鐵路特考考古題 109年電子學大意

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

1. 某場效電晶體工作在飽和區，其i_D－v_GS關係如圖所示，則此電晶體為：
　

(A)增強型NMOS　 (B)增強型PMOS　 (C)空乏型NMOS　 (D)空乏型PMOS。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

2. 設計數位電路時，若採用N通道或P通道金氧半場效電晶體（MOSFET），一般情形不會使用到MOSFET的那一個工作區（Operation Region）？　

(A)飽和區（Saturation region）　 (B)線性區（Linear region）　 (C)三極管區（Triode region）　 (D)截止區（Cut-off region）。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

3. 如圖所示的OP AMP放大器，其輸出v_O＝－0.2V。假若此輸出電壓是由偏移電壓（offset voltage）所造成的。問偏移電壓之絕對值最接近下列何值？
　

(A)4mV　 (B)20mV　 (C)40mV　 (D)200mV。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

4. 有一理想二極體，在順向偏壓0.7V時導通電流為10mA。今取10個完全相同的二極體串聯之，並施以0.7V的偏壓，則此電路的導通電流約為：　

(A)∞　 (B)100mA　 (C)1mA　 (D)非常小，近於0mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

5. 有一增益為A＝100的放大器，將其置入一回饋迴路，設此迴路之回饋因素（feedback factor）為f＝0.1，則此系統之封閉迴路增益（closed loop gain）約為多少？　

(A)99　 (B)9　 (C)0.9　 (D)0.09。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

6. 如圖，CMOS場效電晶體的輸入端v_I接V_DD時，其輸出端v_o是處於下列何種狀態？
　

(A)上拉（pull-up）至V_DD　 (B)下拉（pull-down）至地　 (C)V_DD/2　 (D)Q_P與Q_N皆關閉，輸出浮接。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

7. 有一N通道空乏型MOSFET的I_DSS＝12mA，夾止電壓V_GS(off)＝－4V，當V_GS＝－3V時，I_D之值應為多少？　

(A)1mA　 (B)0.75mA　 (C)0.5mA　 (D)0mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

8. 如圖所示之電路，設電晶體主動區之電流增益β為40，則使此電晶體進入飽和區之最小I_B值應為多少？
　

(A)2mA　 (B)1mA　 (C)0.5mA　 (D)0.25mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

9. 有一雙極接面電晶體，其I_S＝10^－¹⁵A，爾利電壓（Early voltage）V_A＝50V且V_CEsat＝0.4V，若室溫時其轉導值（transconductance）為1/26 S，則此電路之偏壓電流I_C應為多少？　

(A)10mA　 (B)1mA　 (C)100μA　 (D)10μA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

10. 下列表示法，何者是p通道的接面場效電晶體（JFET）？　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

11. 圖中電路的放大器為一理想運算放大器，其電壓增益為何？
　

(A)－2　 (B)－3　 (C)－4　 (D)－5。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

12. 如圖所示之電路，如A_o＝∞，電容器初始壓降V_C(0)＝0，輸入訊號為一弦波，假使輸出振幅為輸入訊號振幅的5倍且RC＝0.8μs，則輸入訊號之頻率值為何？
　

(A)1MHz　 (B)2MHz　 (C)3MHz　 (D)4MHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

13. 半波整流電路以及半波整流－電容濾波電路中二極體所承受之峰值逆向電壓（PIV）分別為A伏特與B伏特，所有二極體的順向特性及濾波效果均視為理想且相同的輸入信號為弦波時，A/B之比值約為何？　

(A)0.5　 (B)1　 (C)2　 (D)4。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

14. 半波整流－電容濾波電路（二極體視為理想）之輸入信號v_i(t)＝18sin(754t)伏特，如果電容值C＝100μF與負載電阻R_L＝6kΩ之時間常數可形成類似鋸齒波之漣波波形輸出，該電路之漣波因素（r%）為何？　

(A)0.18%　 (B)0.8%　 (C)0.4%　 (D)3%。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

