鐵路特考考古題,電子學大意 (收錄106年~110年歷屆試題,每次隨機抽取50題)-愛舉手

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

1. 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為| V_th |＝0.5V。V_D1＝2V，V_D2＝－2V，V_D＝2V，V_E＝－2V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？
　(106年度考題)　

(A)N-channel MOSFET（N通道金氧半場效電晶體）　 (B)P-channel MOSFET（P通道金氧半場效電晶體）　 (C)CMOSFET（互補式金氧半場效電晶體）　 (D)FIN FET（鰭式場效電晶體）。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

2. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_o/v_i：
　(106年度考題)　

(A)－1/4　 (B)－1/3　 (C)－1　 (D)－3。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

3. CMOS場效電晶體是採用何種場效電晶體製作成的？　(106年度考題)　

(A)PN接合型場效電晶體　 (B)MOS空乏型場效電晶體　 (C)MOS增強型場效電晶體　 (D)各型場效電晶體都可以。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

4. 在高頻電路上若需要獲得最大的頻寬與電壓增益，應選擇下列那一種放大器組態？　(106年度考題)　

(A)共閘極組態　 (B)共源極組態　 (C)共汲極組態　 (D)都可以。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

5. 一個正脈波（窄幅波）中，高、低電位各為6伏特與1伏特，對應之工作週期分別為20%與80%。問此正脈波的平均電壓為多少？　(106年度考題)　

(A)1伏特　 (B)2伏特　 (C)5伏特　 (D)6伏特。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

6. 有一JFET，其I_DSS＝12mA，V_GS(off)＝－4V，則在偏壓點V_GS＝－1.5V時，此JFET的g_m值為何？　(106年度考題)　

(A)7.5毫姆歐　 (B)7.5毫歐姆　 (C)3.75毫姆歐　 (D)3.75毫歐姆。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

7. 如圖所示為雙極性電晶體Q接成共射極組態，若逆向飽和電流為I_CBO且電流增益為β，試問電晶體Q的截止條件為何？
　(106年度考題)　

(A)i_B＝0，i_C＝0，i_E＝－I_CBO　 (B)i_E＝0，i_C＝I_CBO，i_B＝－I_CBO　 (C)i_B＝0，i_C＝βI_CBO，i_E＝－（1＋β）I_CBO　 (D)i_B＝－I_CBO，i_C＝I_CBO，i_E＝（1＋β）I_CBO。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

8. 有一共汲極放大器（common-drain amplifier），其增益為A＝0.9，且C_gs＝50fF，C_gd＝10fF，則其輸入電容（input capacitance）應為多少fF？　(106年度考題)　

(A)510　 (B)90　 (C)45　 (D)15。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

9. 下列有關FET與BJT特性比較的敘述，何者最為正確？　(106年度考題)　

(A)BJT雜訊較低　 (B)FET輸入阻抗較高　 (C)BJT高頻響應較差　 (D)FET增益頻寬的乘積較BJT為大。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

10. 當理想運算放大器接成電壓隨耦器（voltage follower）應用時，下列敘述何者錯誤？　(106年度考題)　

(A)電壓增益為1　 (B)輸入阻抗為無窮大　 (C)輸出端接至運算放大器的同相輸入端　 (D)輸出阻抗為零。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

11. 有一放大器電路如圖所示，放大器U1為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在＋10V與－10V之間，二極體D1順向電壓V_D0＝0.7V。若電阻R1＝1kΩ，電源V_I＝－5V，試問節點B的電壓V_B應落在下列何範圍內？
　(106年度考題)　

(A)V_B≧－4.0V　 (B)－4.0V＞V_B≧－4.5V　 (C)－4.5V＞V_B≧－5.0V　 (D)－5.0V＞V_B。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

12. 如圖所示之電路，運算放大器為理想，求此電路之輸出電壓值為何？
　(106年度考題)　

(A)8V　 (B)10V　 (C)12V　 (D)14V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

13. 如圖之箝位電路（D為理想二極體，RC時間常數為無限大），輸入矩形週期波v_i(t)後，得到直流準位為2伏特之輸出信號，則偏壓電源V_R應為多少？
　(106年度考題)　

(A)－3V　 (B)－2V　 (C)2V　 (D)3V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

14. 如圖所示之電路，假設輸入電壓V_in為－5V，且所有的二極體皆為理想，輸出電壓V_out為何？
　(106年度考題)　

(A)0V　 (B)－5V　 (C)－3V　 (D)－2V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

15. 如圖所示為一箝位電路，若P_D(max)為稽納二極體可承受的最大消耗功率值，則稽納二極體最大容許電流I_Z(max)為何？
　(106年度考題)　

(A)10mA　 (B)25mA　 (C)50mA　 (D)500mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

16. 如圖所示之電路，若D為理想二極體，其輸出波形V_o為何？
　(106年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

17. 圖中二極體D1之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，若輸入電壓v_s(t)＝3sin 5t伏特，R_s＝100Ω，則t＝（3π/10）時，i＝？
　(106年度考題)　

(A)37mA　 (B)23mA　 (C)－23mA　 (D)－37mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

18. 如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7V，則此電路之輸入電壓v_in－輸出電壓v_out之特性曲線最有可能為下列何者？
　(106年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

