鐵路特考考古題,108年電子學大意 -愛舉手

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

5. 如圖所示為一系列的方形脈波，其頻率為？
　

(A)300kHz　 (B)250kHz　 (C)200kHz　 (D)150kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

6. 在積體電路中，有關二氧化矽（SiO₂）的角色，下列敘述何者正確？　

(A)它讓擴散物質通過　 (B)它的熱傳導性高　 (C)它可保護且使矽表面絕緣　 (D)它可控制擴散物質的濃度。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

7. 有一雙極接面電晶體，其V_BE保持定值，若此電晶體射極與基極的接面積增為2倍時，其小信號輸出電阻（small signal output resistance）會如何？　

(A)增大為原來的2倍　 (B)不變　 (C)減小為原來的一半　 (D)減小為原來的4分之1。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

8. 下列那一種FET在閘極未加電壓時是沒有通道的？　

(A)增強型MOSFET　 (B)JFET　 (C)P通道空乏型MOSFET　 (D)N通道空乏型MOSFET。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

9. 如圖所示為一個理想CMOS開關電路，若輸入電壓V_i為負電壓（包含0伏特）時，則輸出電壓V_o應為多少伏特？
　

(A)V_DD　 (B)V_DD/2　 (C)V_DD/3　 (D)0。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

10. 圖為使用理想運算放大器之電路，若電壓增益A_v＝v_O/v_I＝－100，R₂＝R₄＝100kΩ，R₃＝200kΩ，則R₁為多少？
　

(A)5kΩ　 (B)10kΩ　 (C)15kΩ　 (D)20kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

11. 關於P-N接面二極體之敘述，下列何者正確？　

(A)順向偏壓時擴散電容（diffusion capacitance）較空乏電容（depletion capacitance）為大　 (B)逆向偏壓增加時，接面之少數載子濃度增加　 (C)逆向偏壓增加時，空乏區之寬度減少　 (D)順向偏壓減少時，擴散電容增加。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

12. 如圖所示電路，U₁為理想運算放大器。已知電阻R₁＝1kΩ、R₂＝3kΩ、R₃＝1kΩ、R₄＝3kΩ。求在輸入端v_I2的等效輸入電阻R_in2約為多少？
　

(A)1kΩ　 (B)3kΩ　 (C)4kΩ　 (D)8kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

13. 某pn接面二極體在固定電流順偏導通下，下列敘述何者正確？　

(A)溫度變化與二極體兩端電壓降無關　 (B)溫度愈高，二極體兩端電壓降愈高　 (C)pn接面截面積愈大，二極體兩端電壓降愈低　 (D)溫度與電壓關係為＋2°C/mV。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

14. 如圖所示電路，若圖中輸入電壓為V_i＝5V，假設二極體皆為理想二極體，則輸出電壓V_o為多少？
　

(A)5V　 (B)2.5V　 (C)－2.5V　 (D)－5V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

15. 如圖所示之電路，假設二極體之壓降皆為0.7V，求其輸出電壓v_out之漣波電壓（ripple voltage）值為何？
　

(A)12V　 (B)3.51V　 (C)2.92V　 (D)0.324V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

16. 共源極接面場效電晶體（JFET）放大器的輸入電阻很大，是因為輸入端為？　

(A)未加電壓　 (B)絕緣材質　 (C)順向偏壓　 (D)逆向偏壓。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

17. 圖示電路中，A₁及A₂為理想運算放大器，v_I＝5sinωt (V)，問v_O的平均電壓約為若干？
　

(A)1.6V　 (B)3.2V　 (C)4.8V　 (D)6.4V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

18. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_S(t)＝12sin（120πt）V、R＝10kΩ、C＝47μF。試求輸出電壓v_O的漣波電壓（ripple voltage）值約為多少？
　

(A)2V　 (B)1V　 (C)0.4V　 (D)0.1V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

19. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_S(t)＝12sin（120πt）V、R₁＝10kΩ、V_DC＝5V。若R₂＝20kΩ，對於輸出電壓v_O的正及負電壓峰值（V_＋及V_－）約為多少？
　

(A)V_＋＝5.7V，V_－＝－12V　 (B)V_＋＝12V，V_－＝－5.7V　 (C)V_＋＝5.7V，V_－＝－8V　 (D)V_＋＝8V，V_－＝－5.7V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

20. 如圖所示之電路，輸入電壓v_i為一交流弦波，有效值為100V，頻率為60Hz，二極體皆為理想，求輸出之平均直流電壓值約為何？
　

(A)7V　 (B)8V　 (C)9V　 (D)10V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

21. 如圖所示之電路，二極體皆為理想，有關此電路之敘述，下列何者正確？
　

(A)C₁的耐壓為2V_m　 (B)D₁的峰值反向電壓為V_m　 (C)V_O之值為2V_m　 (D)D₂的峰值反向電壓為2V_m。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

22. 如圖所示之電路，二極體導通之壓降為0.7V，RC≫v_i之週期，求電路穩態時之V₃為何？
　

(A)4.3V　 (B)5.7V　 (C)9.3V　 (D)12.7V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

23. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝100，V_A＝∞，V_T＝26mV且V_BE(on)＝0.7V，求其小信號電壓增益值為何？
　

(A)－2.02　 (B)－4.02　 (C)－6.02　 (D)－8.02。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

