國營事業考古題,109年 1.電路學2.電子學 -愛舉手

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4. 一個120mH的純電感與一個25μF電容器並聯，並且連接到100V、60Hz電源。其電源電流及其相角為何？　

(A)0.786A，電壓超前電流90度　 (B)1.267A，電壓超前電流90度　 (C)0.786A，電流超前電壓90度　 (D)1.267A，電流超前電壓90度。

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5. 如圖所示，流經2Ω電阻之電流為何？
　

(A)2A　 (B)3A　 (C)4A　 (D)5A。

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6. 三個電阻值均為30Ω的電阻器，接線法與其等效電阻值間之關係，下列何者有誤？　

(A)兩電阻串聯後，再與另一電阻並聯，等效電阻值15Ω　 (B)兩電阻並聯後，再與另一電阻串聯，等效電阻值45Ω　 (C)三電阻並聯，等效電阻值10Ω　 (D)三電阻串聯，等效電阻值90Ω。

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7. 如圖所示，流經2Ω電阻之電流為何？
　

(A)5.95A　 (B)6.35A　 (C)6.75A　 (D)7.15A。

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8. 如圖所示，有一40∠0° V，內部電阻為20kΩ的交流電源，通過一匝數比為20：1之理想變壓器與負載R_L連接。求最大功率傳輸的負載電阻值及負載的消耗功率為何？
　

(A)50Ω、0.1W　 (B)50Ω、0.02W　 (C)10Ω、0.1W　 (D)10Ω、0.02W。

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9. 交流電壓v的周期時間為0.01s，峰值為40V。當時間t為零時，v＝－20V。其瞬時電壓的表示式為何？　

(A)40sin（100πt－π/2）　 (B)40sin（100πt－π/6）　 (C)40sin（200πt－π/2）　 (D)40sin（200πt－π/6）。

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10. 利用一20nF電容器與電阻器R，設計一個截止頻率為800Hz的高通無源濾波器，求R值為何？　

(A)9.95kΩ　 (B)10.88kΩ　 (C)11.24kΩ　 (D)12.65kΩ。

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11. 有一電感為0.2H，電阻為60Ω的線圈與20μF電容器並聯連接在20V可變頻率電源上。其發生並聯共振之頻率為何？　

(A)57.34Hz　 (B)59.42Hz　 (C)61.18Hz　 (D)63.66Hz。

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12. 有一電路由0.5μF電容器串聯連接一電阻器組成，其時間常數為12ms。假設初始電容器電荷為零，將此電路連接到10V直流電源後7ms，其電容器的電壓值為何？　

(A)4.42V　 (B)5.53V　 (C)6.64V　 (D)7.75V。

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13. 有一電感為3H，電阻為15Ω的線圈，在t＝0時連接到120V直流電源，其在0.3s後之電流值為何？　

(A)5.542A　 (B)6.215A　 (C)7.582A　 (D)8.000A。

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14. 如圖所示，求理想運算放大器之輸出電壓V_o為何？
　

(A)－6.2V　 (B)－6.3V　 (C)－6.4V　 (D)－6.5V。

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15. 將－0.75V的穩定電壓，施加到電阻值R＝200kΩ、電容值C＝2.5μF之運算放大積分器。假設初始電容器電荷為零，則在施加輸入後100ms的輸出電壓值為何？　

(A)0.15V　 (B)0.3V　 (C)0.45V　 (D)0.6V。

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16. 如圖所示的差分放大器電路中，R₁＝10kΩ、R₂＝10kΩ、R₃＝100kΩ、R_f＝100kΩ。如果V₁＝25mV和V₂＝50mV，則輸出電壓V_o為何？
　

(A)－50mV　 (B)50mV　 (C)－250mV　 (D)250mV。

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17. 如圖所示的維恩電橋電路中，R₂＝R₃＝30kΩ，R₄＝1kΩ，C₂＝C₃＝1nF。當電橋平衡時，電阻R₁的值為何？
　

(A)300Ω　 (B)400Ω　 (C)500Ω　 (D)600Ω。

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18. 三相交流馬達的輸入功率測得為5kW。如果馬達的電壓和電流分別為400V和8.6A，則系統的功率因數為何？　

(A)0.839　 (B)0.856　 (C)0.878　 (D)0.894。

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19. 一個400V的三相星形連接之交流電源提供一個三角形連接的負載，該負載的每相具有30Ω的電阻和40Ω的感抗。若忽略交流電源和負載之間線路的損耗，求交流電源提供的輸出功率為何？　

