臺灣菸酒考古題,107年電子學-愛舉手

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1. 有一正弦波交流電壓信號V(t)＝8sin 314tV，則下列敘述何者錯誤？　

(A)V_m＝8V　 (B)V_rms＝5.66V　 (C)週期T＝20ms　 (D)頻率f＝60Hz。

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2. 某電源供應器，若空載時輸出為20V，滿載時輸出為18V，則電路電壓調整率V.R.%為何？　

(A)10%　 (B)11.1%　 (C)12.5%　 (D)－10%。

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3. 有一矽二極體，在20°C時的逆向飽和電流為3nA，當溫度升為60°C時其逆向飽和電流為　

(A)12nA　 (B)24nA　 (C)36nA　 (D)48nA。

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4. LED所發出光的顏色，與下列何者有關？　

(A)外加電壓　 (B)外加電流　 (C)使用的材料　 (D)摻雜濃度。

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5. 有一交流電壓信號V(t)＝100sin 377tV，經半波整流電路後，則一週期內輸出電壓平均值應為　

(A)100V　 (B)70.7V　 (C)63.6V　 (D)31.8V。

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6. 在常溫下，鍺的本質濃度為2.4×10¹³原子/cm³，若摻雜的砷原子濃度為4×10¹⁸原子/cm³，試求其電洞濃度為？原子/cm³　

(A)2.4×10⁵　 (B)4×10¹⁸　 (C)6×10⁵　 (D)1.44×10⁸。

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7. 電晶體元件的規格資料表中h_FE參數，指的是何種電流增益值為　

(A)α　 (B)β　 (C)γ　 (D)π。

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8. 若α＝0.99的電晶體，其I_E＝10.2mA，I_C＝10mA，則此電晶體操作於　

(A)主動區　 (B)逆向主動區　 (C)飽和區　 (D)截止區。

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9. 電晶體共基極組態的洩漏電流I_CBO與共射極組態的洩漏電流I_CEO的關係為　

(A)I_CEO＝（1＋β）I_CBO　 (B)I_CBO＝（1＋β）I_CEO　 (C)I_CEO＝（1－α）I_CBO　 (D)I_CBO＝（1－α）I_CEO。

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10. 如圖所示之電晶體放大器，V_CC＝10.7V、β＝100、V_BE＝0.7V、R_B＝200kΩ、R_E＝2kΩ，請問下列何者錯誤？
　

(A)I_C＝2.5mA　 (B)I_B＝25μA　 (C)V_O＝2.5V　 (D)V_CB＝5V。

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11. 如圖所示為共基極式偏壓電路，請問下列何者正確？
　

(A)I_C＝0.5mA　 (B)I_E＝0.7mA　 (C)V_O＝8.55V　 (D)V_CE＝5V。

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12. 就達靈頓電路的特性而言，下列何者錯誤？　

(A)電壓增益很高　 (B)電流增益很高　 (C)輸入阻抗很高　 (D)輸出阻抗很低。

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13. 如圖所示之電晶體放大器，若r_π＝1KΩ，試求此放大器之輸入阻抗Z_i為？
　

(A)10KΩ　 (B)40KΩ　 (C)245KΩ　 (D)7.75KΩ。

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14. 有一放大電路的功率增益為20dBm，則輸出功率為何？　

(A)10mW　 (B)100mW　 (C)1mW　 (D)2mW。

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15. 在串級放大系統中，何種連接方式最易達成阻抗匹配？　

(A)R-C耦合　 (B)變壓器耦合　 (C)直接耦合　 (D)達靈頓電路。

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16. 有一N通道JFET，其I_DSS＝9mA，V_P＝－3V，請問當直流偏壓V_GS＝－1V時，其汲極電流I_D為何？　

(A)4mA　 (B)3mA　 (C)1.5mA　 (D)1mA。

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17. 有關BJT與FET的比較，下列敘述何者正確？　

(A)FET為雙極性電晶體　 (B)BJT為單極性電晶體　 (C)一般BJT的基極輸入阻抗比MOSFET閘極的輸入阻抗小　 (D)BJT為一種電壓控制元件。

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18. 一增強型MOSFET臨界電壓V_T＝2V，當V_GS＝4V時，I_D＝2mA，若V_GS＝5V，則I_D為？　

(A)1mA　 (B)1.5mA　 (C)3mA　 (D)4.5mA。

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19. 在FET的三個交流小訊號參數中，g_m、r_d及μ三者之關係為　

(A)g_m＝μ×r_d　 (B)r_d＝μ×g_m　 (C)g_m＝

　 (D)μ＝g_m×r_d。

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20. 運算放大器的內部主要結構中的輸入級為　

(A)定電流源電路　 (B)差動放大器　 (C)高增益放大器　 (D)射極隨耦器。

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21. 運算放大器之積體電路編號741的接腳定義，下列何者錯誤？　

(A)第3腳為輸出　 (B)第2腳為反相輸入端　 (C)第8腳為空腳　 (D)第7腳為＋V_CC。

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22. 如圖所示之電壓比較顯示電路，當Cds的電阻值為5KΩ時，則LED顯示情形為？
　

(A)LED1亮　 (B)LED2亮　 (C)LED1與LED2都亮　 (D)LED1與LED2都滅。

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23. 下列何者為正弦波振盪器？　

(A)考畢子振盪器　 (B)施密特振盪器　 (C)單穩態多諧振盪器　 (D)雙穩態多諧振盪器。

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24. 在哈特萊振盪器中，其正回授是採用　

(A)電阻回授　 (B)電容分壓式　 (C)電感分壓式　 (D)電壓並聯。

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25. 如圖所示，已知g_m＝2mS，R_G＝1MΩ，則此放大器的R_O為
　

