台電公司考古題,107年 12月電子學 -愛舉手

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1. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？　

(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄　 (B)在本質半導體摻雜五價元素，可形成N型半導體　 (C)在純質矽（silicon）晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導體　 (D)N型半導體中的多數載子為電洞。

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2. 已知NPN電晶體的V_BE＝0.7V，V_CE＝2.5V，則此電晶體操作在哪個區域？　

(A)截止區　 (B)飽和區　 (C)工作區　 (D)崩潰區。

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3. 對一具有源極旁路電容之共源極放大器，如將其旁路電容器移走時，則下列何者正確？　

(A)輸入電阻變小　 (B)輸入電阻變大　 (C)電壓增益降低　 (D)電壓增益增加。

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4. 如圖所示，假設D₁與D₂為理想二極體，請求出電壓V₂為何？
　

(A)1.5V　 (B)3V　 (C)4.5V　 (D)6V。

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5. 如圖所示電路及電晶體之特性曲線，假設電晶體原來的工作點為Q點，則當R_B電阻值變大時，新的工作點應近似於下列何者？
　

(A)A點　 (B)B點　 (C)C點　 (D)D點。

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6. 理想放大器的輸入阻抗與輸出阻抗分別為多少歐姆？　

(A)∞、0　 (B)0、0　 (C)∞、∞　 (D)0、∞。

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7. 有一差動放大器之共模拒斥比（CMRR）值為40dB，若差動增益為1000，則當輸入為1.001V、0.999V時，輸出值V_o為何？　

(A)6V　 (B)8V　 (C)10V　 (D)12V。

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8. 下列何者為電子電路中，設計正回授之目的？　

(A)使電路特性更穩定　 (B)減少雜訊　 (C)供作振盪器使用　 (D)增加頻寬。

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9. 如圖所示，電晶體Q₁與Q₂有相同特性，若V_CC＝20V，V_EE＝－10V，電阻R₁＝R₂＝R₃＝5kΩ，V₁＝V₂＝0V，輸出電壓V₀值為何？
　

(A)15V　 (B)12V　 (C)9V　 (D)6V。

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10. 圖為理想放大器，請求該電路之電壓增益為何？
　

(A)－2010　 (B)－1020　 (C)1020　 (D)2010。

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11. 如圖所示，兩個MOSFET之寬長W/L比為(W/L)₁＝4(W/L)₂，設MOSFET導通的臨界電壓V_t1＝V_t2＝2V，則V₀值為何？
　

(A)2V　 (B)4V　 (C)6V　 (D)8V。

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12. 某場效電晶體的導電參數K＝2mA/V²，若直流工作點的汲極電流為8mA，試求互導g_m為何？　

(A)2mS　 (B)4mS　 (C)6mS　 (D)8mS。

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13. 下列何種摻雜行為的改變，可增加BJT電晶體的電流增益？　

(A)基極摻雜濃度降低與射極濃度增加　 (B)基極與射極摻雜濃度均增加　 (C)基極摻雜濃度增加與射極濃度降低　 (D)基極與射極摻雜濃度均降低。

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14. 有關場效電晶體（FET）之敘述，下列何者有誤？　

(A)可分成N通道與P通道兩種　 (B)輸入阻抗較雙極性電晶體（BJT）為低　 (C)MOSFET又分成空乏型與增強型兩種　 (D)主要可分成JFET及MOSFET兩種。

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15. 如圖所示，基極電壓為0.7V，集極電壓為2V，若熱電壓V_T為25mV，則r_π值為何？
　

(A)25Ω　 (B)250Ω　 (C)400Ω　 (D)800Ω。

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16. 下列何種振盪器不需外部觸發便可自行起振？　

(A)無穩態多諧振盪器　 (B)單穩態多諧振盪器　 (C)雙穩態多諧振盪器　 (D)舒密特觸發器。

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17. N通道空乏型MOSFET的I_DSS＝8mA，V_GS(OFF)＝－4V，而在V_GS＝0V的情況下，I_D值為何？　

