台電公司考古題,108年電子學 -愛舉手

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2. 帶電量1.6×10^－¹⁹庫倫的電子，通過1伏特的電位差，所需的能量為何？　

(A)1.6×10^－¹⁹電子伏特（eV）　 (B)1.6×10^－¹⁹焦耳　 (C)1焦耳　 (D)1瓦特。

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3. 若盤面中的保險絲燒毀，下列何種處置最為正確？　

(A)查明並排除燒毀原因　 (B)不立即復歸，過10分鐘後再通電　 (C)更換較大電流之保險絲　 (D)更換耐大電流電線。

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4. 現場作業時，欲確認盤面（電路板）上某一點是否帶電，可使用三用電錶進行確認，請問此時三用電錶最合適選用的檔位為何？　

(A)電流檔　 (B)歐姆檔　 (C)電壓檔　 (D)二極體檔。

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5. 矽、鍺半導體材料的導電性，隨溫度上升將產生何種變化？　

(A)成為絕緣體　 (B)減少　 (C)不變　 (D)增加。

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6. 在矽半導體材料中，摻入三價的雜質，請問將形成P型或N型半導體？半導體內部的多數載子為何？此塊半導體的電性為何？　

(A)P型半導體、電洞、電中性　 (B)P型半導體、電洞、正電　 (C)N型半導體、電子、電中性　 (D)N型半導體、電子、負電。

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7. 一般發光二極體，最主要的發光機制為何？　

(A)雪崩崩潰所誘發的發光現象　 (B)基板效應所產生的發光現象　 (C)電子、電洞藉由半導體中缺陷復合所產生的發光現象　 (D)電子、電洞在空乏區復合所產生的發光現象。

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8. 在未加壓情況下，PN接面的空乏區內，主要含有下列何者？　

(A)正離子與負離子　 (B)電子與電洞　 (C)電子　 (D)電洞。

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9. 若PN接面的空乏區兩側，P型半導體與N型半導體的摻雜（Doping）濃度不同，濃度較高者，該側空乏區寬度將如何變化？　

(A)較窄　 (B)相同於另一側　 (C)較寬　 (D)無法比較。

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10. 一般雙極接面電晶體（BJT）其基極(B)、集極(C)與射極(E)的摻雜濃度由大至小依序為何？　

(A)B＞C＞E　 (B)B＞E＞C　 (C)E＞C＞B　 (D)E＞B＞C。

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11. 如圖所示之電路，理想稽納二極體V_Z＝15V，若V_i＝20V，則V_o為何？
　

(A)10V　 (B)12V　 (C)15V　 (D)20V。

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12. 如圖所示之電路，V_i＝110sin（377t），輕載且正常工作時，則下列敘述何者正確？
　

(A)V_o漣波大小和L值無關　 (B)L值越小及C₂值越小，V_o漣波越小　 (C)L值越大及C₂值越大，V_o漣波越小　 (D)V_o漣波大小和C₂值無關。

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13. 一般常用NPN BJT與PNP BJT之工作頻率，下列敘述何者正確？　

(A)工作頻率完全相等　 (B)無法比較　 (C)PNP BJT工作頻率高於NPN BJT　 (D)NPN BJT工作頻率高於PNP BJT。

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14. 利用BJT作小信號的線性放大器，為避免輸出信號失真情形，必須施加適當的偏壓使工作點（Operating Point）落在何區域內？　

(A)作用區（Active Region）與飽和區（Saturation Region）交界　 (B)作用區（Active Region）內　 (C)截止區（Cut-off Region）內　 (D)飽和區（Saturation Region）內。

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15. 對於需要具備低輸入阻抗及高輸出阻抗，卻不要求高電流增益的電路而言（如電流緩衝器），最適合採用下列哪一種形式之電晶體放大電路？　

(A)共基極放大電路　 (B)共集極放大電路　 (C)無射極電阻之共射極放大電路　 (D)有射極電阻之共射極放大電路。

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16. 如圖所示之電路，若BJT之β＝1000，V_BE＝0.7V，則V_CE約為何？
　

(A)2.5V　 (B)3.2V　 (C)4.3V　 (D)6.4V。

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17. 承第16題，假設不考慮V_A（Early Effect）效應，其電壓增益約為何？　

