國營事業考古題,110年 1.電路學2.電子學-愛舉手

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4. 下列對於導線電阻值的敘述，何者正確？　

(A)電阻與截面積無關　 (B)電阻與截面積成正比　 (C)電阻與長度無關　 (D)電阻與長度成正比。

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5. 兩電阻R₁、R₂並聯，其等效電阻為下列何者？　

(A)(R₁＋R₂)/R₁R₂　 (B)R₁R₂/(R₁＋R₂)　 (C)R₁＋R₂　 (D)R₁R₂。

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6. 某電路如圖所示，電流I為多少安培？
　

(A)1A　 (B)0.5A　 (C)0.1A　 (D)0A。

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7. 試求圖所示的直流電路中，跨於20歐姆的電阻器兩端之電壓為多少？
　

(A)150V　 (B)100V　 (C)90V　 (D)80V。

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8. 有關理想電壓源的敘述，下列何者正確？　

(A)電流恆定　 (B)輸出為電感型　 (C)內阻為零　 (D)輸出為電容性。

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9. 如圖所示電路，其中的電流I為何？
　

(A)10A　 (B)5A　 (C)2A　 (D)1A。

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10. 如圖所示，電路中的V₁、V₂電壓為何？
　

(A)V₁＝4.5V、V₂＝0.5V　 (B)V₁＝1.5V、V₂＝3.5V　 (C)V₁＝0.5V、V₂＝0.5V　 (D)V₁＝3.5V、V₂＝1.5V。

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11. 試求圖中雙埠網路的Y參數，Y₁₂和Y₂₂之值為何？
　

(A)1/3、2/3　 (B)1/3、－2/3　 (C)－1/3、2/3　 (D)－1/3、－2/3。

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12. 試求圖中雙埠網路的Z參數，Z₁₂和Z₂₂之值為何？
　

(A)－1/3、－5/3　 (B)－5/3、1/3　 (C)5/3、－1/3　 (D)1/3、5/3。

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13. 兩個電容C₁、C₂並聯，其等效電容為下列何者？　

(A)C₁C₂/(C₁＋C₂)　 (B)(C₁＋C₂)/C₁C₂　 (C)C₁＋C₂　 (D)C₁C₂。

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14. 下列何種元件的儲存能量與電壓平方成正比？　

(A)電感　 (B)電容　 (C)電阻　 (D)二極體。

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15. A電容器為40微法拉，耐壓500伏特；B電容器為60微法拉，耐壓100伏特；C電容器為120微法拉，耐壓200伏特，將以上三個電容器串聯後耐壓為多少伏特？　

(A)300　 (B)400　 (C)500　 (D)600。

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16. 一個10微法拉電容器以30微安培之定電流源充電，若電容器充電前電壓為零，則充電20秒後電容器上的電壓為多少伏特？　

(A)60　 (B)30　 (C)20　 (D)10。

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17. 一個200微法拉電容器已充電至100V，且電容器開關切開之瞬間電壓V(0^－)＝100V，請問電容器儲存能量與V(0^＋)為何？　

(A)0.1J、200V　 (B)1J、100V　 (C)10J、200V　 (D)10J、100V。

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18. 若圖中之電感電路已達穩態，試求全部電感之總儲存電能為何？
　

(A)9.5J　 (B)7.5J　 (C)5.5J　 (D)3.5J。

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19. 一個元件的電壓及電流分別為10cos（3t＋30°）伏特與－2sin（3t＋60°）安培，其相位關係相差多少度？　

(A)100°　 (B)110°　 (C)120°　 (D)130°。

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20. 已知f(t)的拉普拉斯轉換為F(S)＝，請問f(t)為下列何者？　

(A)

＋sint　 (B)

＋sint　 (C)

＋cost　 (D)

＋cost。

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21. 三相負載每相阻抗皆為6＋j8歐姆且為Y接線，若每相之相電流為20安培（有效值），則此三相負載消耗之總平均功率為多少瓦特？　

