台電公司考古題,107年 5月電子學 -愛舉手

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1. 若有一電荷載有4×10¹⁶個電子，試求該電荷帶有多少電量？　

(A)－1.8×10^－²⁰庫倫　 (B)－1.6×10^－¹⁹庫倫　 (C)－2×10^－⁹庫倫　 (D)－6.4×10^－³庫倫。

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2. 已知某一信號的週期是0.04秒，其頻率為下列何者？　

(A)25Hz　 (B)40Hz　 (C)250Hz　 (D)400Hz。

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3. 已知一交流電壓V(t)＝100sin（ωt－270°）V，週期T＝0.01秒，當t＝0.01秒時，V(t)之瞬間電壓值為下列何者？　

(A)100V　 (B)－100V　 (C)50V　 (D)－50V。

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4. 下列敘述何者正確？　

(A)電晶體比真空管效率低　 (B)電晶體比真空管成本高　 (C)電晶體比真空管耗電　 (D)電晶體比真空管體積小。

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5. 某一直流電源供應器未接任何負載時，輸出電壓為30V，接上滿負載後，輸出電壓為28.5V，則其V.R.%約為下列何者？　

(A)5.3%　 (B)2.5%　 (C)0.95%　 (D)－2.5%。

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6. 某矽二極體在溫度30°C時的逆向飽和電流為3nA，若溫度上升至90°C時，則逆向飽和電流為下列何者？　

(A)125nA　 (B)150nA　 (C)192nA　 (D)180nA。

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7. 有一個矽二極體在室溫25°C時，端電壓為0.77V，當溫度上升至95°C時，端電壓為下列何者？註：＝＋（T₂－T₁）×（－2.5mV/°C）　

(A)0.7V　 (B)0.688V　 (C)0.658V　 (D)0.595V。

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8. 使一LED發亮至少應流過多少電流？　

(A)10～15μA　 (B)500～600mA　 (C)100～200mA　 (D)10～15mA。

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9. 如右圖所示，二極體為理想二極體，求電路中電流I為下列何者？
　

(A)5mA　 (B)4mA　 (C)3mA　 (D)2mA。

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10. 如圖所示，假設稽納二極體順向時為理想二極體，V_i＝6sin（ωt）V，R＝500Ω，則V_o最大值為下列何者？
　

(A)2V　 (B)3V　 (C)5V　 (D)6V。

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11. 如圖所示，V_i＝2V，二極體切入電壓0.7V，V_o為下列何者？
　

(A)5V　 (B)2V　 (C)1.3V　 (D)0.7V。

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12. 關於價電子與自由電子的敘述，下列何者有誤？　

(A)價電子位於原子核最外層軌道　 (B)復合（recombination）造成自由電子與電洞的消失　 (C)自由電子位於傳導帶　 (D)熱游離（thermal ionization）造成相同數目，相同濃度的自由電子及價電子。

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13. 有一半波整流電路，負載為電阻，已知輸出直流電壓為45V，試求輸入電壓有效值約為下列何者？　

(A)45V　 (B)63.6V　 (C)90V　 (D)100V。

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14. 已知全波整流中，輸出電壓有效值V_rms，平均值為V_av，則為下列何者？　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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15. 如圖所示，該電路輸出電壓V_o為下列何者？
　

(A)7.05V　 (B)14.1V　 (C)28.2V　 (D)40V。

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16. 電晶體欲做線性放大器，應工作於下列何區？　

(A)截止區　 (B)飽和區　 (C)定電流區　 (D)主動區。

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17. 如圖所示，假設雙極性接面電晶體V_BE＝0.7，β＝100，R_B＝200kΩ，R_C＝4kΩ，則集極電壓V_C約為下列何者？
　

(A)1.4V　 (B)3.5V　 (C)12V　 (D)15V。

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18. 如圖所示，假設雙極性接面電晶體V_BE＝0.7V，β＝99，求I_B電流約為下列何者？
　

(A)0.003mA　 (B)0.022mA　 (C)0.3mA　 (D)0.7mA。

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19. 承上題，I_C電流值約為下列何者？　

(A)30mA　 (B)9.2mA　 (C)2.2mA　 (D)0.5mA。

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20. 某一電晶體經量測結果其β值為99，請問電晶體之α值為下列何者？　

(A)0.6　 (B)0.7　 (C)0.8　 (D)0.99。

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21. PNP矽型電晶體的等效電路圖為下列何者？　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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22. 假設電晶體之α＝0.995，基極電流I_B＝0.04mA，集極電流I_C＝4.0mA，則該電晶體工作於下列何區？　

(A)飽和區　 (B)作用區　 (C)截止區　 (D)線性區。

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23. 將雙載子電晶體當開關使用，若開關導通，則電晶體應工作於下列何區？　

(A)截止區　 (B)工作區　 (C)飽和區　 (D)線性區。

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24. 某電晶體放大電路的輸入／輸出特性曲線如圖所示，其種類與電路組態應為下列何者？
　

(A)NPN型，共集極　 (B)PNP型，共集極　 (C)NPN型，共射極　 (D)PNP型，共射極。

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25. 有一電晶體偏壓於作用區，測得I_B＝0.05mA、I_E＝5mA，則此電晶體的α參數值為下列何者？　