(A)3.22kW　 (B)4.54kW　 (C)5.76kW　 (D)6.68kW。

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20. 在電源電壓為（120＋j200）V的電路中流過（7＋j16）A的電流，求此電路的等效阻抗值為何？　

(A)13.25－j1.705Ω　 (B)13.25＋j1.705Ω　 (C)13.25－j0.705Ω　 (D)13.25＋j0.705Ω。

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21. 如圖所示，有一電阻為R歐姆且電感為L亨利的線圈與50μF電容器串聯連接。若電源電壓為225∠0° V、60Hz時，電路中流動的電流為I＝1.5∠－30° A，則線圈的R和L值為何？
　

(A)R＝129.9Ω、L＝0.04H　 (B)R＝129.9Ω、L＝0.14H　 (C)R＝129.9Ω、L＝0.24H　 (D)R＝129.9Ω、L＝0.34H。

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22. 有一單埠電路，其戴維寧等效電壓為20伏特，諾頓等效電流為4安培，請問其諾頓與戴維寧等效電阻各為何？　

(A)同為

Ω　 (B)同為5Ω　 (C)

Ω與5Ω　 (D)5Ω與

Ω。

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23. 如圖所示，電源電流I的值為何？
　

(A)9.12∠15.48°　 (B)10.78∠16.67°　 (C)11.55∠17.96°　 (D)12.63∠18.16°。

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24. 如圖所示，求A和B間產生的有效功率為何？
　

(A)310.2W　 (B)339.5W　 (C)355.8W　 (D)378.3W。

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25. 有一RLC串聯電路，電阻值為10Ω，電容值為5μF和一個可變電感L組成，電源電壓為20∠0°伏特，頻率為318.3Hz。當調整電感值至跨越10Ω電阻的電壓為最大值時，則此電感L的值為何？　

(A)30mH　 (B)40mH　 (C)50mH　 (D)60mH。

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26. 關於p-n接面二極體（p-n junction diode）之敘述，下列何者有誤？　

(A)開路狀態下，空乏區（Depletion region）的寬度會較深入摻雜濃度低的一邊　 (B)逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大　 (C)順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係　 (D)多數載子之移動形成擴散電流。

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27. 對直接耦合（direct-coupling）放大器而言，下列敘述何者正確？　

(A)低頻響應佳，工作點較穩定　 (B)高頻和低頻響應皆佳，工作點穩定　 (C)高頻響應較差，工作點較不穩定　 (D)低頻響應較佳，工作點較不穩定。

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28. 某npn型電晶體操作在v_BE＝710mV，I_C＝4mA，其i_C對v_CE的特性有一斜率為4×10^－⁵℧，當電晶體操作在I_C＝10mA時，其輸出阻抗值為多少？　

(A)40kΩ　 (B)30kΩ　 (C)20kΩ　 (D)10kΩ。

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29. 當電晶體共射極放大器加入射極電阻，但不加射極旁路電容，則下列敘述何者正確？　

(A)電壓增益降低　 (B)輸出阻抗降低　 (C)輸入阻抗降低　 (D)非線性失真增加。

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30. 如右圖所示之穩壓電路，假設Q₁、Q₂的I_C＝I_E（I_B忽略），V_BE＝0.7V，V_L＝12V，則R₁：R₂為下列何者？
　

(A)1：2　 (B)3：4　 (C)5：7　 (D)7：9。

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31. 如圖所示之電路，二電晶體參數均為V_TH＝0.4V及＝120μA/V²，若M₁和M₂長寬比為(W/L)₁＝30和(W/L)₂＝15，則I_D為以下何者？
　

(A)5.45mA　 (B)7.94mA　 (C)10.11mA　 (D)12.62mA。

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32. 比較晶體基本偏壓組態之敘述，下列何者正確？　

(A)共閘極：輸入阻抗大，輸出阻抗小，輸入與輸出信號同相　 (B)共射極：電壓增益大，輸入與輸出信號反相　 (C)共汲極或源極隨耦器：輸入阻抗小，輸出阻抗大，輸入與輸出信號反相　 (D)達靈頓晶體：輸入阻抗大，輸出阻抗小，輸入與輸出信號反相。

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33. 有關負回授放大器的穩定性敘述，下列何者有誤？　

(A)增益邊界（gain margin）為正值則不穩定　 (B)如1＋Aβ的零點皆在複數頻率平面的左邊則穩定　 (C)暫態干擾影響會漸漸消失則穩定　 (D)相位邊界（phase margin）為負值則穩定。