(A)0mA　 (B)2mA　 (C)4mA　 (D)8mA。

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18. 電晶體放大電路的各種組態中，共汲極放大電路與下列何種組態的放大電路之特性最相似？　

(A)共射極　 (B)共集極　 (C)共基極　 (D)共閘極。

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19. 某N通道JFET，V_P＝－4V，當V_GS＝－1V時，欲使該JFET工作於飽和區，所需的V_DS值範圍為何？　

(A)V_DS≥3V　 (B)V_DS≤3V　 (C)V_DS≥4V　 (D)V_DS≤1V。

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20. 齊納（Zener）電壓調整電路如圖所示，其中齊納二極體之V_Z＝10V，I_Z＝5mA～20mA，若V_i＝100V，請問電阻R值需為多少，才能使齊納二極體在I_L＝0～I_L(max)之間進行調節，且I_L(max)為何？
　

(A)R＝25kΩ，I_L(max)＝25mA　 (B)R＝18kΩ，I_L(max)＝20mA　 (C)R＝4.5kΩ，I_L(max)＝20mA　 (D)R＝4.5kΩ，I_L(max)＝15mA。

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21. 在放大器頻率響應曲線中，f_L表示增益低頻截止頻率，f_H表示增益高頻截止頻率，此放大器的頻帶寬度BW為何？　

(A)2f_H－f_L　 (B)f_H＋f_L　 (C)f_H－f_L　 (D)f_H－2f_L。

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22. 有一低通、三級放大電路，若輸入頻率高於高截止頻率時，則每增加10倍，增益減少多少dB？　

(A)20　 (B)40　 (C)60　 (D)80。

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23. NPN電晶體工作在飽和區時，下列敘述何者正確？　

(A)V_E＞V_B＞V_C　 (B)V_B＞V_C＞V_E　 (C)V_B＞V_E＞V_C　 (D)V_C＞V_B＞V_E。

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24. 有關差動放大器的敘述，下列何者有誤？　

(A)共模拒斥比CMRR定義為：差模增益A_d與共模增益A_c的比值　 (B)共模拒斥比CMRR，愈大愈能抑制雜訊　 (C)共模增益A_c愈小愈好　 (D)差模增益A_d愈小愈好。

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25. 如下圖所示，若R₁＝3MΩ，R₂＝1MΩ，R_D＝4kΩ，r_d→∞，求輸入阻抗為何？
　

(A)750kΩ　 (B)1MΩ　 (C)1.2MΩ　 (D)1.5MΩ。

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26. 有關BJT共射極（CE）、共集極（CC）和共基極（CB）基本組態放大電路特性之比較，下列何者正確？　

(A)輸入阻抗：CB＞CE＞CC　 (B)輸出阻抗：CE＞CC＞CB　 (C)電壓增益：CB＞CE＞CC　 (D)功率增益：CC＞CE＞CB。

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27. 兩電壓v₁(t)＝8cos（20πt＋13°）及v₂(t)＝4sin（20πt＋45°），則兩電壓之相位差為多少？　

(A)58°　 (B)45°　 (C)32°　 (D)13°。

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28. 如圖所示，交流電壓v(t)＝150sin（377t－30°），交流電流i(t)＝10sin（377t），則負載Z_L的特性為何？
　

(A)電容性　 (B)電感性　 (C)電阻性　 (D)無法判定。

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29. 有一40W功率輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器，若放大器的電壓增益為40dB且額定輸出時，求其輸入電壓為何？　

(A)40mV　 (B)0.1V　 (C)0.2V　 (D)0.4V。

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30. 關於FET與BJT電晶體的比較，下列何者有誤？　

(A)FET的輸入阻抗較BJT高　 (B)FET比BJT較適合應用於超大型積體電路中　 (C)FET的熱穩定性較BJT好　 (D)FET的增益與頻寬的乘積較BJT大。

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31. 某N通道JFET之夾止電壓（pinch-off voltage）V_P＝－4V、I_DSS＝16mA，當其閘極電壓V_G＝－6V、源極電壓V_S＝0V、汲極電壓V_D＝5V時，則汲極電流I_D為何？　