19. 如圖所示之電路，若二極體之壓降為0.7V且RC時間常數很大，則其穩態輸出電壓之最低電壓值為何？
　(106年度考題)　

(A)4.3V　 (B)5.7V　 (C)－14.3V　 (D)－15.7V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

20. 圖示理想運算放大器電路中，二極體導通的電壓降為0.7V，電壓v_O為若干？
　(106年度考題)　

(A)－3V　 (B)－1.5V　 (C)0V　 (D)3V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

21. 下列何種電子電路常使用齊納（Zener）二極體？　(106年度考題)　

(A)濾波　 (B)發光　 (C)放大　 (D)穩壓。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

22. 如圖所示電路，U1為理想運算放大器。假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電阻R1＝1kΩ、R2＝2kΩ。對於輸出與輸入電壓之間的轉移特性，下列何者正確？
　(106年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

23. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝100，V_T＝26mV且V_BE(on)＝0.7V，求其小信號輸入電阻R_i之值為何？
　(106年度考題)　

(A)0.069kΩ　 (B)1.369kΩ　 (C)1.769kΩ　 (D)2.169kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

24. 關於共閘極（CG）與共源極放大器（CS）的特性比較，下列敘述何者正確？　(106年度考題)　

(A)共閘極放大器有較大的電壓增益　 (B)共源極放大器有較大的頻寬　 (C)共閘極放大器有較低的輸出阻抗　 (D)共源極放大器有較大的輸入阻抗。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

25. CMOS場效電晶體的輸出端通常會連接由MOSFET所組成的邏輯電路，其中可能造成CMOS輸出響應的傳輸延遲（propagation delay）主要受到MOSFET內部那個因素影響？　(106年度考題)　

(A)輸出電阻　 (B)輸入電阻　 (C)輸出電容　 (D)輸入電容。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

26. 圖中電晶體M1操作在飽和區（saturation region），輸出阻抗r_o＝10kΩ，轉導值g_m＝10mA/V。電流源I的內阻為10kΩ，且負載電阻R_L亦為10kΩ。則| v_o/v_s |＝？
　(106年度考題)　

(A)100/103　 (B)1　 (C)9/10　 (D)100/3。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

27. 圖中電晶體操作在主動區（forward active region），β＝99。直流偏壓為V_B，交流輸入信號為v_s，輸出信號為v_o1及v_o2。下列敘述何者正確？
　(106年度考題)　

(A)v_o1及v_o2為同相（in phase）輸出　 (B)| v_o1/v_o2 |＝100/99　 (C)| v_o1/v_o2 |＝99/100　 (D)| v_o1/v_o2 |＝1。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

28. 如圖所示之電晶體放大器電路中增強型MOSFET的相關參數為μ_nC_ox(W/L)＝2mA/V²和臨界電壓V_th＝1V，測得輸出直流偏壓電壓V_o＝V_DSQ＝6V，該偏壓下電晶體的小信號互導g_m約為多少？
　(106年度考題)　

(A)0.4mA/V　 (B)2mA/V　 (C)4mA/V　 (D)10mA/V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

29. 固定偏壓電路中電晶體基－射極導通時所跨定壓降為V_BEQ＝0.7V，求該電晶體的輸出直流電壓V_CEQ約為多少？
　(106年度考題)　

(A)8V　 (B)6V　 (C)5V　 (D)4V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

30. 下列差動放大器的共模拒斥比（CMRR）的敘述，何者正確？　(106年度考題)　

(A)與共模放大增益成正比　 (B)與差模放大增益成反比　 (C)越小越好　 (D)越大越好。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

31. 設場效電晶體之動態電阻定義為r_d＝△v_DS/△i_D（at △v_GS＝0），今有兩個完全相同的場效電晶體，其動態電阻原皆為r_d，今將其並聯連接後之動態電阻變成：　(106年度考題)　

(A)∞　 (B)2r_d　 (C)r_d　 (D)0.5r_d。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

32. 如圖之差動對電路，電晶體之β＝100，r_o→∞，R_C＝4kΩ，I＝2mA，V_CC＝－V_EE＝10V，取V_BE(on)＝0.7V，V_CE(sat)＝0.3V，V_T＝25mV，此差動對的差動電壓增益| Ad |約為多大？
　(106年度考題)　

(A)0　 (B)80V/V　 (C)160V/V　 (D)200V/V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

33. 雙極性電晶體內部電容因米勒效應（Miller Effect）會影響放大器的何種特性？　(106年度考題)　

(A)高頻響應　 (B)中頻增益　 (C)溫度係數　 (D)低頻響應。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

34. 如圖所示由兩個理想OPA構成的波形產生電路，測得v_O1的頻率與振幅分別為f₁與V_m1，而v_O2的頻率與振幅則分別為f₂與V_m2，如果只有R₂的阻值變為原來的2倍，則下列敘述何者正確？
　(106年度考題)　

(A)v_O1的頻率仍為f₁　 (B)v_O1的振幅為2V_m1　 (C)v_O2的頻率仍為f₂　 (D)v_O2的振幅為2V_m2。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

