台電公司考古題,電子學 (收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題)-愛舉手

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1. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？　(107年12月考題)　

(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄　 (B)在本質半導體摻雜五價元素，可形成N型半導體　 (C)在純質矽（silicon）晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導體　 (D)N型半導體中的多數載子為電洞。

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2. 已知NPN電晶體的V_BE＝0.7V，V_CE＝2.5V，則此電晶體操作在哪個區域？　(107年12月考題)　

(A)截止區　 (B)飽和區　 (C)工作區　 (D)崩潰區。

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3. 對一具有源極旁路電容之共源極放大器，如將其旁路電容器移走時，則下列何者正確？　(107年12月考題)　

(A)輸入電阻變小　 (B)輸入電阻變大　 (C)電壓增益降低　 (D)電壓增益增加。

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4. 如圖所示，假設D₁與D₂為理想二極體，請求出電壓V₂為何？
　(107年12月考題)　

(A)1.5V　 (B)3V　 (C)4.5V　 (D)6V。

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5. 如圖所示電路及電晶體之特性曲線，假設電晶體原來的工作點為Q點，則當R_B電阻值變大時，新的工作點應近似於下列何者？
　(107年12月考題)　

(A)A點　 (B)B點　 (C)C點　 (D)D點。

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6. 理想放大器的輸入阻抗與輸出阻抗分別為多少歐姆？　(107年12月考題)　

(A)∞、0　 (B)0、0　 (C)∞、∞　 (D)0、∞。

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7. 有一差動放大器之共模拒斥比（CMRR）值為40dB，若差動增益為1000，則當輸入為1.001V、0.999V時，輸出值V_o為何？　(107年12月考題)　

(A)6V　 (B)8V　 (C)10V　 (D)12V。

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8. 下列何者為電子電路中，設計正回授之目的？　(107年12月考題)　

(A)使電路特性更穩定　 (B)減少雜訊　 (C)供作振盪器使用　 (D)增加頻寬。

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9. 如圖所示，電晶體Q₁與Q₂有相同特性，若V_CC＝20V，V_EE＝－10V，電阻R₁＝R₂＝R₃＝5kΩ，V₁＝V₂＝0V，輸出電壓V₀值為何？
　(107年12月考題)　

(A)15V　 (B)12V　 (C)9V　 (D)6V。

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10. 圖為理想放大器，請求該電路之電壓增益為何？
　(107年12月考題)　

(A)－2010　 (B)－1020　 (C)1020　 (D)2010。

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11. 如圖所示，兩個MOSFET之寬長W/L比為(W/L)₁＝4(W/L)₂，設MOSFET導通的臨界電壓V_t1＝V_t2＝2V，則V₀值為何？
　(107年12月考題)　

(A)2V　 (B)4V　 (C)6V　 (D)8V。

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12. 某場效電晶體的導電參數K＝2mA/V²，若直流工作點的汲極電流為8mA，試求互導g_m為何？　(107年12月考題)　

(A)2mS　 (B)4mS　 (C)6mS　 (D)8mS。

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13. 下列何種摻雜行為的改變，可增加BJT電晶體的電流增益？　(107年12月考題)　

(A)基極摻雜濃度降低與射極濃度增加　 (B)基極與射極摻雜濃度均增加　 (C)基極摻雜濃度增加與射極濃度降低　 (D)基極與射極摻雜濃度均降低。

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14. 有關場效電晶體（FET）之敘述，下列何者有誤？　(107年12月考題)　

(A)可分成N通道與P通道兩種　 (B)輸入阻抗較雙極性電晶體（BJT）為低　 (C)MOSFET又分成空乏型與增強型兩種　 (D)主要可分成JFET及MOSFET兩種。

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15. 如圖所示，基極電壓為0.7V，集極電壓為2V，若熱電壓V_T為25mV，則r_π值為何？
　(107年12月考題)　

(A)25Ω　 (B)250Ω　 (C)400Ω　 (D)800Ω。

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16. 下列何種振盪器不需外部觸發便可自行起振？　(107年12月考題)　

(A)無穩態多諧振盪器　 (B)單穩態多諧振盪器　 (C)雙穩態多諧振盪器　 (D)舒密特觸發器。

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17. N通道空乏型MOSFET的I_DSS＝8mA，V_GS(OFF)＝－4V，而在V_GS＝0V的情況下，I_D值為何？　(107年12月考題)　

(A)0mA　 (B)2mA　 (C)4mA　 (D)8mA。

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18. 電晶體放大電路的各種組態中，共汲極放大電路與下列何種組態的放大電路之特性最相似？　(107年12月考題)　

(A)共射極　 (B)共集極　 (C)共基極　 (D)共閘極。

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19. 某N通道JFET，V_P＝－4V，當V_GS＝－1V時，欲使該JFET工作於飽和區，所需的V_DS值範圍為何？　(107年12月考題)　

(A)V_DS≥3V　 (B)V_DS≤3V　 (C)V_DS≥4V　 (D)V_DS≤1V。

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20. 齊納（Zener）電壓調整電路如圖所示，其中齊納二極體之V_Z＝10V，I_Z＝5mA～20mA，若V_i＝100V，請問電阻R值需為多少，才能使齊納二極體在I_L＝0～I_L(max)之間進行調節，且I_L(max)為何？
　(107年12月考題)　

(A)R＝25kΩ，I_L(max)＝25mA　 (B)R＝18kΩ，I_L(max)＝20mA　 (C)R＝4.5kΩ，I_L(max)＝20mA　 (D)R＝4.5kΩ，I_L(max)＝15mA。

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21. 在放大器頻率響應曲線中，f_L表示增益低頻截止頻率，f_H表示增益高頻截止頻率，此放大器的頻帶寬度BW為何？　(107年12月考題)　

(A)2f_H－f_L　 (B)f_H＋f_L　 (C)f_H－f_L　 (D)f_H－2f_L。

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22. 有一低通、三級放大電路，若輸入頻率高於高截止頻率時，則每增加10倍，增益減少多少dB？　(107年12月考題)　

(A)20　 (B)40　 (C)60　 (D)80。

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23. NPN電晶體工作在飽和區時，下列敘述何者正確？　(107年12月考題)　