(A)0mA　 (B)4mA　 (C)8mA　 (D)16mA。

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32. 如圖所示，假設運算放大器飽和時之最大輸出電壓為±15V，求其遲滯電壓V_H為何？
　

(A)3V　 (B)4V　 (C)5V　 (D)6V。

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33. 如圖所示，各級之電壓增益分別如圖中之標示，則此電路之總電壓增益為何？
　

(A)60dB　 (B)80dB　 (C)120dB　 (D)160dB。

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34. 圖中電晶體作為開關使用，欲使燈泡亮起，下列敘述何者正確？
　

(A)基－射極接面為逆向偏壓，基－集極接面為順向偏壓　 (B)基－射極接面為逆向偏壓，基－集極接面為逆向偏壓　 (C)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為逆向偏壓　 (D)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為順向偏壓。

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35. 如下圖所示，此電路之輸入電壓與輸出電壓轉換曲線為何？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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36. R-L-C串聯諧振電路產生諧振時，下列敘述何者有誤？　

(A)總阻抗約等於電阻值　 (B)線路電流為最小　 (C)線路品質因數（Quality Factor）為Q＝

　 (D)諧振頻率為f_r＝

。

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37. 若運算放大器的轉動率為0.5V/μs，其輸出訊號為峰值±5V的對稱三角波，則在不失真的情況下，此訊號頻率最高為何？　

(A)20kHz　 (B)25kHz　 (C)30kHz　 (D)50kHz。

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38. 若量測電路中的PNP型雙極性接面電晶體，得知其射極接地，基極電壓為0.7V，集極電壓為－3V，請問電晶體操作在哪個區域？　

(A)截止區　 (B)順向主動區　 (C)飽和區　 (D)逆向主動區。

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39. 如下圖所示，V_O約為何？
　

(A)－10V　 (B)－6V　 (C)10V　 (D)12V。

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40. 如下圖所示，已知該電晶體截止電壓V_GS(off)＝－5V，直流閘源極電壓V_GS＝－4V時，I_D＝0.35mA，則R₁/R₂值為何？
　

(A)2　 (B)3　 (C)4　 (D)5。

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41. 如圖所示，正常工作下輸出電壓波形為三角波時，則其輸入電壓波形下列何者正確？
　

(A)方波　 (B)正弦波　 (C)三角波　 (D)鋸齒波。

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42. 如下圖所示，當理想運算放大器在不飽和情況下，輸出電壓V_O為何？
　

(A)－0.5V　 (B)－1V　 (C)－2V　 (D)－4V。

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43. NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.25%在基極與電洞結合，其餘99.75%被集極收集，則此電晶體之β值為何？　

(A)99　 (B)199　 (C)299　 (D)399。

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44. 有一變壓器的匝數比為10：1，若在低壓側接上一個8Ω的揚聲器，請問在高壓側測得的阻抗為何？　

(A)0.8Ω　 (B)8Ω　 (C)80Ω　 (D)800Ω。

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45. 如圖所示，R₁＝R₂＝R₃＝100kΩ，R_A＝10kΩ，若欲設計輸出電壓V_O＝V₁＋V₂＋V₃，則R_B為何？
　

(A)5kΩ　 (B)10kΩ　 (C)20kΩ　 (D)30kΩ。

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46. 如圖所示，若電晶體保持在主動區工作，當提高R_C值而V_CC及R_B值保持不變，則下列敘述何者正確？
　

(A)工作點不變　 (B)工作點朝飽和區反方向移動　 (C)基極電流增加　 (D)工作點朝飽和區方向移動。

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47. 如圖所示，若V_O＝8V，則V_i應為何？
　

(A)－4V　 (B)－3V　 (C)1V　 (D)2V。

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48. 如圖所示，此曲線為下列何種場效電晶體的I_D－V_GS特性曲線？（V_T為臨界電壓）
　

(A)N通道JFET　 (B)N通道空乏型MOSFET　 (C)P通道增強型MOSFET　 (D)N通道增強型MOSFET。

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