(A)1MΩ　 (B)2KΩ　 (C)333Ω　 (D)500Ω。

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26. 電子實習中，常使用負電阻電路，下列何者可正確完成電路？　

(A)稽納二極體　 (B)透納二極體　 (C)蕭特基二極體　 (D)變容二極體。

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27. 如圖中，若D屬於理想二極體，則下列何種作法對改善漣波因素（ripple factor）的效果最差：
　

(A)將輸入電壓變小　 (B)將電容值加大　 (C)改用全波整流　 (D)將電阻值加大。

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28. 對一60Hz全波橋式整流電路，如其輸出具有60Hz的漣波時，則其電路可能為　

(A)濾波電容器漏電　 (B)變壓器二次側短路　 (C)電路工作正常　 (D)有一二極體開路。

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29. 如圖電路中，二極體D之作用為：
　

(A)半波整流　 (B)保護電晶體　 (C)溫度補償　 (D)防止雜音。

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30. 圖中的i_o/i_s＝
　

(A)－76　 (B)－90　 (C)－98　 (D)－110。

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31. 如圖為何種電路？
　

(A)反相微分器　 (B)反相積分器　 (C)非反相微分器　 (D)非反相積分器。

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32. OPA應用電路中，如圖屬於下列何種電路？
　

(A)微分器　 (B)積分器　 (C)指數放大器　 (D)對數放大器。

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33. 下列何項不是一理想運算放大器（OP amp.）所具之特性？　

(A)輸出阻抗為零　 (B)頻寬（Bandwidth）無限大　 (C)開環路電壓增益無限大　 (D)輸入阻抗為零。

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34. IC555若外加電源15V，則內部較低之比較電位為？（V）　

(A)5V　 (B)10V　 (C)12V　 (D)15V。

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35. PN二極體是　

(A)拋物線元件　 (B)線性元件　 (C)非線性元件　 (D)以上皆非。

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36. 一N型半導體因熱能影響而產生的新電子或新電洞數何者較多？　

(A)不會產生新電子或電洞　 (B)一樣多　 (C)電洞數　 (D)電子數。

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37. 一交流電流i(t)＝10sin 785t（mA）流過1kΩ電阻，則電流波形的頻率為　

(A)125Hz　 (B)785Hz　 (C)250Hz　 (D)10Hz。

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38. 下列敘述何者錯誤？　

(A)矽半導體隨溫度上升，其電阻值增加　 (B)N型半導體的少數載子為電洞　 (C)本質半導體中所加入的五價元素稱為施體　 (D)在本質半導體中加入微量的五價元素則形成N型半導體。

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39. 就整流電路而言，半波整流、全波整流及橋式整流電路之比較，以下敘述何者錯誤？（V_m為輸入電壓的峰值）　

(A)此三者其輸出電壓的平均值（直流值）依序分別為V_m/π，2V_m/π，2V_m/π　 (B)此三者其二極體使用數依序分別為1，2，4個　 (C)此三者其輸出時二極導通數依序分別為1，1，2個　 (D)此三者其二極體逆向電壓峰值PIV依序分別為V_m，V_m，2V_m。

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40. 以示波器觀察頻率5kHz的交流波形，若水平時基旋鈕選擇在50μS/DIV位置，則示波器螢幕可以顯示幾個週期的波形？　

(A)10　 (B)2.5　 (C)5　 (D)4。

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41. 如圖所示，電路如圖(a)，輸入電壓V_in(t)＝100sin（377t）V，二極體均視為理想二極體。若輸出電壓V_out(t)波形如圖(b)所示，則其故障原因最可能為何？
　

(A)D₂開路　 (B)D₁與D₂短路　 (C)D₁開路　 (D)R開路。

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42. 發光二極體的發光強度與何者成正比關係？　

(A)溫度　 (B)電子、電洞復合率　 (C)少數載子流　 (D)摻雜濃度。

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43. 在未外加偏壓下，下列有關P-N接面二極體空乏區的敘述，請問何者錯誤？　

(A)達到平衡狀態時，在空乏區P側中有電洞、在N側中有自由電子　 (B)所形成的障壁電位，在空乏區N側的電位比P側的電位高　 (C)在空乏區中，P側有負離子、N側有正離子　 (D)P、N兩側空乏區的寬度，其所摻雜的雜質濃度愈高，則該側空乏區的寬度愈窄。

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44. 比較共基極電流增益α、共射極電流增益β與共集極電流增益γ的大小　

(A)γ＞β＞1＞α　 (B)α＞β＞γ＞1　 (C)γ＞β＞α＞1　 (D)β＞1＞α＞γ。

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45. 試求圖中電路之V_O＝？
　

(A)＋4V　 (B)－5V　 (C)＋10V　 (D)－13V。

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46. 如圖若V_CC＝20V，R＝1KΩ，R₁＝1KΩ，R₂＝2KΩ，R_L＝10KΩ，V_Z＝5V，OPA為理想，則V_L為多少伏特？
　

(A)5V　 (B)15V　 (C)20V　 (D)25V。

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47. 如圖運算放大器為理想，若V_i＝200mV，求輸出電壓V_o＝？
　

(A)10.2V　 (B)7.3V　 (C)4.9V　 (D)3.7V。

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48. 如圖所示之方波振盪器電路，下列敘述何者錯誤？
　

(A)C之數值增加，則振盪頻率下降　 (B)R₂之數值增加，則振盪頻率增加　 (C)對實際OPA而言，V_o之峰對峰值接近2V_CC　 (D)對實際OPA而言，V_o之工作週期（duty cycle）約為50%。

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