(A)V_E＞V_B＞V_C　 (B)V_B＞V_C＞V_E　 (C)V_B＞V_E＞V_C　 (D)V_C＞V_B＞V_E。

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24. 有關差動放大器的敘述，下列何者有誤？　(107年12月考題)　

(A)共模拒斥比CMRR定義為：差模增益A_d與共模增益A_c的比值　 (B)共模拒斥比CMRR，愈大愈能抑制雜訊　 (C)共模增益A_c愈小愈好　 (D)差模增益A_d愈小愈好。

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25. 如下圖所示，若R₁＝3MΩ，R₂＝1MΩ，R_D＝4kΩ，r_d→∞，求輸入阻抗為何？
　(107年12月考題)　

(A)750kΩ　 (B)1MΩ　 (C)1.2MΩ　 (D)1.5MΩ。

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26. 有關BJT共射極（CE）、共集極（CC）和共基極（CB）基本組態放大電路特性之比較，下列何者正確？　(107年12月考題)　

(A)輸入阻抗：CB＞CE＞CC　 (B)輸出阻抗：CE＞CC＞CB　 (C)電壓增益：CB＞CE＞CC　 (D)功率增益：CC＞CE＞CB。

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27. 兩電壓v₁(t)＝8cos（20πt＋13°）及v₂(t)＝4sin（20πt＋45°），則兩電壓之相位差為多少？　(107年12月考題)　

(A)58°　 (B)45°　 (C)32°　 (D)13°。

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28. 如圖所示，交流電壓v(t)＝150sin（377t－30°），交流電流i(t)＝10sin（377t），則負載Z_L的特性為何？
　(107年12月考題)　

(A)電容性　 (B)電感性　 (C)電阻性　 (D)無法判定。

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29. 有一40W功率輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器，若放大器的電壓增益為40dB且額定輸出時，求其輸入電壓為何？　(107年12月考題)　

(A)40mV　 (B)0.1V　 (C)0.2V　 (D)0.4V。

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30. 關於FET與BJT電晶體的比較，下列何者有誤？　(107年12月考題)　

(A)FET的輸入阻抗較BJT高　 (B)FET比BJT較適合應用於超大型積體電路中　 (C)FET的熱穩定性較BJT好　 (D)FET的增益與頻寬的乘積較BJT大。

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31. 某N通道JFET之夾止電壓（pinch-off voltage）V_P＝－4V、I_DSS＝16mA，當其閘極電壓V_G＝－6V、源極電壓V_S＝0V、汲極電壓V_D＝5V時，則汲極電流I_D為何？　(107年12月考題)　

(A)0mA　 (B)4mA　 (C)8mA　 (D)16mA。

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32. 如圖所示，假設運算放大器飽和時之最大輸出電壓為±15V，求其遲滯電壓V_H為何？
　(107年12月考題)　

(A)3V　 (B)4V　 (C)5V　 (D)6V。

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33. 如圖所示，各級之電壓增益分別如圖中之標示，則此電路之總電壓增益為何？
　(107年12月考題)　

(A)60dB　 (B)80dB　 (C)120dB　 (D)160dB。

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34. 圖中電晶體作為開關使用，欲使燈泡亮起，下列敘述何者正確？
　(107年12月考題)　

(A)基－射極接面為逆向偏壓，基－集極接面為順向偏壓　 (B)基－射極接面為逆向偏壓，基－集極接面為逆向偏壓　 (C)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為逆向偏壓　 (D)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為順向偏壓。

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35. 如下圖所示，此電路之輸入電壓與輸出電壓轉換曲線為何？
　(107年12月考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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36. R-L-C串聯諧振電路產生諧振時，下列敘述何者有誤？　(107年12月考題)　

(A)總阻抗約等於電阻值　 (B)線路電流為最小　 (C)線路品質因數（Quality Factor）為Q＝

　 (D)諧振頻率為f_r＝

。

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37. 若運算放大器的轉動率為0.5V/μs，其輸出訊號為峰值±5V的對稱三角波，則在不失真的情況下，此訊號頻率最高為何？　(107年12月考題)　

(A)20kHz　 (B)25kHz　 (C)30kHz　 (D)50kHz。

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38. 若量測電路中的PNP型雙極性接面電晶體，得知其射極接地，基極電壓為0.7V，集極電壓為－3V，請問電晶體操作在哪個區域？　(107年12月考題)　

(A)截止區　 (B)順向主動區　 (C)飽和區　 (D)逆向主動區。

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39. 如下圖所示，V_O約為何？
　(107年12月考題)　

(A)－10V　 (B)－6V　 (C)10V　 (D)12V。

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40. 如下圖所示，已知該電晶體截止電壓V_GS(off)＝－5V，直流閘源極電壓V_GS＝－4V時，I_D＝0.35mA，則R₁/R₂值為何？
　(107年12月考題)　

(A)2　 (B)3　 (C)4　 (D)5。

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41. 如圖所示，正常工作下輸出電壓波形為三角波時，則其輸入電壓波形下列何者正確？
　(107年12月考題)　

(A)方波　 (B)正弦波　 (C)三角波　 (D)鋸齒波。

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42. 如下圖所示，當理想運算放大器在不飽和情況下，輸出電壓V_O為何？
　(107年12月考題)　

(A)－0.5V　 (B)－1V　 (C)－2V　 (D)－4V。

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43. NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.25%在基極與電洞結合，其餘99.75%被集極收集，則此電晶體之β值為何？　(107年12月考題)　

(A)99　 (B)199　 (C)299　 (D)399。

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44. 有一變壓器的匝數比為10：1，若在低壓側接上一個8Ω的揚聲器，請問在高壓側測得的阻抗為何？　(107年12月考題)　

(A)0.8Ω　 (B)8Ω　 (C)80Ω　 (D)800Ω。

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45. 如圖所示，R₁＝R₂＝R₃＝100kΩ，R_A＝10kΩ，若欲設計輸出電壓V_O＝V₁＋V₂＋V₃，則R_B為何？
　(107年12月考題)　

(A)5kΩ　 (B)10kΩ　 (C)20kΩ　 (D)30kΩ。

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46. 如圖所示，若電晶體保持在主動區工作，當提高R_C值而V_CC及R_B值保持不變，則下列敘述何者正確？
　(107年12月考題)　