(A)0.01　 (B)0.99　 (C)9.9　 (D)100。

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26. 電晶體射極旁路電容C_E之主要功用為下列何者？　

(A)提高電壓增益　 (B)防止直流電通過　 (C)防止短路　 (D)濾波功能。

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27. 有一放大器將2mV信號放大至20V，其電壓增益為下列何者？　

(A)100dB　 (B)80dB　 (C)60dB　 (D)40dB。

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28. 有一30W輸出的放大器連接至30Ω揚聲器上，若放大器的電壓增益為40dB，試求額定輸出時其輸入電壓為下列何者？　

(A)75mV　 (B)150mV　 (C)300mV　 (D)400mV。

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29. 在一RC耦合的電路中，C值必須甚大，其原因為下列何者？　

(A)防止低頻衰減　 (B)穩定偏壓　 (C)降低直流功率損耗　 (D)隔離效果佳。

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30. 所謂半功率點是指增益衰減至中頻增益的多少倍？　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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31. 限制輸入信號振幅使其符合小信號定義，主要目標是使電路具有下列何種特性？　

(A)功率放大　 (B)穩定性佳　 (C)線性放大　 (D)頻率響應佳。

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32. 圖為何種放大電路的小信號等效電路？
　

(A)共射極　 (B)共基極　 (C)共集極　 (D)共源極。

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33. 假設某電晶體工作於線性區，V_T＝25mV，基極直流電I_B＝10μA，β＝99，求室溫下交流等效電阻r_e的值為下列何者？　

(A)10Ω　 (B)25Ω　 (C)50Ω　 (D)100Ω。

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34. 如圖所示電路，下列敘述何者正確？
　

(A)R_E可提供正回授，增加電路穩定性　 (B)R_E可提高電壓增益　 (C)小信號分析時，R_E被電容短路　 (D)R_E的值變大，輸出阻抗變大。

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35. 關於有射極電阻R_E（無射極旁路電容）之電晶體共射極放大電路之敘述，下列何者正確？　

(A)射極電阻R_E會有正回授作用　 (B)射極電阻R_E可降低輸入阻抗　 (C)射極電阻R_E會增加電路穩定度　 (D)射極電阻R_E會增加電壓增益。

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36. 有一JFET之汲極偏壓電流I_DSS＝3mA，其中V_GS(OFF)＝－3V，當此JFET工作於V_GS＝－1V時，其順向轉移互導g_m為多少毫姆歐？　

(A)1.33　 (B)2.67　 (C)3.55　 (D)3.85。

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37. 如圖所示之電路，R_G＝10kΩ，R_D＝10kΩ，若JFET場效電晶體之r_d＝10kΩ，g_m＝2.5mA/V（即μ＝25），其電壓增益A_v＝為下列何者？
　

(A)20　 (B)12.5　 (C)7.5　 (D)2.5。

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38. 如圖之電路中，若g_m＝5mA/V，R_S＝4kΩ，則輸出阻抗約為下列何者？
　

(A)100Ω　 (B)135Ω　 (C)190Ω　 (D)250Ω。

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39. 當一方波輸入至一微分器時，其輸出訊號為下列何者？　

(A)上下脈衝　 (B)正旋波　 (C)三角波　 (D)鋸齒波。

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40. 如圖，已知雙極性接面電晶體V_BE＝0.7V，β＝100，且I_B＝20μA，則電路集極電流I_C及射極電流I_E分別為下列何者？
　

(A)I_C＝1.5mA；I_E＝0.99mA　 (B)I_C＝1mA；I_E＝1.08mA　 (C)I_C＝2mA；I_E＝2.02mA　 (D)I_C＝0.98mA；I_E＝0.49mA。

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41. 下列敘述何者有誤？　

(A)FET具高輸入阻抗　 (B)FET的源極與汲極可以對調使用　 (C)FET增益與頻帶寬之乘積大於BJT　 (D)FET高頻響應較BJT不佳。

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42. 某MOSFET輸出特性曲線如下圖所示，下列敘述何者正確？
　

(A)V_GS＝－2V，代表元件工作於空乏模式　 (B)元件有預設的P通道連接S、D兩極　 (C)元件進入飽和區時I_D＝

　 (D)V_SG＝－8V，V_SD＝－1V　⇒I_D＝2mA。

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43. 對CMOS四個英文字的意義，下列何者有誤？　

(A)C代表互補－complementary　 (B)M代表記憶體－memory　 (C)O代表氧化物－oxide　 (D)S代表半導體－semiconductor。

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44. 如下圖所示電路，試問下列何者電阻是利用米勒（Miller）效應來提升輸入阻抗？
　

(A)R₁　 (B)R₂　 (C)R₃　 (D)R₄。

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45. 場效電晶體（FET）是利用下列何者效應控制流通電流的大小？　

(A)磁場　 (B)電場　 (C)電磁場　 (D)壓電。

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46. 有一差動放大器，其共模拒斥比CMRR＝1000，差動增益A_d＝100，兩個輸入訊號V_i1＝150μV，V_i2＝50μV，則輸出V_O為下列何者？　

(A)10.1mV　 (B)10.01mV　 (C)100.1mV　 (D)101mV。

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47. 下列何者不是理想運算放大器的特性？　

(A)輸入阻抗無限大　 (B)頻寬無限大　 (C)開回路增益無限大　 (D)輸出阻抗無限大。

台電公司考古題 107年 5月電子學

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