35. CB-CE串級放大電路中電晶體之β₁＝β₂＝100，各級放大電路中的射極直流偏壓電流均為2.5mA，且第2級放大電路的輸入電阻R_i2＝20kΩ，決定該串級放大電路的總電壓增益大小約為多少？熱電壓V_T＝25mV。
　(106年度考題)　

(A)80　 (B)200　 (C)240　 (D)360。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

36. 如圖變壓器交連電晶體放大器，若電晶體Q的電流增益為β＝100，Is＝10mA，熱電壓（thermal voltage）V_T＝25mV，圈數比n＝10；試求由負載端R_L側看入的輸出阻抗R_o約為多少？
　(106年度考題)　

(A)250mΩ　 (B)25mΩ　 (C)2.5mΩ　 (D)0.25mΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

37. 如圖直接耦合串級放大器電路中，已知電晶體Q₁和Q₂的電流增益分別為β₁＝50和β₂＝100，若Q₁和Q₂的V_BE都是0.7V且輸出阻抗r_o不計，試求電晶體Q₁的射極電流I_E1約為多少？
　(106年度考題)　

(A)50μA　 (B)100μA　 (C)5mA　 (D)10mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

38. 如圖所示為一施密特（Schmitt）觸發器。OP AMP輸出的上下限為±12V。若要使輸出由正轉負時，v_in應到達何值？
　(106年度考題)　

(A)－2.4V　 (B)0V　 (C)1.2V　 (D)2.4V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

39. 某二階帶通濾波器的中心頻率為10⁶rad/s，中心頻率的增益為10，3dB的頻寬為10³rad/s，求其品質因素值（Q-factor）為何？　(106年度考題)　

(A)10²　 (B)10³　 (C)10⁴　 (D)10⁵。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

40. 圖示放大器電路中的電容C_S主要功用為何？
　(106年度考題)　

(A)提升輸入阻抗　 (B)提升電壓增益　 (C)提升高頻3dB截止頻率　 (D)頻率補償。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

41. 某增強型PMOS場效電晶體，V_t＝－1V，μ_pC_ox(W/L)＝100μA/V²，若其閘極（Gate）接地，源極（Source）接＋5V，汲極（Drain）電壓為3V，則此電晶體工作在：　(107年度考題)　

(A)飽和區（Saturation Region）　 (B)截止區（Cutoff Region）　 (C)三極管區（Triode Region）　 (D)主動區（Active Region）。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

42. 如圖所示之OP AMP為理想。求v_O/v_I。
　(107年度考題)　

(A)－2k　 (B)－3k　 (C)－（2＋k）k　 (D)－3（1＋k）k。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

43. 下列有關積體電路的設計原則，何者錯誤？　(107年度考題)　

(A)避免使用耦合電容，因為電容占較大的面積　 (B)以電流源來替代電阻可以降低使用面積　 (C)控制個別電阻的阻值較控制電阻間阻值比容易　 (D)隨著電晶體尺寸的縮小，電源電壓逐漸變低。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

44. 如圖所示為運算放大器電路連接在±12V電源，一開始令電容上電壓為零且運算放大器為理想；已知RC時間常數為1ms，若該運算放大器自身的抵補電壓（offset voltage）V_OS＝2mV，試求多少時間後該運算放大器的輸出會到達飽和？
　(107年度考題)　

(A)6秒　 (B)12秒　 (C)18秒　 (D)24秒。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

45. 有一差動放大器的共模增益A_C＝20，差模增益A_d＝180，則其共模拒斥比（CMRR）＝？　(107年度考題)　

(A)180　 (B)20　 (C)9　 (D)1/9。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

46. 雙極性電晶體（BJT）若工作在主動作用區時：　(107年度考題)　

(A)基極－射極接面、基極－集極接面都順偏　 (B)基極－射極接面順偏、基極－集極接面逆偏　 (C)基極－射極接面逆偏、基極－集極接面順偏　 (D)基極－射極接面、基極－集極接面都逆偏。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

47. 積體電路中需要製作隔離區，這是因為：　(107年度考題)　

(A)方便作電路測試　 (B)避免元件受機械損害　 (C)避免元件受熱損害　 (D)減少電路中各元件間之電性相互作用。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

48. 如圖為一個理想運算放大器電路，其電壓增益v_O/v_I為多少分貝（dB）？
　(107年度考題)　

(A)10dB　 (B)－10dB　 (C)20dB　 (D)－20dB。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

49. 一個NMOS電晶體，其臨界電壓V_t＝0.5V。當輸入端電壓V_GS＝1.5V時之汲極飽和電流I_D＝1mA，則當汲極飽和電流I_D增為4mA時，其V_GS值為多大？　(107年度考題)　

(A)1.5V　 (B)2V　 (C)2.5V　 (D)3V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

50. 當一npn電晶體工作在飽和模式（Saturation-Mode）時，下列敘述何者最有可能是錯誤的？　(107年度考題)　

(A)V_BE約為0.7V　 (B)V_BC約為0.5V　 (C)V_CE約為0.2V　 (D)I_C飽和在I_sat的定值。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

51. 如圖所示之電路，假設電容器初始壓降V_C(0)＝0，則輸出電壓振幅為輸入電壓振幅V_P之幾倍？
　(107年度考題)　