(A)工作點不變　 (B)工作點朝飽和區反方向移動　 (C)基極電流增加　 (D)工作點朝飽和區方向移動。

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47. 如圖所示，若V_O＝8V，則V_i應為何？
　(107年12月考題)　

(A)－4V　 (B)－3V　 (C)1V　 (D)2V。

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48. 如圖所示，此曲線為下列何種場效電晶體的I_D－V_GS特性曲線？（V_T為臨界電壓）
　(107年12月考題)　

(A)N通道JFET　 (B)N通道空乏型MOSFET　 (C)P通道增強型MOSFET　 (D)N通道增強型MOSFET。

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49. 某一N通道JFET的汲極飽和電流I_DSS＝16mA，汲極電流I_D＝4mA，若截止電壓V_GS(off)為－3V，則閘源極電壓V_GS為何？　(107年12月考題)　

(A)－2.5V　 (B)－1.5V　 (C)1.5V　 (D)2.5V。

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50. 如圖所示，若I_D＝2mA，R_D＝5kΩ，R_S＝1kΩ，R_G＝1MΩ，則V_D與V_GS（V_GS＝V_G－V_S）分別為何？
　(107年12月考題)　

(A)－5V，－2V　 (B)－5V，2V　 (C)5V，－2V　 (D)5V，2V。

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51. 若有一電荷載有4×10¹⁶個電子，試求該電荷帶有多少電量？　(107年5月考題)　

(A)－1.8×10^－²⁰庫倫　 (B)－1.6×10^－¹⁹庫倫　 (C)－2×10^－⁹庫倫　 (D)－6.4×10^－³庫倫。

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52. 已知某一信號的週期是0.04秒，其頻率為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)25Hz　 (B)40Hz　 (C)250Hz　 (D)400Hz。

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53. 已知一交流電壓V(t)＝100sin（ωt－270°）V，週期T＝0.01秒，當t＝0.01秒時，V(t)之瞬間電壓值為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)100V　 (B)－100V　 (C)50V　 (D)－50V。

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54. 下列敘述何者正確？　(107年5月考題)　

(A)電晶體比真空管效率低　 (B)電晶體比真空管成本高　 (C)電晶體比真空管耗電　 (D)電晶體比真空管體積小。

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55. 某一直流電源供應器未接任何負載時，輸出電壓為30V，接上滿負載後，輸出電壓為28.5V，則其V.R.%約為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)5.3%　 (B)2.5%　 (C)0.95%　 (D)－2.5%。

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56. 某矽二極體在溫度30°C時的逆向飽和電流為3nA，若溫度上升至90°C時，則逆向飽和電流為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)125nA　 (B)150nA　 (C)192nA　 (D)180nA。

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57. 有一個矽二極體在室溫25°C時，端電壓為0.77V，當溫度上升至95°C時，端電壓為下列何者？註：＝＋（T₂－T₁）×（－2.5mV/°C）　(107年5月考題)　

(A)0.7V　 (B)0.688V　 (C)0.658V　 (D)0.595V。

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58. 使一LED發亮至少應流過多少電流？　(107年5月考題)　

(A)10～15μA　 (B)500～600mA　 (C)100～200mA　 (D)10～15mA。

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59. 如圖所示，二極體為理想二極體，求電路中電流I為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)5mA　 (B)4mA　 (C)3mA　 (D)2mA。

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60. 如圖所示，假設稽納二極體順向時為理想二極體，V_i＝6sin（ωt）V，R＝500Ω，則V_o最大值為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)2V　 (B)3V　 (C)5V　 (D)6V。

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61. 如圖所示，V_i＝2V，二極體切入電壓0.7V，V_o為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)5V　 (B)2V　 (C)1.3V　 (D)0.7V。

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62. 關於價電子與自由電子的敘述，下列何者有誤？　(107年5月考題)　

(A)價電子位於原子核最外層軌道　 (B)復合（recombination）造成自由電子與電洞的消失　 (C)自由電子位於傳導帶　 (D)熱游離（thermal ionization）造成相同數目，相同濃度的自由電子及價電子。

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63. 有一半波整流電路，負載為電阻，已知輸出直流電壓為45V，試求輸入電壓有效值約為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)45V　 (B)63.6V　 (C)90V　 (D)100V。

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64. 已知全波整流中，輸出電壓有效值V_rms，平均值為V_av，則為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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65. 如圖所示，該電路輸出電壓V_o為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)7.05V　 (B)14.1V　 (C)28.2V　 (D)40V。

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66. 電晶體欲做線性放大器，應工作於下列何區？　(107年5月考題)　

(A)截止區　 (B)飽和區　 (C)定電流區　 (D)主動區。

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67. 如圖所示，假設雙極性接面電晶體V_BE＝0.7，β＝100，R_B＝200kΩ，R_C＝4kΩ，則集極電壓V_C約為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)1.4V　 (B)3.5V　 (C)12V　 (D)15V。

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68. 如圖所示，假設雙極性接面電晶體V_BE＝0.7V，β＝99，求I_B電流約為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)0.003mA　 (B)0.022mA　 (C)0.3mA　 (D)0.7mA。

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69. 如圖所示，假設雙極性接面電晶體V_BE＝0.7V，β＝99，I_C電流值約為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)30mA　 (B)9.2mA　 (C)2.2mA　 (D)0.5mA。

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70. 某一電晶體經量測結果其β值為99，請問電晶體之α值為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)0.6　 (B)0.7　 (C)0.8　 (D)0.99。

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71. PNP矽型電晶體的等效電路圖為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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72. 假設電晶體之α＝0.995，基極電流I_B＝0.04mA，集極電流I_C＝4.0mA，則該電晶體工作於下列何區？　(107年5月考題)　

(A)飽和區　 (B)作用區　 (C)截止區　 (D)線性區。

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73. 將雙載子電晶體當開關使用，若開關導通，則電晶體應工作於下列何區？　(107年5月考題)　

(A)截止區　 (B)工作區　 (C)飽和區　 (D)線性區。

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74. 某電晶體放大電路的輸入／輸出特性曲線如圖所示，其種類與電路組態應為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)NPN型，共集極　 (B)PNP型，共集極　 (C)NPN型，共射極　 (D)PNP型，共射極。