24. 假設圖中電晶體操作於飽和區，閘極與源極之壓差為0.7V，且臨界電壓V_TH＝0.6V。請問圖中共閘極放大器之小訊號輸入電阻R_IN為何？
　

(A)10Ω　 (B)20Ω　 (C)30Ω　 (D)40Ω。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

25. 圖中電晶體之μ_nC_ox(W/L)₁＝μ_nC_ox(W/L)₂＝0.5mA/V²，臨界電壓V_T＝0.8V，若忽略通道調變效應，則V_o＝？
　

(A)0.54V　 (B)0.84V　 (C)1.24V　 (D)2.24V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

26. 關於金氧半場效電晶體（MOSFET）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
　

(A)在特定（W/L）的條件下，r_o與偏壓電流成正比　 (B)在特定（W/L）的條件下，偏壓電流越大則g_m越大　 (C)在特定（W/L）的條件下，元件的直流偏壓V_GS越大則g_m越大　 (D)對共源級（common source）放大器而言，輸入阻抗為無窮大。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

27. 圖中電晶體操作在主動區（active region），β＝99，g_m＝10mA/V。直流偏壓為V_B，交流輸入信號為v_s，輸出信號為v_o。下列敘述何者正確？
　

(A)屬共射級（common emitter）放大器　 (B)為同相放大器　 (C)| v_o/v_s |＝100　 (D)輸入阻抗＜10kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

28. 具有共射極電流增益β及爾利（Early）電壓V_A的電晶體，其輸入、輸出直流偏壓電流分別為I_BQ、I_CQ時，下列那一選項具有最大的小信號等效輸出電阻？　

(A)V_A＝100V，β＝100，I_CQ＝2mA　 (B)V_A＝100V，β＝80，I_BQ＝0.02mA　 (C)V_A＝80V，β＝50，I_CQ＝2mA　 (D)V_A＝80V，β＝80，I_BQ＝0.04mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

29. 轉導（G_m）放大器之輸入與輸出阻抗特性之敘述，下列何者正確？　

(A)輸入應為低阻抗　 (B)輸出應為高阻抗　 (C)輸入阻抗與電流放大器之輸入特性相似　 (D)輸出阻抗與電壓放大器之輸出特性相似。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

30. 如圖所示為操作於主動模式（active mode）的雙極接面電晶體的π型小訊號等效電路，若g_m值增為兩倍，則r_π值會如何？
　

(A)增為

倍　 (B)增為2倍　 (C)減為一半　 (D)不變。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

31. 當一n通道增強型MOSFET，工作於三極管區（Triode region）時，下列何者正確？　

(A)V_DS≧V_GS－V_t　 (B)V_DS≦V_t　 (C)V_GD≧V_t　 (D)V_t≦0。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

32. 分析如圖之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g_m為1mA/V，忽略元件之輸出阻抗r_o，試求其共模增益V_o/V_icm＝？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

33. 圖中電晶體M1操作在飽和區（saturation region），輸出阻抗r_o＝10kΩ，轉導值g_m＝10mA/V。若電阻R＝10kΩ，下列敘述何者正確？
　

(A)小信號增益| v_o/v_s |＝10　 (B)屬共汲極（common drain）放大器　 (C)R_out＝5kΩ　 (D)若電阻R值增加且電晶體M1維持操作在飽和區，| v_o/v_s |降低。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

34. 圖示RC耦合串級放大電路的總電壓增益為60dB，將第1級放大電路的偏壓電阻值R₁與R₂均變為原來的2倍後，假設各級放大電路仍正常工作，總電壓增益約為多少？
　

(A)200　 (B)400　 (C)500　 (D)1000。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

35. 如圖所示為一CMOS反相器，其負載為電容C_L。若輸入的信號v_i為方波，其高電位為V_DD、低電位為0，頻率為f，下列何者正確？
　

(A)反相器負載電容C_L愈大功率消耗愈低　 (B)反相器操作頻率愈快，功率消耗愈大　 (C)反相器電晶體通道長度愈長，功率消耗愈小　 (D)反相器電源電壓V_DD愈低，功率消耗愈大。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

36. 如圖電路，若輸入v_i(t)為方波電壓，則輸出v_o(t)是什麼波形？
　

(A)正弦波　 (B)三角波　 (C)脈波　 (D)矩形波。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

37. 一個n通道MOSFET，若其閘極－汲極電容C_gd＝10fF，閘極－源極電容C_gs＝50fF，轉導g_m＝1.2mA/V，則此MOSFET之單一增益頻率（unity-gain frequency）約為多少？（f＝10^－¹⁵）　

(A)1.18GHz　 (B)2.18GHz　 (C)3.18GHz　 (D)4.18GHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

38. 圖電路中雙極性接面電晶體之增益β＝100，小訊號參數r_π＝1.44kΩ，則此電路之轉角頻率（corner frequency）約為多少？
　

(A)23.2Hz　 (B)30.2Hz　 (C)37.2Hz　 (D)44.2Hz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

39. 如圖為哈特來振盪器（Hartley Oscillator），已知L₁＝0.05mH和L₂＝0.01mH和C＝60nF，試求振盪頻率f_o約為多少？
　

(A)1.414MHz　 (B)527kHz　 (C)225kHz　 (D)84kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

40. 如圖所示之電路，其為何種濾波器？
　

(A)低通　 (B)帶通　 (C)高通　 (D)全通。

鐵路特考考古題 108年 電子學大意

主題分類

鐵路特考考古題 108年電子學大意