(A)0.1　 (B)1.5　 (C)10　 (D)50。

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18. 某N通道接面型場效電晶體（JFET）之夾止電壓（Pinch-Off Voltage）V_p＝－4V且源極電壓V_s＝0V，則下列何者情況下，電晶體可工作於飽和區？　

(A)V_G＝－5V，V_D＝1V　 (B)V_G＝－2V，V_D＝1V　 (C)V_G＝0V，V_D＝0V　 (D)V_G＝0V，V_D＝5V。

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19. 下列放大電路中，何者電流增益略小於1？　

(A)共集極放大電路　 (B)共基極放大電路　 (C)共射極放大電路　 (D)共源極放大電路。

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20. 如圖所示，若BJT之β＝50，切入電壓V_BE＝0.7V，則集射極電壓V_CE約為何？
　

(A)4.8V　 (B)5.3V　 (C)6.8V　 (D)9.3V。

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21. 如圖所示，若BJT之β＝100，V_CE＝5V，V_BE＝0.7V，則R_B值約為何？
　

(A)23kΩ　 (B)41kΩ　 (C)65kΩ　 (D)87kΩ。

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22. 如圖所示，兩BJT之β＝80，V_BE皆為0.7V，若不需考慮V_A（Early Effect），且r_π很小可忽略的情況下，則輸入阻抗Z₁為何？
　

(A)4kΩ　 (B)81kΩ　 (C)162kΩ　 (D)324kΩ。

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23. 承第22題，輸入阻抗Z₂之值約為何？　

(A)1.73MΩ　 (B)3MΩ　 (C)6.4MΩ　 (D)12.8MΩ。

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24. 串級放大電路作直流分析時，耦合電容及射極旁路電容可分別視為下列何者？　

(A)開路、開路　 (B)短路、短路　 (C)短路、開路　 (D)開路、短路。

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25. 下列何者為運算放大器輸出電壓之最大變化率？　

(A)輸出電壓擺幅　 (B)共模拒斥比（CMRR）　 (C)輸入抵補電壓　 (D)轉動率（Slew Rate, SR）。

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26. 如圖所示之理想運算放大器電路，其電壓增益之值為何？
　

(A)10　 (B)220　 (C)440　 (D)620。

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27. 有關差動放大器的特性，A_C（共模增益）及A_d（差模增益），下列敘述何者有誤？　

(A)A_C越小越好　 (B)A_d越小越好　 (C)共模拒斥比（CMRR）定義為

　 (D)共模拒斥比（CMRR），越大越能抑制雜訊。

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28. 有一串級放大器，其第一級電壓增益為25，第二級電壓增益為4。請問在此狀況下，其總電壓增益為何？　

(A)30dB　 (B)40dB　 (C)80dB　 (D)100dB。

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29. 有一N通道接面型場效電晶體（JFET），若V_GS＝－2V，且V_GS(off)＝－4V，則當V_DS＝1V與V_DS＝5V時，此場效電晶體分別工作於何種區域？　

(A)截止區、歐姆區　 (B)截止區、飽和區　 (C)歐姆區、飽和區　 (D)飽和區、歐姆區。

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30. 如圖所示放大電路，V_io為考慮運算放大器輸入抵補電壓後之等效電壓值。若V_i(t)＝0V時，測得V_o(t)＝20mV，則V_io為何？
　

(A)2.5mV　 (B)5mV　 (C)10mV　 (D)20mV。

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31. 如圖所示之電路，在截止頻率時其電壓增益值約為何？
　

(A)2dB　 (B)－2dB　 (C)3dB　 (D)－3dB。

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32. 關於濾波器的敘述，下列何者正確？　

(A)高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器　 (B)高通濾波器與低通濾波器並聯可組成帶通濾波器　 (C)RC低通濾波器的電容值與截止頻率成正比　 (D)RC高通濾波器的電容值與截止頻率成正比。

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33. 如圖所示，假設Q₁、Q₂電晶體之參數完全相同，且電晶體之基極電流可忽略不計，V_T＝25m，試求電路之小訊號電壓增益約為何？
　

(A)－132　 (B)101　 (C)－68　 (D)56。

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34. 如圖所示，假設經由小訊號分析得知Z₁＝2MΩ，則其電流增益約為何？
　