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75. 有一電晶體偏壓於作用區，測得I_B＝0.05mA、I_E＝5mA，則此電晶體的α參數值為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)0.01　 (B)0.99　 (C)9.9　 (D)100。

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76. 電晶體射極旁路電容C_E之主要功用為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)提高電壓增益　 (B)防止直流電通過　 (C)防止短路　 (D)濾波功能。

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77. 有一放大器將2mV信號放大至20V，其電壓增益為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)100dB　 (B)80dB　 (C)60dB　 (D)40dB。

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78. 有一30W輸出的放大器連接至30Ω揚聲器上，若放大器的電壓增益為40dB，試求額定輸出時其輸入電壓為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)75mV　 (B)150mV　 (C)300mV　 (D)400mV。

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79. 在一RC耦合的電路中，C值必須甚大，其原因為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)防止低頻衰減　 (B)穩定偏壓　 (C)降低直流功率損耗　 (D)隔離效果佳。

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80. 所謂半功率點是指增益衰減至中頻增益的多少倍？　(107年5月考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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81. 限制輸入信號振幅使其符合小信號定義，主要目標是使電路具有下列何種特性？　(107年5月考題)　

(A)功率放大　 (B)穩定性佳　 (C)線性放大　 (D)頻率響應佳。

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82. 圖為何種放大電路的小信號等效電路？
　(107年5月考題)　

(A)共射極　 (B)共基極　 (C)共集極　 (D)共源極。

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83. 假設某電晶體工作於線性區，V_T＝25mV，基極直流電I_B＝10μA，β＝99，求室溫下交流等效電阻r_e的值為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)10Ω　 (B)25Ω　 (C)50Ω　 (D)100Ω。

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84. 如圖所示電路，下列敘述何者正確？
　(107年5月考題)　

(A)R_E可提供正回授，增加電路穩定性　 (B)R_E可提高電壓增益　 (C)小信號分析時，R_E被電容短路　 (D)R_E的值變大，輸出阻抗變大。

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85. 關於有射極電阻R_E（無射極旁路電容）之電晶體共射極放大電路之敘述，下列何者正確？　(107年5月考題)　

(A)射極電阻R_E會有正回授作用　 (B)射極電阻R_E可降低輸入阻抗　 (C)射極電阻R_E會增加電路穩定度　 (D)射極電阻R_E會增加電壓增益。

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86. 有一JFET之汲極偏壓電流I_DSS＝3mA，其中V_GS(OFF)＝－3V，當此JFET工作於V_GS＝－1V時，其順向轉移互導g_m為多少毫姆歐？　(107年5月考題)　

(A)1.33　 (B)2.67　 (C)3.55　 (D)3.85。

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87. 如圖所示之電路，R_G＝10kΩ，R_D＝10kΩ，若JFET場效電晶體之r_d＝10kΩ，g_m＝2.5mA/V（即μ＝25），其電壓增益A_v＝為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)20　 (B)12.5　 (C)7.5　 (D)2.5。

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88. 如圖之電路中，若g_m＝5mA/V，R_S＝4kΩ，則輸出阻抗約為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)100Ω　 (B)135Ω　 (C)190Ω　 (D)250Ω。

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89. 當一方波輸入至一微分器時，其輸出訊號為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)上下脈衝　 (B)正旋波　 (C)三角波　 (D)鋸齒波。

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90. 如圖，已知雙極性接面電晶體V_BE＝0.7V，β＝100，且I_B＝20μA，則電路集極電流I_C及射極電流I_E分別為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)I_C＝1.5mA；I_E＝0.99mA　 (B)I_C＝1mA；I_E＝1.08mA　 (C)I_C＝2mA；I_E＝2.02mA　 (D)I_C＝0.98mA；I_E＝0.49mA。

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91. 下列敘述何者有誤？　(107年5月考題)　

(A)FET具高輸入阻抗　 (B)FET的源極與汲極可以對調使用　 (C)FET增益與頻帶寬之乘積大於BJT　 (D)FET高頻響應較BJT不佳。

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92. 某MOSFET輸出特性曲線如下圖所示，下列敘述何者正確？
　(107年5月考題)　

(A)V_GS＝－2V，代表元件工作於空乏模式　 (B)元件有預設的P通道連接S、D兩極　 (C)元件進入飽和區時I_D＝

　 (D)V_SG＝－8V，V_SD＝－1V　→I_D＝2mA。

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93. 對CMOS四個英文字的意義，下列何者有誤？　(107年5月考題)　

(A)C代表互補－complementary　 (B)M代表記憶體－memory　 (C)O代表氧化物－oxide　 (D)S代表半導體－semiconductor。

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94. 如下圖所示電路，試問下列何者電阻是利用米勒（Miller）效應來提升輸入阻抗？
　(107年5月考題)　

(A)R₁　 (B)R₂　 (C)R₃　 (D)R₄。

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95. 場效電晶體（FET）是利用下列何者效應控制流通電流的大小？　(107年5月考題)　

(A)磁場　 (B)電場　 (C)電磁場　 (D)壓電。

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96. 有一差動放大器，其共模拒斥比CMRR＝1000，差動增益A_d＝100，兩個輸入訊號V_i1＝150μV，V_i2＝50μV，則輸出V_O為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)10.1mV　 (B)10.01mV　 (C)100.1mV　 (D)101mV。

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97. 下列何者不是理想運算放大器的特性？　(107年5月考題)　

(A)輸入阻抗無限大　 (B)頻寬無限大　 (C)開回路增益無限大　 (D)輸出阻抗無限大。

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98. 以轉動率（slew rate）1V/μs之運算放大器當成隨耦電路，若輸入脈波（pulse）高度為0.2V，要使輸出電壓能達到最大值，則輸入脈波的寬度最小值為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)50ns　 (B)100ns　 (C)200ns　 (D)500ns。

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99. 下圖中的OPA皆為理想運算放大器，其電壓增益為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)36　 (B)25　 (C)－25　 (D)－30。