(A)3000W　 (B)4900W　 (C)7200W　 (D)8100W。

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22. 一個平衡的三相電路在其Y型連接之負載側所量得的線電壓均方根（RMS）值為173.2V，若此三相負載之總消耗實功率為300W，且負載的功因為0.6滯後，則流入此三相負載的線電流有效值為多少安培？　

(A)1.667A　 (B)1.333A　 (C)0.962A　 (D)0A。

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23. 有關RLC並聯諧振電路，下列敘述何者有誤？　

(A)諧振時阻抗最大　 (B)諧振時功率因數為1　 (C)諧振時電流最大　 (D)諧振時呈電阻性。

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24. 有關圖所示之諧振電路，其諧振頻率下列何者正確？
　

(A)1592kHz　 (B)2592kHz　 (C)3592kHz　 (D)4592kHz。

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25. 針對一個阻抗大小為j20歐姆的負載，若通以一電流源i(t)＝10cos（3t＋30°）安培時，其所消耗之平均實功率為多少？　

(A)2000W　 (B)1000W　 (C)600W　 (D)0W。

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26. 若一齊納二極體（Zener Diode）在25°C時崩潰電壓為15V，溫度係數為0.02%/°C，若溫度上升至60°C，求崩潰電壓為何？　

(A)15.235V　 (B)15.2V　 (C)15.135V　 (D)15.105V。

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27. 下列何者不是二極體常見的功用？　

(A)濾波　 (B)保護　 (C)整流　 (D)截波。

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28. 對一PN二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流I_S的敘述何者有誤？　

(A)逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流I_S（約10^－¹⁵A）　 (B)I_S由少數載子數量控制　 (C)溫度越高，I_S會下降　 (D)Junction面積增加會使I_S上升。

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29. 有關NPN接面之BJT電晶體，下列敘述何者有誤？　

(A)基極－射極、基極－集極接面皆施予順向偏壓，電晶體將工作於飽和區　 (B)當基極電流逐漸下降為0，電晶體將進入截止區　 (C)在飽和區工作之電晶體，若持續對基極－集極增加順向偏壓，增益參數β會上升　 (D)一般BJT之電壓增益參數β會隨著接面溫度T_j上升而增加。

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30. 如圖之電路，假設I_o＝10μA，BJT Q₁、Q₂、Q₃的電流增益β均為100，V_T＝25mV，且厄利電壓（Early Voltage）| V_A |＝25V，求R_o的電阻值為多少？
　

(A)13.51MΩ　 (B)23.51MΩ　 (C)33.51MΩ　 (D)43.51MΩ。

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31. 如圖之JFET共源極放大器電路，若V_GS＝15V時，反向漏電流I_GSS＝60nA，由信號源看入之輸入阻抗為何？
　

(A)30MΩ　 (B)15MΩ　 (C)14.15MΩ　 (D)3.75MΩ。

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32. 對一MOSFET以一固定的V_GS電壓操作於飽和區，在V_DS＝4V時，i_D＝2mA，且V_DS＝6V時，i_D＝2.05mA，請問其厄利電壓（Early Voltage）| V_A |為多少？　

(A)70V　 (B)76V　 (C)80V　 (D)86V。

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33. 下列何種邏輯閘具有最短的傳遞延遲時間？　

(A)ECL　 (B)CMOS　 (C)TTL　 (D)N-MOS。

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34. 在積體電路中，NMOS的基體(B)端應與下列何者相接？　

(A)汲極（Drain）　 (B)最低電壓點　 (C)源極（Source）　 (D)最高電壓點。

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35. FET場效電晶體相較於BJT電晶體的特性敘述，下列何者有誤？　

(A)FET是單極性裝置　 (B)FET具有高電流驅動能力　 (C)FET可作為對稱性的雙向開關　 (D)FET較無雜訊產生。

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36. 對基本放大器增加負回授後，下列特性敘述何者有誤？　