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34. 如圖所示之差動放大器。電晶體參數如下，μ_nC_ox＝100μA/V²，V_A＝10，但Q_1,2之(W/L)_1,2＝25，Q₃之(W/L)₃＝50，Q₄之(W/L)₄＝10。電阻R_D＝10kΩ。假設偏壓維持節點電壓V_B＝V_X，若電路的差模電壓增益A_d＝(V_O2－V_O1)/(V_i1－V_i2)要達到5V/V，則I_B為何？
（g_m＝）
　

(A)4.25mA　 (B)7.18mA　 (C)9.12mA　 (D)12.26mA。

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35. 如圖所示CMOS數位電路，請問輸出Y為何種邏輯函數？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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36. 下列敘述何者有誤？　

(A)直接耦合串級放大電路前後級阻抗容易匹配　 (B)直接耦合串級放大電路之低頻響應佳　 (C)變壓器耦合串級放大電路易受磁場干擾　 (D)電阻電容耦合串級放大電路偏壓電路獨立，設計容易。

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37. 一差動放大器，其兩輸入電壓分別為V_i1＝55μV，V_i2＝45μV，共模拒斥比CMRR(dB)＝40dB，差模增益為A_d＝500，則下列何者正確？　

(A)共模增益A_c＝10　 (B)差模輸入電壓V_d＝5μV　 (C)共模輸入電壓V_c＝100μV　 (D)輸出電壓V_o＝5.25mV。

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38. 如圖所示之集極回授偏壓電路，V_CC＝12V，V_BE＝0.7V，電晶體β＝120，R_C＝1kΩ，若V_CE＝6.7V，則R_B為何？
　

(A)48.5kΩ　 (B)76.4kΩ　 (C)136.9kΩ　 (D)203.4kΩ。

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39. 如圖所示之振盪電路，於正常工作下，輸出電壓V_o之頻率為何？
　

(A)398Hz　 (B)796Hz　 (C)1.592kHz　 (D)2.388kHz。

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40. 如圖所示電路，電晶體工作於作用區，β＝99，V_BE＝0.7V，熱電壓（thermal voltage）V_T＝26mV，則此放大電路之電流增益A_i＝為下列何者？
　

(A)27.3　 (B)22.1　 (C)15.2　 (D)12.4。

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41. 如圖所示，其中接面場效電晶體（JFET）之夾止電壓V_P＝－4V。已知此接面場效電晶體放大電路的工作點為V_DS＝3V、I_D＝1mA，汲極電阻r_d忽略不計，則此電路之小訊號電壓增益V_o/V_i為何？
　

(A)－1.1　 (B)－2.0　 (C)－4.2　 (D)－6.4。

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42. 若量測電路中的pnp型雙極性接面電晶體，得知其射極接地，基極電壓為0.7V，集極電壓為－3V，請問電晶體操作在哪個區域？　

(A)截止區　 (B)順向主動區　 (C)飽和區　 (D)逆向主動區。

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43. 有關由兩個共射極放大器構成RC耦合串級放大電路的敘述，下列何者正確？　

(A)第一級直流工作點的變化會影響到第二級的直流工作點　 (B)高頻的電壓增益受到耦合電阻的影響而降低　 (C)第一級直流工作點的變化會影響到第二級的交流電壓增益　 (D)低頻的電壓增益受到耦合電容的影響而降低。

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44. 當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？　

(A)空乏區變寬、障壁電位增加　 (B)空乏區變窄、障壁電位增加　 (C)空乏區變寬、障壁電位減少　 (D)空乏區變窄、障壁電位減少。

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45. 對於一個放大器，其電壓增益A＝－100，輸入阻抗為20kΩ，使用一電阻R＝100kΩ，跨接在輸入和輸出端，其輸入阻抗變為多少？　

(A)3.7kΩ　 (B)2.1kΩ　 (C)943Ω　 (D)900Ω。

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46. 如圖所示之理想運算放大器電路，流經齊納（Zener）二極體之電流I_Z＝1.5mA，運算放大器之飽和電壓為±15V，則R值為何？
　

(A)1kΩ　 (B)2kΩ　 (C)3kΩ　 (D)5kΩ。

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47. 對A類放大器性質的敘述，下列何者有誤？　

(A)具有低輸出阻抗值　 (B)使用電晶體電路時，射極隨耦器是常用的輸出級　 (C)最常用於射頻（radio-frequency）功率放大　 (D)總諧波失真均低於AB類、B類及C類等放大器。

國營事業考古題 109年 1.電路學2.電子學

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