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100. 如圖所示之韋恩振盪器，若R₁＝R₂＝R，C₁＝C₂＝C且R₃≥2R₄，則其振盪頻率f_o為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)2RC。

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101. 一汽車用蓄電池，用5A電流充電時，端電壓為12.4V，用3A電流充電時，其端電壓為13V，則該蓄電池的內阻為多少？　(104年度考題)

(A)0.6Ω (B)0.5Ω (C)0.4Ω (D)0.3Ω。

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102. 關於橋式整流電路，下列敘述何者有誤？　(104年度考題)

(A)為一全波整流電路 (B)二極體之PIV＝2V_m (C)輸出頻率為電源頻率之兩倍 (D)輸出直流電壓＝2V_m/π。

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103. 家用的交流電源110V、60Hz，經半波整流，但未濾波，則此整流後電壓平均值約為多少？　(104年度考題)

(A)70V (B)60V (C)50V (D)40V。

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104. 如圖所示之電路，若D屬理想二極體，則下列何種做法對改善其漣波因數（ripple factor）的效果最差？
　(104年度考題)

(A)將電容值加大 (B)將輸入電壓變小 (C)將電阻值加大 (D)改用全波整流。

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105. 如圖所示之橋式整流電路，假設二極體均為理想二極體，當輸入交流電壓V_in(t)大於0伏特時，請問二極體的狀態，下列何者正確？
　(104年度考題)

(A)D1、D3導通，D2、D4不導通 (B)D2、D4導通，D1、D3不導通 (C)D1、D4導通，D2、D3不導通 (D)D2、D3導通，D1、D4不導通。

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106. 如圖所示之某倍壓電路，其輸出直流電壓約為幾伏特？　(104年度考題)

(A)141V (B)100V (C)200V (D)75V。

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107. 有一電壓源v(t)＝－3＋，其平均值電壓與有效值電壓比約為多少？　(104年度考題)

(A)－1 (B)0 (C)0.75 (D)－0.6。

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108. 如圖所示，若其頻率為4kHz，則其工作週期（duty cycle）為多少？
　(104年度考題)

(A)10% (B)20% (C)30% (D)40%。

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109. 如圖所示之電路，二極體皆為鍺質二極體，則I約為多少？
　(104年度考題)

(A)2mA (B)1.8mA (C)2.8mA (D)3.8mA。

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110. 如下圖所示之電路，流過稽納（Zener）二極體之電流約為多少？
　(104年度考題)

(A)3.7mA (B)3.1mA (C)1.6mA (D)0.63mA。

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111. 下列有關PN接面二極體的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)矽二極體的障壁電壓（barrier potential）較鍺二極體高 (B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄 (C)溫度上升時，障壁電壓上升 (D)溫度上升時，漏電流上升。

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112. 下列何者二極體一般不是工作於逆向偏壓？　(104年度考題)

(A)光二極體（photo diode） (B)稽納二極體（Zener diode） (C)變容二極體（varactor） (D)蕭基二極體（Schottky diode）。

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113. 在雙載子接面電晶體（BJT）放大器中，具有最大電壓增益與電流增益乘積的是何種組態？　(104年度考題)

(A)共基極放大器 (B)共射極放大器 (C)共集極放大器 (D)共汲極放大器。

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114. 如圖所示電路，若h_re＝h_oe＝0，h_ie＝1kΩ，h_fe＝100，則V_i點與接地間的輸入阻抗為多少？
　(104年度考題)

(A)150kΩ (B)180kΩ (C)190kΩ (D)205kΩ。

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115. 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)共射極組態放大電路又稱為射極隨耦器 (B)共射極組態之輸入與輸出信號位差180度 (C)共基極組態放大電路的高頻響應最佳 (D)共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用。

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116. 如下圖共射極放大電路的交流等效電路中，電流增益i_o/i_i為何？
　(104年度考題)

(A)β (B)－β (C)

(D)

。

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117. 如圖所示之電路，假設雙極性接面電晶體的β＝100，V_BE＝0.7V，則在工作點Q上所對應之電壓V_CE值應為多少？
　(104年度考題)

(A)7.56V (B)8.84V (C)9.2V (D)10.69V。

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118. 電晶體做為開關電路，負載為電感性時的保護措施為何？　(104年度考題)

(A)將電阻器與負載並聯 (B)將電阻器與負載串聯 (C)將電容器與負載串聯 (D)將二極體與負載並聯。

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119. 如圖所示之電路，若V_CC＝20V，R_L＝50Ω，則此放大器最大交流輸出功率為何？
　(104年度考題)

(A)1W (B)2W (C)3W (D)4W。

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120. 如下圖所示之電路，若電晶體的β值為100，則使電晶體處於飽和狀態的最小I_B約為多少？
　(104年度考題)

(A)1mA (B)0.1mA (C)0.05mA (D)0.5mA。

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121. 有40W輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器，若放大器的電壓增益為40dB，且為額定輸出時，求其輸入電壓為何？　(104年度考題)

(A)40mV (B)0.1V (C)0.2V (D)0.4V。

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122. 如圖所示之達靈頓電路，則Z_i的值為多少？
　(104年度考題)

(A)5MΩ (B)2.5MΩ (C)1.67MΩ (D)0.5MΩ。

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123. 假設一功率電晶體之接面最高允許溫度T_J(MAX)＝175°C，於外殼溫度T_C＝25°C下，若熱阻θ_JC＝1°C/W，則其最高散逸功率P_D(MAX)為多少？　(104年度考題)

(A)300W (B)250W (C)200W (D)150W。

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124. 對於多級串接放大電路的敘述，下列何者正確？　(104年度考題)

(A)級數越多，頻寬愈寬 (B)級數越多，電壓增益愈高 (C)級數越多，輸入阻抗愈大 (D)級數越多，電路穩定性愈高。

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125. 有關光耦合器的敘述，下列何者有誤？　(104年度考題)

(A)具有將輸入與輸出信號隔離的作用 (B)輸出入共用接地端 (C)可應用在兩不同壓降的電路上 (D)為一電子式元件。

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126. 如圖所示，V_DS＝8V，則V_GS為多少？
　(104年度考題)

(A)＋3.5V (B)－3.5V (C)－4.0V (D)＋4.0V。

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127. N通道加強型MOSFET的閘－源電壓V_GS應如何才能使汲極電流I_D導通？（V_T為臨界電壓）　(104年度考題)