(A)雜訊對電路的影響降低　 (B)頻寬增加　 (C)放大器的增益會衰減　 (D)增益與頻寬的乘積提高。

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37. 由CMOS FET組成傳輸閘（Transmission Gate）時，組成元件為下列何者？　

(A)只有NMOS　 (B)只有PMOS　 (C)NMOS＋PMOS　 (D)JFET。

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38. 有一差動放大器，其兩輸入電壓分別為V_i1＝50μV，V_i2＝40μV，共模拒斥比CMRR＝40dB，差模增益A_d＝250，則下列何者正確？　

(A)差模輸入電壓V_d＝5μV　 (B)共模增益A_C＝2.5　 (C)共模輸入電壓V_C＝90Μv　 (D)輸出電壓V_o＝5.25mV。

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39. 如圖所示電晶體電路，假設輸入信號V_S為交流小信號且無直流成分，又電晶體的r_o可忽略，則圖之輸入電阻R_in為何？
　

(A)r_π＋（R_E//R_L）　 (B)r_e＋（R_E//R_L）　 (C)r_π＋（1＋β）（R_E//R_L）　 (D)r_e＋（1＋β）（R_E//R_L）。

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40. 如圖所示電路，已知FET參數g_m＝1mS，r_d＝20kΩ，若此電路具回授（Feedback）的狀態，下列敘述何者有誤？
　

(A)此為串串（series-series）回授型態　 (B)回授因子（Feedback factor）β為0.47kΩ　 (C)開迴路增益（Open loop gain）A為0.66mA/V　 (D)

為－10。

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41. 如圖電路，已知CMOS反向電路的V_TN＝0.8V，V_TP＝－0.8V且K_n＝K_p，假設v_O1＝4V時，請問v_I的電壓值為多少？
　

(A)1.55V　 (B)2.40V　 (C)2.86V　 (D)3.75V。

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42. 如圖達靈頓電路中，假設每個晶體β＝100，R_E＝500Ω，則R_in輸入電阻為何？
　

(A)500Ω　 (B)3.2MΩ　 (C)5.1MΩ　 (D)8.5MΩ。

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43. 串級（Cascade）電晶體組態中，為求得最大電壓增益，通常使用下列何者放大器組態作為第二級放大器？　

(A)共集極　 (B)共基極　 (C)共射極　 (D)共源極。

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44. 4級串級放大器，若每一級截止頻率都相同，即f_L＝200Hz，f_H＝50kHz，則該4級串級放大器之頻寬B應為何？　

(A)11.3kHz　 (B)21.3kHz　 (C)49.7kHz　 (D)50.3kHz。

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45. 某一電晶體電路的I_C＝1.5mA、V_T＝0.025V、f_T＝956.4MHz，其中C_π＝9pF（EB接面電容），試求C_μ（CB接面電容）值為多少？　

(A)1pF　 (B)3pF　 (C)5pF　 (D)6pF。

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46. 有一AB類放大器電路如圖，試求其最大的交流負載功率P_o(max)為何？
　

(A)3W　 (B)5W　 (C)12W　 (D)20W。

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47. 下圖所示電路是理想的運算放大器，若運算放大器進入飽和狀態，V_S可能為下列何者？
　

(A)0V　 (B)3V　 (C)6V　 (D)9V。

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48. 運算放大器電路如圖所示，輸入電阻R_in為下列何者？
　

(A)－1.5R　 (B)－R　 (C)R　 (D)1.5R。

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49. 如圖所示電路，OP1與OP2工作電壓V_CC＝±15V，則下列敘述何者有誤？
　

(A)V_o2輸出範圍為－3至3V　 (B)回授因子（Feedback factor）β＝0.25　 (C)振盪週期5ms　 (D)V_o2輸出為三角波訊號。

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50. 下圖電路為下列何種電路？
　

(A)TTL或閘（OR）　 (B)TTL反或閘（NOR）　 (C)ECL或閘（OR）　 (D)ECL反或閘（NOR）。

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