(A)1,000　 (B)1,200　 (C)3,200　 (D)4,800。

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35. 有關場效電晶體FET之敘述，下列何者正確？　

(A)不適合雙向開關使用　 (B)抵補電壓（Offset Voltage）極高　 (C)不適合作超大型積體電路　 (D)輸入阻抗極高。

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36. 下列敘述何者有誤？　

(A)MOSFET電晶體為單極性（Unipolar）電晶體　 (B)MOSFET電晶體為一種電流控制元件　 (C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體的閘極輸入阻抗小　 (D)BJT電晶體為雙極性（Bipolar）電晶體。

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37. 如圖所示，V_D＝15V，V_GS＝－3V，則R_s為何？
　

(A)1.5kΩ　 (B)2kΩ　 (C)3kΩ　 (D)4.5kΩ。

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38. 如圖所示，若MOSFET之臨限電壓（Threshold Voltage）為2V，閘源極間電壓V_GS＝4V時，其汲極電流I_D(on)＝20mA，則此電路之汲源極間電壓V_DS及汲極電流I_D分別約為何？
　

(A)3.4V、18.4mA　 (B)4.3V、18.4mA　 (C)5.4V、15.3mA　 (D)4.5V、15.3mA。

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39. 如圖所示，若一電阻電容耦合串級放大器電路之頻率響應，f_L與f_H分別為低頻與高頻截止頻率，則電路的低頻增益衰減現象由下列何者所造成？
　

(A)雜散電容　 (B)極間電容　 (C)分佈電阻　 (D)耦合電容。

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40. 如圖所示，R_G＝10kΩ，R_D＝5kΩ，若JFET之r_ds＝20kΩ，g_m＝1.5（mA/V），電壓增益為何？
　

(A)－2　 (B)－4　 (C)－6　 (D)－8。

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41. 如圖所示JFET共源極放大電路，若JFET之轉移電導g_m＝2（mA/V），輸出電阻r_d＝40kΩ，則放大電路的電流增益為何？
　

(A)－200　 (B)－250　 (C)－400　 (D)－500。

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42. 如圖所示，若JFET的轉移電導g_m＝4（mA/V），不考慮汲極輸出電阻時，則輸出電阻Z_o為何？
　

(A)100Ω　 (B)200Ω　 (C)250Ω　 (D)1000Ω。

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43. 有關JFET共汲極放大電路之敘述，下列何者正確？　

(A)又稱為源極隨耦器　 (B)電壓增益甚高　 (C)輸出訊號與輸入訊號相位相反　 (D)電流增益低於1。

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44. 某N通道增強型MOSFET放大電路，MOSFET之臨限電壓（Threshold Voltage）V_t＝2V，參數K＝0.3（mA/V²），若MOSFET工作於夾止區（飽和區），且閘源極間電壓V_GS＝4V，則轉移電導g_m為何？　

(A)0.6mA/V　 (B)1.2mA/V　 (C)1.8mA/V　 (D)2.4mA/V。

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45. 有關場效電晶體放大器之敘述，下列何者有誤？　

(A)共源極（CS）放大器輸入阻抗大，適合輸入電壓訊號　 (B)共閘極（CG）放大器輸入阻抗小，適合輸入電流訊號　 (C)共汲極（CD）放大器輸出與輸入電壓訊號同相，適合作電壓放大器　 (D)共汲極（CD）放大器輸入阻抗大，適合輸入電壓訊號。

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46. 如圖所示電路，假設使用理想運算放大器，R₁＝R₄＝10kΩ，R₂＝20kΩ，C₁＝0.2μF，C₂＝0.1μF，試求在巴克豪森（Barkhausen）準則下，此電路產生振盪的R₃值為何？
　

(A)10kΩ　 (B)20kΩ　 (C)40kΩ　 (D)60kΩ。

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47. 使用非反相放大器之韋恩電橋（Wien-Bridge）振盪電路，若要產生振盪，則回授網路相移角度為何？　

(A)0°　 (B)90°　 (C)180°　 (D)270°。

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48. 如圖所示運算放大器之RC相移電路，其振盪頻率與振盪條件下列何者正確？
　

(A)ω_o＝

且R₂/R≧8　 (B)ω_o＝

且R₂/R≧29　 (C)ω_o＝

且R₂/R≧8　 (D)ω_o＝

且R₂/R≧29。

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