(A)V_GS＞0，V_GS＜V_T (B)V_GS＜0，V_GS＞V_T (C)V_GS＜0，V_GS＜V_T (D)V_GS＞0，V_GS＞V_T。

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128. 有關於MOSFET的敘述，下列何者有誤？　(104年度考題)

(A)MOSFET有空乏型及增強型兩種形式 (B)MOSFET有N通道及P通道兩種 (C)MOSFET是電流控制元件 (D)MOSFET之閘極與源極間直流電阻很大。

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129. 如圖所示之MOSFET放大電路，若I_D＝0.2（V_GS－1.0）²mA，求直流電壓V_DS值為多少？
　(104年度考題)

(A)1V (B)2V (C)3V (D)4V。

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130. 如圖所示之電路，是屬於下列何種型態之電路，且可形成何種濾波器？
　(104年度考題)

(A)積分器，低通濾波器 (B)積分器，高通濾波器 (C)微分器，低通濾波器 (D)微分器，高通濾波器。

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131. 差動放大器中之CMRR愈大愈好，若要提高CMRR值，則其射極直流阻抗（R_E）及射極交流阻抗（r_e）應如何選擇？　(104年度考題)

(A)R_E、r_e皆為高阻抗 (B)R_E為高阻抗，r_e為低阻抗 (C)R_E、r_e皆為低阻抗 (D)R_E為低阻抗，r_e為高阻抗。

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132. 如下圖為理想運算放大器之電路，其電壓增益V_O/V_S為多少？
　(104年度考題)

(A)12 (B)－12 (C)16 (D)－16。

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133. 下列何者不是理想運算放大器的特性？　(104年度考題)

(A)輸入阻抗無限大 (B)輸入電流不等於零 (C)輸出阻抗為零 (D)電壓增益無限大。

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134. 如下圖所示，一個三級串接的放大器，若輸入電壓V_in為4μV，試求輸出電壓V_out為多少？
　(104年度考題)

(A)0.8mV (B)8mV (C)0.4mV (D)4mV。

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135. 如圖所示之電路，輸出電壓V_o為多少？
　(104年度考題)

(A)10.8V (B)5.4V (C)15V (D)7.5V。

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136. 如圖所示之理想運算放大器電路，在不飽和情況下，輸出電壓V_o為多少？
　(104年度考題)

(A)V_o＝V_i (B)V_o＝－V_i (C)V_o＝V_i＋2 (D)V_o＝2V_i＋4。

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137. 如圖所示之理想運算放大器電路，在不飽和情況下，電流I為多少？
　(104年度考題)

(A)0.5mA (B)0.05mA (C)0.15mA (D)0.02mA。

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138. 下列有關振盪電路之敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)RC相移振盪器是屬於電路低頻振盪器 (B)石英晶體振盪是利用晶體本身具有壓電效應而產生振盪 (C)射頻振盪器一般使用韋恩振盪電路 (D)振盪器是一種將直流電變為交流電的裝置。

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139. 如圖所示之施密特觸發器，假設運算放大器飽和時之最大輸出電壓為±15V，求其遲滯電壓V_H為多少？
　(104年度考題)

(A)3V (B)4V (C)5V (D)6V。

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140. 下列關於BJT電晶體射極隨耦器之特性敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)輸出訊號與輸入訊號相位相同 (B)電流增益低於1 (C)電壓增益略小於1 (D)輸入阻抗甚高。

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141. 如圖所示，若V_i為三角波，則輸出V_o應為何種波形？
　(104年度考題)

(A)方波 (B)正弦波 (C)鋸齒波 (D)三角波。

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142. 如下圖所示為理想二極體之電路，其穩態最大輸出電壓範圍為何？
　(104年度考題)

(A)－6V～＋6V (B)－6V～＋5V (C)－5V～＋6V (D)－5V～＋5V。

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143. 如下圖所示之電路，運算放大器的飽和電壓為±12V；若V₁＝－2V，V₂＝3V，則V_o為多少？
　(104年度考題)

(A)－14V (B)－12V (C)14V (D)12V。

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144. 下列那一種方法不能使已經導通的SCR截止？　(104年度考題)

(A)陽極電流降至維持電流以下 (B)切斷陽極電流 (C)使SCR的陽極陰極電壓反相 (D)切斷閘極電流。

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145. 熱電偶（thermocouple）適合用於測量下列何種物理量？　(104年度考題)

(A)溫度 (B)壓力 (C)電流 (D)電壓。

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146. 下列有關各類二極體的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)稽納二極體可作為產生參考電壓的元件 (B)發光二極體發光的波長與其偏壓的電壓值成正比 (C)一般發光二極體在使用時，是在順向偏壓下工作 (D)稽納二極體一般使用時，是在逆向偏壓下工作。

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147. P通道場效電晶體（FET）之電荷載子為何？　(104年度考題)

(A)電子 (B)主載子為電洞，副載子為電子 (C)主載子為電子，副載子為電洞 (D)電洞。

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148. 下列多級放大器耦合類別中，低頻響應最佳的為何者？　(104年度考題)

(A)電阻電容耦合 (B)變壓器耦合 (C)直接耦合 (D)電感耦合。

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149. 如圖所示為理想變壓器電路，D為理想二極體，V_i＝156sin（377t）V，R_L＝30Ω，則V_o平均值約為多少？
　(104年度考題)

(A)5V (B)10V (C)15V (D)20V。

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150. 下列關於BJT的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)對NPN BJT而言，I_E＝I_B＋I_C (B)對PNP BJT而言，I_E＝I_B＋I_C (C)β為共射極放大器的電流增益 (D)α為共集極放大器的電流增益。

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151. 有一脈波寬度為100μs，工作週期為50%，則此脈波之頻率為何？　(106年度考題)　

(A)0.2kHz　 (B)0.5kHz　 (C)2kHz　 (D)5kHz。

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152. 如圖所示電路，若二極體之導通電壓為0.7V，則輸出電壓值V_o為何？　(106年度考題)　