(A)26.5　 (B)30.5　 (C)36.5　 (D)39.5。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

52. 若運算放大器之迴轉率（slew rate）為4π V/μs，當輸入為弦波時其輸出弦波之峰值為5V，求最大不失真頻率為何？　(107年度考題)　

(A)300kHz　 (B)400kHz　 (C)500kHz　 (D)600kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

53. 如圖所示之電路，當V_IN為5V時，V_OUT為何？假設二極體的開啟電壓（turn-on voltage）為0.8V。
　(107年度考題)　

(A)4.2V　 (B)5.8V　 (C)－2.3V　 (D)－0.7V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

54. 如圖所示之橋式整流電路，已知V_S＝40sinωt V，若所有二極體皆為理想二極體，則一個二極體之峰值逆向電壓（PIV）為何？
　(107年度考題)　

(A)10V　 (B)20V　 (C)40V　 (D)80V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

55. 下列何者非「橋式整流電路」優於「變壓器中間抽頭式整流電路」的項目？　(107年度考題)　

(A)二極體之反向峰值電壓（PIV）值會較小　 (B)二極體數量較少　 (C)變壓器體積較小　 (D)電路中之變壓器價格會較低。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

56. 下圖中輸入信號為弦波v_s(t)＝5sin10t V，各二極體D₁－D₄之導通電壓皆為0.7V，導通電阻為10Ω。若R＝10Ω，則電流| i |之最大值為何？
　(107年度考題)　

(A)212mA　 (B)180mA　 (C)90mA　 (D)45mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

57. 下圖中二極體D1之導通電壓為0.7V，導通電阻為10Ω，輸入信號為弦波，v_i(t)＝5sin10t V，R1與R2皆為5Ω，則v_o(t)的最小值為何？
　(107年度考題)　

(A)－5V　 (B)－4.175V　 (C)－2.8V　 (D)－1.7V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

58. 圖中電路之輸入信號v_i為弦波，v_i(t)＝5sin10t V，二極體D1之導通電壓為0.7V，導通電阻為100Ω。則流過電阻上的電流最大值為何？
　(107年度考題)　

(A)93mA　 (B)50mA　 (C)43mA　 (D)21.5mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

59. 下圖中二極體之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，則V_o為何？
　(107年度考題)　

(A)2.5V　 (B)1.8V　 (C)5/3V　 (D)1.2V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

60. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，則v_o之電壓為何？
　(107年度考題)　

(A)－20V　 (B)40V　 (C)－60V　 (D)80V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

61. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V、R₁＝10kΩ、V_DC＝5V。若R₂＝20kΩ，當輸入電壓v_S為10V時，試求流經二極體D的電流值i_D約為多少？
　(107年度考題)　

(A)0mA　 (B)0.145mA　 (C)0.285mA　 (D)0.43mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

62. 考慮一使用理想二極體之半波整流電路，二極體正向壓降為V_D，當輸入一振幅為V_m的正弦波電壓時，其導通切入角度（cut-in angle）為多少？　(107年度考題)　

(A)sin^－¹（V_D/V_m）　 (B)cos^－¹（V_D/V_m）　 (C)tan^－¹（V_D/V_m）　 (D)cot^－¹（V_D/V_m）。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

63. 增強型MOSFET的V_T＝2V，K＝＝1mA/V²，V_GS＝4V，V_DS＝1V，則汲極電流I_D為何？　(107年度考題)　

(A)3mA　 (B)6mA　 (C)9mA　 (D)12mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

64. 請問如圖所示放大器之增益（V_o/V_i）為何？假設電晶體操作於主動區且V_T＝25mV。
　(107年度考題)　

(A)－20　 (B)－30　 (C)－40　 (D)－50。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

65. 若雙極性電晶體（BJT）的βI_B＝I_C時，則電晶體操作在：　(107年度考題)　

(A)逆向崩潰區（reverse breakdown region）　 (B)截止區（cut-off region）　 (C)主動區（active region）　 (D)飽和區（saturation region）。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

66. 若PNP型電晶體操作在主動區且I_B＝0.05mA，I_C＝4.95mA，則其α值為：　(107年度考題)　

(A)100　 (B)99　 (C)0.99　 (D)0.98。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

67. 圖中電晶體M1之μ_nC_ox(W/L)＝0.5mA/V²，臨界電壓V_T＝0.8V，若忽略通道調變效應且M1維持操作在飽和區（saturation region），則V_B的最大值為何？
　(107年度考題)　

(A)1.6V　 (B)2.0V　 (C)2.4V　 (D)2.8V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

68. 在電晶體的小訊號π模型中，訊號的放大機制如何表示？　(107年度考題)　

(A)電流控制電壓源　 (B)電流控制電流源　 (C)電壓控制電壓源　 (D)電壓控制電流源。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

69. 圖中信號源阻抗R_S＝1kΩ，轉導放大器輸入阻抗R_i＝1kΩ，轉導增益G_ms＝1mA/V，輸出阻抗R_o＝10kΩ，負載阻抗R_L＝10kΩ，則v_o/v_s＝？
　(107年度考題)　