15. 下圖中，v_a(t)＝5sin(10t)伏特，v_b(t)＝6sin(10t)伏特，v_c(t)＝7sin(10t)伏特，各二極體之導通電壓皆為0.7V，導通電阻為0Ω，則電阻R之最大電流為何？
　

(A)3.3mA　 (B)4.3mA　 (C)5.3mA　 (D)6.3mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

16. 下圖中之電路若二極體之導通電壓與導通電阻皆為0，電容C之初始電壓為0V，v_i之輸入如圖所示，下列敘述何者正確？
　

(A)v_o之最高電壓為5V　 (B)v_o之最高電壓為3V　 (C)v_o之最高電壓為2.5V　 (D)v_o之最高電壓為1V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

17. 圖中二極體D1之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，若輸入電壓v_i(t)＝3sin(10t)伏特，則| i |的最大值為何？
　

(A)7mA　 (B)10mA　 (C)33mA　 (D)40mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

18. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，輸入電源為峰值12V的正弦波，則其輸出電壓v_out之波形最有可能為下列何者？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

19. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，若跨在C₂與C₄串聯上之直流電壓（V_c2＋V_c4）為80V，則電容C₃跨壓為何？
　

(A)20V　 (B)40V　 (C)60V　 (D)80V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

20. 分析如圖之電路，若二極體之電流I_D可表示為I_D＝I_Sexp(V_D/V_T)，V_D為二極體之跨壓，V_T＝25mV，C1與C2之電容值為無限大，則v_o/v_i＝？
　

(A)0　 (B)0.5　 (C)1　 (D)2。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

21. 如圖電路，設二極體均為理想二極體，R＝10kΩ，R₁＝R₂＝5kΩ，V₁＝V₂＝5V。當v_I＝3V時，v_O為多少？
　

(A)0　 (B)3V　 (C)6V　 (D)8V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

22. 使用有中心抽頭變壓器作為全波整流電路時，最少需搭配使用幾個二極體？　

(A)1個　 (B)2個　 (C)3個　 (D)4個。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

23. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝100，V_T＝26mV且爾利（Early）電壓V_A＝100V，假定此電路之直流偏壓電流I_C＝0.84mA，求其小信號輸出電阻R_O之值為何？
　

(A)0.72kΩ　 (B)1.41kΩ　 (C)3.54kΩ　 (D)4.67kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

24. 假設一MOSFET的汲極電流固定，關於其轉導（g_m）的敘述下列何者正確？　

(A)g_m正比於

(B)g_m正比於

　 (C)g_m正比於MOSFET的過驅電壓（V_GS－V_TH）　 (D)g_m正比於W/L。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

25. 圖中電晶體M1之μ_nC_ox(W/L)＝0.5mA/V²，臨界電壓V_T＝0.8V，若忽略通道調變效應，下列敘述何者錯誤？
　

(A)V_o1＝1V　 (B)M1操作在線性區（Linear region）　 (C)V_gs1＝2.8V　 (D)若M1之（W/L）增加兩倍，V_o1之電壓維持不變。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

26. 圖中電晶體Q1之β＝100，V_BE(on)＝0.7V，試求V_o＝？
　

(A)4.95V　 (B)3.95V　 (C)2.95V　 (D)1.95V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

27. 電晶體的射－基極導通電壓視為定值且等於0.7V，如圖之電晶體放大電路中嘗試讓電晶體的輸出直流電壓V_ECQ工作在2.5V時，電阻R約為多少？
　

(A)0.5kΩ　 (B)1.5kΩ　 (C)2.5kΩ　 (D)3.5kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

28. 增強型MOSFET放大器中μ_nC_ox(W/L)＝4mA/V²，已知的電阻值分別為R₁＝600kΩ、R₂＝300kΩ、R₃＝2kΩ及R₄＝1kΩ，且測得流經電阻R₃的直流偏壓電流為2mA，當R₃變為原來的2倍時，該放大器小信號之電壓增益變為原來者約多少倍？放大器之偏壓電路可提供該MOSFET正確的工作區。
　