(A)3.7V　 (B)4.7V　 (C)6.7V　 (D)10V。

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153. 有一電源電路之輸出電壓V(t)＝10＋0.2sin (ωt)伏特，則其漣波因數百分比約為多少？　(106年度考題)　

(A)1.41%　 (B)2%　 (C)4.24%　 (D)5.21%。

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154. 有一直流電源之電動勢為30V，內阻為2Ω，滿載時所提供之電流為2.5A，則此電源之電壓調整率為何？　(106年度考題)　

(A)25%　 (B)20%　 (C)15%　 (D)10%。

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155. 如圖所示電路，假設射極電壓V_E＝－0.7V，β＝50，V_CC＝10V，則V_C約為多少？
　(106年度考題)　

(A)1.37V　 (B)3.82V　 (C)5.44V　 (D)7.73V。

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156. 下列何者為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的？　(106年度考題)　

(A)決定電晶體的α值　 (B)決定電晶體的工作溫度　 (C)決定電晶體的β值　 (D)決定電晶體的工作點（operating point）。

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157. 如圖所示電路，Q₁與Q₂為匹配之電晶體（β₁＝β₂＝β），且皆操作於作用區（active region），請問為下列哪個選項？　(106年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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158. 當一輸出額定值為40W的放大器被接到一個10Ω的揚聲器上，若放大器之功率增益為20dB，試求在全功率輸出時，輸入功率應為多少？　(106年度考題)　

(A)500mW　 (B)400mW　 (C)300mW　 (D)200mW。

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159. 有一N通道增強型MOSFET的臨界電壓V_T＝2V，當V_GS＝5V時，MOSFET工作於飽和區（夾止區），且ID＝3mA。若V_GS＝8V，則轉移電導g_m為何？　(106年度考題)　

(A)1mS　 (B)2mS　 (C)4mS　 (D)6mS。

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160. 如圖所示電路，已知g_m＝5mS，r_d＝20kΩ，則V_o為何？
　(106年度考題)　

(A)－10mV　 (B)10mV　 (C)－20mV　 (D)20mV。

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161. 如圖所示電路，若Q₁與Q₂完全相同，則V_o的週期約為多少？
　(106年度考題)　

(A)2.1 R_C　 (B)2 R_C　 (C)1.4 R_C　 (D)0.7 R_C。

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162. 如圖所示電路，為＿＿濾波電路，其截止頻率為＿＿，請問空格處應填入下列哪組選項？　(106年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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163. 運算放大器若利用R_C相移電路產生振盪，則此R_C電路必須提供的相位移為何？　(106年度考題)　

(A)90° (B)180°　 (C)270° (D)360°。

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164. 有一只PN矽質二極體之溫度為25°C時，其順向電壓為0.7V，則當溫度上升到多少°C時，其順向電壓為0.5V？　(106年度考題)　

(A)105　 (B)125　 (C)145　 (D)165。

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165. 如圖所示電路，其I-V特性曲線為下列何者？
　(106年度考題)　

(A)

　　 (B)

　 (C)

　　 (D)

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166. 若有一共射極組態電晶體之α值由0.98變至0.99，則β值變化為何？　(106年度考題)　

(A)由99變為49　 (B)由88變為49　 (C)由49變為88　 (D)由49變為99。

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167. 有關電晶體的結構與特性，下列敘述何者有誤？　(106年度考題)　

(A)NPN電晶體少數載子為電洞　 (B)含雜值比例是射極多於集極　 (C)含雜值比例是基極多於集極　 (D)PNP電晶體的射極內，電子為多數載子。　

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168. 如圖所示之LED驅動電路，使LED發亮的電壓為2V，電流為15mA，假設飽和電晶體之V_CE(sat)電壓降可忽略不計，V_BE(sat)＝0.8V，試求R_B、R_C的適當電阻值為何？
　(106年度考題)　

(A)15kΩ、100Ω　 (B)15kΩ、200Ω　 (C)25kΩ、100Ω　 (D)25kΩ、200Ω。

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169. 如圖所示之放大電路，已知電晶體的β值為109，此電路的r_π為1.1kΩ，則此放大電路的輸出阻抗Z_o約為多少？
　(106年度考題)　

(A)1kΩ　 (B)100Ω　 (C)9.9Ω　 (D)0.99Ω。

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170. 有一電路之電流增益A_i＝49，輸入阻抗為2kΩ，輸出阻抗為18kΩ，則此電路之電壓增益為何？　(106年度考題)　

(A)69　 (B)245　 (C)441　 (D)521。

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171. 有一個N通道JFET，若I_DSS＝12mA，V_GS(OFF)＝V_P＝－4V，則V_GS＝－2V時的I_D電流值為何？　(106年度考題)　

(A)6mA　 (B)3mA　 (C)2mA　 (D)0mA。

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172. 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓V_T＝－2V，假設其閘極（gate）接地而源極（source）接至＋5V，欲使此元件操作在飽和區（saturation region），則汲極（drain）之最高電壓為何？　(106年度考題)　

(A)7V　 (B)5V　 (C)3V　 (D)2V。

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173. 下列由理想運算放大器（OPA）所製作的應用電路中，哪一種電路中之OPA的輸入端不可看成虛短路？　(106年度考題)　

(A)比較器　 (B)非反相放大器　 (C)反相放大器　 (D)微分器。

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174. 有一差動放大器，其兩輸入電壓分別為V_i1＝55μV，V _i2＝45μV，共模拒斥比CMRR（dB）＝40dB，差模增益A _d＝500，則下列何者正確？　(106年度考題)　

(A)共模增益A_c＝10　 (B)差模輸入電壓V_d＝5μV　 (C)共模輸入電壓V_C＝100μV　 (D)輸出電壓V_o＝5.25mV。

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175. 有關理想運算放大器的特性，下列敘述何者有誤？　(106年度考題)　

(A)輸出阻抗無限大　 (B)有虛擬接地現象　 (C)輸入阻抗無限大　 (D)開迴路電壓增益無限大。

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176. 類比式交流電壓表所量測的交流電壓值為下列何者？　(106年度考題)　

(A)平均值　 (B)最大值　 (C)有效值　 (D)波形與頻率。

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177. 下列何者不是二極體常見的功用？　(106年度考題)　