(A)5(V/V)　 (B)2.5(V/V)　 (C)－5(V/V)　 (D)－2.5(V/V)。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

70. 如圖所示之電晶體工作在主動區，其輸出直流偏壓電流為I_CQ＝3mA，基極端之等效輸入電阻約為多少？（R₁＝2kΩ、R₂＝30kΩ且熱電壓＝25mV）。
　(107年度考題)　

(A)30kΩ　 (B)15kΩ　 (C)2kΩ　 (D)0.5kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

71. 如圖所示具有反交聯電容器C₁的增強型MOSFET放大器中μ_nC_ox(W/L)＝4mA/V²，流經3kΩ的直流偏壓電流為2mA，輸入交流弦波信號v_i的振幅為0.2V，輸出交流信號的振幅為多少？
　(107年度考題)　

(A)0.8V　 (B)2V　 (C)4V　 (D)8V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

72. 圖示電路，若電流源I為1mA、R_C＝1kΩ，電晶體電流放大率β＝100，則電壓增益v_o/v_i約為若干？
　(107年度考題)　

(A)－100　 (B)－40　 (C)20　 (D)40。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

73. 圖示為變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路中部分電路，如果想要得到最大功率轉移，則圖式電路中電晶體的集極偏壓電流I_C應約為多少？其中R₁＝50Ω、β＝100、熱電壓V_T＝25mV。
　(107年度考題)　

(A)2mA　 (B)1.5mA　 (C)1mA　 (D)0.6mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

74. 如圖所示由理想OPA（電源電壓為±15V）所構成之施密特觸發電路，該電路於R₂＝2kΩ時之輸入－輸出轉移特性具有一磁滯電壓為20伏特，則R₁的電阻值約為多少？
　(107年度考題)　

(A)1kΩ　 (B)2kΩ　 (C)3kΩ　 (D)4kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

75. 如圖是由β₁＝5及β₂＝10的兩電晶體構成之達靈頓對電晶體，決定該達靈頓對電路的等效電晶體之電流增益大小約為多少？
　(107年度考題)　

(A)5　 (B)15　 (C)50　 (D)65。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

76. 如圖所示為兩個理想OPA構成的三角波產生電路，該兩OPA所施加的直流電源電壓值相同，測得v_O1及v_O2輸出波形的峰到峰值分別為20及16伏特，則R₁的電阻值應約為何？
　(107年度考題)　

(A)5kΩ　 (B)4kΩ　 (C)3kΩ　 (D)2kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

77. 如圖為一方波振盪器。若OP AMP輸出的上下限為±10V。R₂＝4R₃、R₁C₁＝10ms，求方波的振幅？
　(107年度考題)　

(A)4V　 (B)6V　 (C)8V　 (D)10V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

78. 如圖電晶體放大器電路，試問旁路電容C_E會衰減放大器頻率響應的那一頻段？
　(107年度考題)　

(A)全頻段　 (B)高頻段　 (C)中頻段　 (D)低頻段。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

79. 如圖電路為具有電阻r_b＝500Ω的混合π等效電路。如果電晶體偏壓在集極電流I_CQ＝2mA時，其相關參數為β＝100、C₁＝2nF，且熱電壓V_T＝0.026V。則此電路之－3dB頻率約為多少？
　(107年度考題)　

(A)201 kHz　 (B)211 kHz　 (C)221 kHz　 (D)231 kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

80. 下列為一被動式濾波器（Passive filter），已知L＝4.24μH、C＝1.6μF、R＝10kΩ。試求此電路的共振頻率約為多少？
　(107年度考題)　

(A)150 kHz　 (B)100 kHz　 (C)60 Hz　 (D)10 kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

81. 下圖中輸入信號為弦波v_i(t)＝5sin10t伏特，二極體D₁之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω。放大器（Amp）之增益為9V/V，輸入阻抗為無限大，輸出阻抗為0，則輸出v_o(t)之最大值為何？
　(108年度考題)　

(A)5V　 (B)4.57V　 (C)4.43V　 (D)4.3V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

82. 一個NPN雙極性電晶體，β＝100且操作在主動區（active region）。若集極對射極的電壓為5V，集極電流為1mA。熱電壓V_T＝0.025V。求由基極視入的基射極小信號電阻r_π？　(108年度考題)　

(A)25Ω　 (B)50Ω　 (C)2.5kΩ　 (D)5kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

83. 將一個n-通道增強型MOSFET操作在飽和區，源極接地，以理想電流源注入100μA的汲極電流。此電晶體μ_nC_ox＝20μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。若電晶體的爾利電壓（Early voltage）V_A＝20V，問小信號增益大小的絕對值為多少？　(108年度考題)　

(A)20　 (B)40　 (C)100　 (D)200。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

84. 已知某一雙極性接面電晶體的互導為g_m、輸入阻抗為r_π、電流增益為β，試問下列何者正確？　(108年度考題)　

(A)r_π＝g_mβ　 (B)β＝g_mr_π　 (C)g_m＝βr_π　 (D)r_πg_mβ＝1。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

85. 如圖所示為一系列的方形脈波，其頻率為？
　(108年度考題)　

(A)300kHz　 (B)250kHz　 (C)200kHz　 (D)150kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