(A)0.5倍　 (B)1倍　 (C)2倍　 (D)4倍。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

29. 一功率電晶體其接面最大溫度為170°C，熱阻為55°C/W，當操作溫度為60°C時，其容許的最大發散功率為何？　

(A)1W　 (B)2W　 (C)3W　 (D)4W。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

30. 圖示威爾遜電流鏡（Wilson current mirror）電路，各電晶體特性完全相同，I_O為輸出電流，R_O為輸出阻抗，相較於一般的基本電流鏡電路，有關威爾遜電流鏡電路的敘述，下列何者錯誤？
　

(A)降低I_O/I_REF之比例　 (B)降低電晶體之β效應　 (C)提高輸出阻抗R_O　 (D)穩定輸出電流I_O。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

31. 有一操作於主動模式（active-mode）的雙極接面電晶體，當集極電流I_C＝2mA，其輸出電阻r_o＝20kΩ，則當I_C＝4mA時，其r_o值為何？　

(A)約降為10kΩ　 (B)約降為14kΩ　 (C)仍為20kΩ　 (D)約增為40kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

32. 如圖電路，電晶體工作於主動模式（active-mode），V_BE＝0.7V，β＝99，R_B＝100kΩ，I＝1mA，V_CC＝5V，－V_EE＝－5V，則V_E值為：
　

(A)－1.7V　 (B)－0.7V　 (C)0V　 (D)0.7V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

33. 如圖所示為一個具有偏壓電源V_R的施密特觸發電路（OPA視為理想），其輸入－輸出（v_I－v_O）轉移特性的上、下臨界輸入電壓分別為V_UT＝9伏特、V_LT＝－3伏特，則該偏壓電源V_R約為多少？
　

(A)2伏特　 (B)3.5伏特　 (C)5伏特　 (D)6伏特。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

34. 如圖所示為一方波產生電路，如果此電路中所有的電阻值都變成原來的2倍，則輸出訊號的週期將變成原先的多少倍？
　

(A)1/4　 (B)2　 (C)4　 (D)8。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

35. β₁＝8的p-n-p電晶體和未知β₂的n-p-n電晶體共同組合之電晶體對，測得該電晶體對之電路等效電流增益大小為β＝135，決定其n-p-n電晶體未知的β₂值約為多少？
　

(A)17　 (B)15　 (C)12　 (D)8。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

36. 如圖所示為一振盪器。電路中OP AMP輸出的上下限為±10V。v_O1可輸出三角波（triangle wave），求三角波的峰對峰值（peak to peak value）？
　

(A)1V　 (B)2V　 (C)10V　 (D)20V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

37. 如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的β＝100，V_BEactive＝0.7V，C_π＝20pF，C_μ＝5pF，忽略爾利效應。V_T＝25mV，求高頻3dB頻率（選最接近之值）？
　

(A)7.86kHz　 (B)39.3kHz　 (C)187kHz　 (D)796kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

38. 某二階濾波器其轉移函數為T(s)＝，其極點為何？　

(A)±

　 (B)－1±

　 (C)±

　 (D)－1±

。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

39. 如圖振盪器電路中，若R₁＝R₂＝R₃＝1kΩ、R₄＝29kΩ且C₁＝C₂＝C₃＝0.1nF，則振盪頻率約為多少？
　

(A)450kHz　 (B)550kHz　 (C)650kHz　 (D)750kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

40. 某一單一增益運算放大器的迴轉率SR＝0.7V/μs，若輸入弦波信號之峰值電壓為V_m＝5V，則最大的不失真輸入頻率為何？　

(A)35kHz　 (B)28kHz　 (C)22.28kHz　 (D)18.35kHz。

愛舉手問答平台

鐵路特考考古題 109年 電子學大意

主題分類

鐵路特考考古題 109年電子學大意