(A)整流　 (B)截波　 (C)濾波　 (D)保護。

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178. 稽納二極體（Zener Diode）常應用於下列何種電路？　(106年度考題)　

(A)穩壓電路　 (B)微分電路　 (C)濾波電路　 (D)放大電路。

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179. 如圖所示，V_i＝20V，稽納二極體（Zener Diode）的崩潰電壓V_z＝10V，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，則輸出電壓值V_o為何？　(106年度考題)　

(A)5V　 (B)10V　 (C)13V　 (D)20V。

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180. 如圖所示，V_i＝20V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_z＝8V，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，則此稽納二極體（Zener Diode）所消耗之功率為多少？
　(106年度考題)　

(A)64mW　 (B)24mW　 (C)16mW　 (D)趨近0W。

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181. 如圖所示，V_i＝10V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_z＝8V，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，則此稽納二極體（Zener Diode）所消耗之功率為多少？
　(106年度考題)　

(A)64mW　 (B)24mW　 (C)16mW　 (D)趨近0W。

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182. 有一電晶體，適當偏壓於作用區，測得I_B＝0.05mA，I_E＝5mA，則此電晶體的α值為多少？　(106年度考題)　

(A)0.01　 (B)0.99　 (C)9.9　 (D)100。

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183. 下列何種電路不具備電流放大的功能？　(106年度考題)　

(A)共基極放大電路　 (B)共射極放大電路　 (C)共集極放大電路　 (D)達靈頓電路。

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184. 下列何種BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高？　(106年度考題)　

(A)共閘極組態　 (B)共集極組態　 (C)共基極組態　 (D)共射極組態。

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185. 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點（operating point）落在下列哪種區域內，可獲得較佳之放大倍率？　(106年度考題)　

(A)作用區（active region）內　 (B)反向作用區（reversed, active region）內　 (C)截止區（cut-off region）內　 (D)飽和區（saturation region）內。

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186. 如圖所示電路，電晶體的β＝100，集極電流為2mA，V_CE＝4V，R_C兩端之電壓為4V，V_BE＝0.7V，則R_E之電阻值約為多少？　(106年度考題)　

(A)0.2kΩ　 (B)2kΩ　 (C)20kΩ　 (D)200kΩ。

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187. 如圖所示電路，電晶體的β＝120，V_CE(sat)＝0.2V，V_BE(act)＝V_BE(sat)＝0.7V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_Z＝5.6V，當V_i＝2V，V_o約為多少？
　(106年度考題)　

(A)2.8V　 (B)5.6V　 (C)6.3V　 (D)7.3V。

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188. 如圖所示電路，電晶體的β＝120，V_CE(sat)＝0.2V，V_BE(act)＝V_BE(sat)＝0.7V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_Z＝5.6V，當V_i＝3V，V_o約為多少？
　(106年度考題)　

(A)2.8V　 (B)4.3V　 (C)5.6V　 (D)7.3V。

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189. 如圖所示電路，電晶體的β＝120，V_CE(sat)＝0.2V，V_BE(act)＝V_BE(sat)＝0.7V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_Z＝5.6V，當V_i＝3V時，電流I約為多少？
　(106年度考題)　

(A)5.3mA　 (B)5.17mA　 (C)4.9mA　 (D)0mA。

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190. 對於達靈頓（Darlington）電路特徵的敘述，下列何者有誤？　(106年度考題)　

(A)電壓增益高　 (B)輸入阻抗高　 (C)電流增益高　 (D)輸出阻抗低。

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191. 已知一放大電路電壓增益A_V為100，電流增益A_i為10，則其功率增益A_P (dB)為多少？　(106年度考題)　

(A)10dB　 (B)30dB　 (C)60dB　 (D)1000dB。

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192. 下圖所示CMOS反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示(a)之弦波，則輸出之信號V_o應為下列何者？
　(106年度考題)　

(A)同頻率之脈波　 (B)16倍頻率之脈波　 (C)同頻率之弦波　 (D)16倍頻率之弦波。

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193. 下圖所示CMOS反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示(b)之方波，則輸出之信號V_o應為下列何者？　(106年度考題)　

(A)同頻率反相之方波　 (B)16倍頻率反相之方波　 (C)同頻率同相之方波　 (D)16倍頻率同相之方波。

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194. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數g_m＝1.5m℧，r_d＝10kΩ，已知電路中不存在源極電阻R_S，而汲極電阻R_D＝10kΩ，請問該電路之電壓增益A_V為何？　(106年度考題)　

(A)－30　 (B)－18.75　 (C)－7.5　 (D)－5。

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195. 下列敘述，何者有誤？　(106年度考題)　

(A)MOSFET電晶體為單極性（unipolar）電晶體　 (B)BJT電晶體為雙極性（bipolar）電晶體　 (C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小　 (D)MOSFET電晶體為一種電流控制元件。

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196. 如圖所示電路，此電路功能為下列何種濾波器？
　(106年度考題)　

(A)帶拒濾波器　 (B)帶通濾波器　 (C)高通濾波器　 (D)低通濾波器。

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197. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振R₁盪器，若R₁＝R₂，C₁＝C₂，其電壓增益A_V應為下列何者？　(106年度考題)　

(A)3　　 (B)2　　 (C)1　　 (D)－1。

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198. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振盪器，若R₁＝4kΩ，R₂＝1kΩ，R₄＝10kΩ，C₁＝0.1μF，C₂＝0.4μF，請問R₃之電阻值應為多少？
　(106年度考題)　

(A)100kΩ　 (B)90kΩ　 (C)80kΩ　 (D)70kΩ。

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199. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振盪器，若R₁＝4kΩ，R₂＝1kΩ，R₄＝10kΩ，C₁＝0.1μF，C₂＝0.4μF，該電路之電壓增益A_V應為多少？
　(106年度考題)　

(A)10　 (B)9　 (C)8　 (D)7。

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200. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振盪器，若R₁＝4kΩ，R₂＝1kΩ，R₄＝10kΩ，C₁＝0.1μF，C₂＝0.4μF，該電路之回授量β應為多少？
　(106年度考題)　

(A)1/10　 (B)1/9　 (C)1/8　 (D)1/7。

台電公司考古題 電子學 (收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題)

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