86. 在積體電路中，有關二氧化矽（SiO₂）的角色，下列敘述何者正確？　(108年度考題)　

(A)它讓擴散物質通過　 (B)它的熱傳導性高　 (C)它可保護且使矽表面絕緣　 (D)它可控制擴散物質的濃度。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

87. 有一雙極接面電晶體，其V_BE保持定值，若此電晶體射極與基極的接面積增為2倍時，其小信號輸出電阻（small signal output resistance）會如何？　(108年度考題)　

(A)增大為原來的2倍　 (B)不變　 (C)減小為原來的一半　 (D)減小為原來的4分之1。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

88. 下列那一種FET在閘極未加電壓時是沒有通道的？　(108年度考題)　

(A)增強型MOSFET　 (B)JFET　 (C)P通道空乏型MOSFET　 (D)N通道空乏型MOSFET。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

89. 如圖所示為一個理想CMOS開關電路，若輸入電壓V_i為負電壓（包含0伏特）時，則輸出電壓V_o應為多少伏特？
　(108年度考題)　

(A)V_DD　 (B)V_DD/2　 (C)V_DD/3　 (D)0。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

90. 圖為使用理想運算放大器之電路，若電壓增益A_v＝v_O/v_I＝－100，R₂＝R₄＝100kΩ，R₃＝200kΩ，則R₁為多少？
　(108年度考題)　

(A)5kΩ　 (B)10kΩ　 (C)15kΩ　 (D)20kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

91. 關於P-N接面二極體之敘述，下列何者正確？　(108年度考題)　

(A)順向偏壓時擴散電容（diffusion capacitance）較空乏電容（depletion capacitance）為大　 (B)逆向偏壓增加時，接面之少數載子濃度增加　 (C)逆向偏壓增加時，空乏區之寬度減少　 (D)順向偏壓減少時，擴散電容增加。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

92. 如圖所示電路，U₁為理想運算放大器。已知電阻R₁＝1kΩ、R₂＝3kΩ、R₃＝1kΩ、R₄＝3kΩ。求在輸入端v_I2的等效輸入電阻R_in2約為多少？
　(108年度考題)　

(A)1kΩ　 (B)3kΩ　 (C)4kΩ　 (D)8kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

93. 某pn接面二極體在固定電流順偏導通下，下列敘述何者正確？　(108年度考題)　

(A)溫度變化與二極體兩端電壓降無關　 (B)溫度愈高，二極體兩端電壓降愈高　 (C)pn接面截面積愈大，二極體兩端電壓降愈低　 (D)溫度與電壓關係為＋2°C/mV。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

94. 如圖所示電路，若圖中輸入電壓為V_i＝5V，假設二極體皆為理想二極體，則輸出電壓V_o為多少？
　(108年度考題)　

(A)5V　 (B)2.5V　 (C)－2.5V　 (D)－5V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

95. 如圖所示之電路，假設二極體之壓降皆為0.7V，求其輸出電壓v_out之漣波電壓（ripple voltage）值為何？
　(108年度考題)　

(A)12V　 (B)3.51V　 (C)2.92V　 (D)0.324V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

96. 共源極接面場效電晶體（JFET）放大器的輸入電阻很大，是因為輸入端為？　(108年度考題)　

(A)未加電壓　 (B)絕緣材質　 (C)順向偏壓　 (D)逆向偏壓。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

97. 圖示電路中，A₁及A₂為理想運算放大器，v_I＝5sinωt (V)，問v_O的平均電壓約為若干？
　(108年度考題)　

(A)1.6V　 (B)3.2V　 (C)4.8V　 (D)6.4V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

98. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_S(t)＝12sin（120πt）V、R＝10kΩ、C＝47μF。試求輸出電壓v_O的漣波電壓（ripple voltage）值約為多少？
　(108年度考題)　

(A)2V　 (B)1V　 (C)0.4V　 (D)0.1V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

99. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_S(t)＝12sin（120πt）V、R₁＝10kΩ、V_DC＝5V。若R₂＝20kΩ，對於輸出電壓v_O的正及負電壓峰值（V_＋及V_－）約為多少？
　(108年度考題)　

(A)V_＋＝5.7V，V_－＝－12V　 (B)V_＋＝12V，V_－＝－5.7V　 (C)V_＋＝5.7V，V_－＝－8V　 (D)V_＋＝8V，V_－＝－5.7V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

100. 如圖所示之電路，輸入電壓v_i為一交流弦波，有效值為100V，頻率為60Hz，二極體皆為理想，求輸出之平均直流電壓值約為何？
　(108年度考題)　

(A)7V　 (B)8V　 (C)9V　 (D)10V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

101. 如圖所示之電路，二極體皆為理想，有關此電路之敘述，下列何者正確？
　(108年度考題)　

(A)C₁的耐壓為2V_m　 (B)D₁的峰值反向電壓為V_m　 (C)V_O之值為2V_m　 (D)D₂的峰值反向電壓為2V_m。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

102. 如圖所示之電路，二極體導通之壓降為0.7V，RC≫v_i之週期，求電路穩態時之V₃為何？
　(108年度考題)　

