₁、C₂、C₃、C₄有很大的電容值，請問此電路的電壓增益A_V＝為何？
　

(A)－11　 (B)－21　 (C)－32　 (D)－53。

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44. 下圖所示為一差動放大器，假設Q₁與Q₂為完全匹配的電晶體且均工作在作用區，請問下列何者有誤？
　

(A)當R_EE的值變大時，CMRR值增大　 (B)當I_EE的值變大時，差模增益值| A_DM |增大　 (C)R_C的值越大則差模增益值| A_DM |越大　 (D)R_C的值越大則共模增益值A_CM越小。

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45. 下圖的電路包含5個完全相同的電晶體，各電晶體的臨限電壓V_t＝1V，假設可忽略基體效應與通道長度調變效應，試求輸出電壓V_o為何？
　

(A)1V　 (B)2V　 (C)3V　 (D)4V。

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46. 如下圖所示之理想運算放大器電路V_in1＝1V，V_in2＝0.5V，V_in3＝2V，R₁＝4kΩ，R₂＝5kΩ，R₃＝10kΩ，R_f＝20kΩ，試求總輸出電壓V_out約為何？
　

(A)－3V　 (B)－6V　 (C)－8V　 (D)－11V。

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47. 下圖為全波濾波器，若輸入V_i＝10sinωt，試求直流電壓值（V_o之dc值）為何？
　

(A)6.36V　 (B)10V　 (C)13.2V　 (D)15V。

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48. 下圖中有兩個理想運算放大器串級，其輸入補償電壓V_os1＝V_os2＝8mV，若輸入V_in＝0.01V時，試求V_o之值約為何？
　

(A)7.63V　 (B)5.79V　 (C)4.15V　 (D)3.48V。

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49. 霍爾效應（Hall effect）最主要是用於下列何者？　

(A)決定半導體為P型或N型　 (B)決定半導體內的電壓大小　 (C)決定半導體內的電流大小　 (D)決定半導體內的磁場大小。

國營事業考古題 107年 1.電路學2.電子學

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