(A)4.3V　 (B)5.7V　 (C)9.3V　 (D)12.7V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

103. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝100，V_A＝∞，V_T＝26mV且V_BE(on)＝0.7V，求其小信號電壓增益值為何？
　(108年度考題)　

(A)－2.02　 (B)－4.02　 (C)－6.02　 (D)－8.02。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

104. 假設圖中電晶體操作於飽和區，閘極與源極之壓差為0.7V，且臨界電壓V_TH＝0.6V。請問圖中共閘極放大器之小訊號輸入電阻R_IN為何？
　(108年度考題)　

(A)10Ω　 (B)20Ω　 (C)30Ω　 (D)40Ω。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

105. 圖中電晶體之μ_nC_ox(W/L)₁＝μ_nC_ox(W/L)₂＝0.5mA/V²，臨界電壓V_T＝0.8V，若忽略通道調變效應，則V_o＝？
　(108年度考題)　

(A)0.54V　 (B)0.84V　 (C)1.24V　 (D)2.24V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

106. 關於金氧半場效電晶體（MOSFET）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
　(108年度考題)　

(A)在特定（W/L）的條件下，r_o與偏壓電流成正比　 (B)在特定（W/L）的條件下，偏壓電流越大則g_m越大　 (C)在特定（W/L）的條件下，元件的直流偏壓V_GS越大則g_m越大　 (D)對共源級（common source）放大器而言，輸入阻抗為無窮大。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

107. 圖中電晶體操作在主動區（active region），β＝99，g_m＝10mA/V。直流偏壓為V_B，交流輸入信號為v_s，輸出信號為v_o。下列敘述何者正確？
　(108年度考題)　

(A)屬共射級（common emitter）放大器　 (B)為同相放大器　 (C)| v_o/v_s |＝100　 (D)輸入阻抗＜10kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

108. 具有共射極電流增益β及爾利（Early）電壓V_A的電晶體，其輸入、輸出直流偏壓電流分別為I_BQ、I_CQ時，下列那一選項具有最大的小信號等效輸出電阻？　(108年度考題)　

(A)V_A＝100V，β＝100，I_CQ＝2mA　 (B)V_A＝100V，β＝80，I_BQ＝0.02mA　 (C)V_A＝80V，β＝50，I_CQ＝2mA　 (D)V_A＝80V，β＝80，I_BQ＝0.04mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

109. 轉導（G_m）放大器之輸入與輸出阻抗特性之敘述，下列何者正確？　(108年度考題)　

(A)輸入應為低阻抗　 (B)輸出應為高阻抗　 (C)輸入阻抗與電流放大器之輸入特性相似　 (D)輸出阻抗與電壓放大器之輸出特性相似。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

110. 如圖所示為操作於主動模式（active mode）的雙極接面電晶體的π型小訊號等效電路，若g_m值增為兩倍，則r_π值會如何？
　(108年度考題)　

(A)增為

倍　 (B)增為2倍　 (C)減為一半　 (D)不變。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

111. 當一n通道增強型MOSFET，工作於三極管區（Triode region）時，下列何者正確？　(108年度考題)　

(A)V_DS≧V_GS－V_t　 (B)V_DS≦V_t　 (C)V_GD≧V_t　 (D)V_t≦0。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

112. 分析如圖之電路，若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g_m為1mA/V，忽略元件之輸出阻抗r_o，試求其共模增益V_o/V_icm＝？
　(108年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

113. 圖中電晶體M1操作在飽和區（saturation region），輸出阻抗r_o＝10kΩ，轉導值g_m＝10mA/V。若電阻R＝10kΩ，下列敘述何者正確？
　(108年度考題)　

(A)小信號增益| v_o/v_s |＝10　 (B)屬共汲極（common drain）放大器　 (C)R_out＝5kΩ　 (D)若電阻R值增加且電晶體M1維持操作在飽和區，| v_o/v_s |降低。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

114. 圖示RC耦合串級放大電路的總電壓增益為60dB，將第1級放大電路的偏壓電阻值R₁與R₂均變為原來的2倍後，假設各級放大電路仍正常工作，總電壓增益約為多少？
　(108年度考題)　

(A)200　 (B)400　 (C)500　 (D)1000。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

115. 如圖所示為一CMOS反相器，其負載為電容C_L。若輸入的信號v_i為方波，其高電位為V_DD、低電位為0，頻率為f，下列何者正確？
　(108年度考題)　

(A)反相器負載電容C_L愈大功率消耗愈低　 (B)反相器操作頻率愈快，功率消耗愈大　 (C)反相器電晶體通道長度愈長，功率消耗愈小　 (D)反相器電源電壓V_DD愈低，功率消耗愈大。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

116. 如圖電路，若輸入v_i(t)為方波電壓，則輸出v_o(t)是什麼波形？
　(108年度考題)　

(A)正弦波　 (B)三角波　 (C)脈波　 (D)矩形波。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

117. 一個n通道MOSFET，若其閘極－汲極電容C_gd＝10fF，閘極－源極電容C_gs＝50fF，轉導g_m＝1.2mA/V，則此MOSFET之單一增益頻率（unity-gain frequency）約為多少？（f＝10^－¹⁵）　(108年度考題)　

(A)1.18GHz　 (B)2.18GHz　 (C)3.18GHz　 (D)4.18GHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

118. 圖電路中雙極性接面電晶體之增益β＝100，小訊號參數r_π＝1.44kΩ，則此電路之轉角頻率（corner frequency）約為多少？
　(108年度考題)　

(A)23.2Hz　 (B)30.2Hz　 (C)37.2Hz　 (D)44.2Hz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

119. 如圖為哈特來振盪器（Hartley Oscillator），已知L₁＝0.05mH和L₂＝0.01mH和C＝60nF，試求振盪頻率f_o約為多少？
　(108年度考題)　

(A)1.414MHz　 (B)527kHz　 (C)225kHz　 (D)84kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

120. 如圖所示之電路，其為何種濾波器？
　(108年度考題)　

(A)低通　 (B)帶通　 (C)高通　 (D)全通。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

121. 某場效電晶體工作在飽和區，其i_D－v_GS關係如圖所示，則此電晶體為：
　(109年度考題)　

(A)增強型NMOS　 (B)增強型PMOS　 (C)空乏型NMOS　 (D)空乏型PMOS。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

122. 設計數位電路時，若採用N通道或P通道金氧半場效電晶體（MOSFET），一般情形不會使用到MOSFET的那一個工作區（Operation Region）？　(109年度考題)　

(A)飽和區（Saturation region）　 (B)線性區（Linear region）　 (C)三極管區（Triode region）　 (D)截止區（Cut-off region）。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

123. 如圖所示的OP AMP放大器，其輸出v_O＝－0.2V。假若此輸出電壓是由偏移電壓（offset voltage）所造成的。問偏移電壓之絕對值最接近下列何值？
　(109年度考題)　

(A)4mV　 (B)20mV　 (C)40mV　 (D)200mV。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

124. 有一理想二極體，在順向偏壓0.7V時導通電流為10mA。今取10個完全相同的二極體串聯之，並施以0.7V的偏壓，則此電路的導通電流約為：　(109年度考題)　

(A)∞　 (B)100mA　 (C)1mA　 (D)非常小，近於0mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

125. 有一增益為A＝100的放大器，將其置入一回饋迴路，設此迴路之回饋因素（feedback factor）為f＝0.1，則此系統之封閉迴路增益（closed loop gain）約為多少？　(109年度考題)　

(A)99　 (B)9　 (C)0.9　 (D)0.09。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

126. 如圖，CMOS場效電晶體的輸入端v_I接V_DD時，其輸出端v_o是處於下列何種狀態？
　(109年度考題)　

(A)上拉（pull-up）至V_DD　 (B)下拉（pull-down）至地　 (C)V_DD/2　 (D)Q_P與Q_N皆關閉，輸出浮接。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

127. 有一N通道空乏型MOSFET的I_DSS＝12mA，夾止電壓V_GS(off)＝－4V，當V_GS＝－3V時，I_D之值應為多少？　(109年度考題)　

(A)1mA　 (B)0.75mA　 (C)0.5mA　 (D)0mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

128. 如圖所示之電路，設電晶體主動區之電流增益β為40，則使此電晶體進入飽和區之最小I_B值應為多少？
　(109年度考題)　

(A)2mA　 (B)1mA　 (C)0.5mA　 (D)0.25mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

129. 有一雙極接面電晶體，其I_S＝10^－¹⁵A，爾利電壓（Early voltage）V_A＝50V且V_CEsat＝0.4V，若室溫時其轉導值（transconductance）為1/26 S，則此電路之偏壓電流I_C應為多少？　(109年度考題)　

(A)10mA　 (B)1mA　 (C)100μA　 (D)10μA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

130. 下列表示法，何者是p通道的接面場效電晶體（JFET）？　(109年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

131. 圖中電路的放大器為一理想運算放大器，其電壓增益為何？
　(109年度考題)　

(A)－2　 (B)－3　 (C)－4　 (D)－5。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

132. 如圖所示之電路，如A_o＝∞，電容器初始壓降V_C(0)＝0，輸入訊號為一弦波，假使輸出振幅為輸入訊號振幅的5倍且RC＝0.8μs，則輸入訊號之頻率值為何？
　(109年度考題)　

(A)1MHz　 (B)2MHz　 (C)3MHz　 (D)4MHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

133. 半波整流電路以及半波整流－電容濾波電路中二極體所承受之峰值逆向電壓（PIV）分別為A伏特與B伏特，所有二極體的順向特性及濾波效果均視為理想且相同的輸入信號為弦波時，A/B之比值約為何？　(109年度考題)　

(A)0.5　 (B)1　 (C)2　 (D)4。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

134. 半波整流－電容濾波電路（二極體視為理想）之輸入信號v_i(t)＝18sin(754t)伏特，如果電容值C＝100μF與負載電阻R_L＝6kΩ之時間常數可形成類似鋸齒波之漣波波形輸出，該電路之漣波因素（r%）為何？　(109年度考題)　

(A)0.18%　 (B)0.8%　 (C)0.4%　 (D)3%。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

135. 下圖中，v_a(t)＝5sin(10t)伏特，v_b(t)＝6sin(10t)伏特，v_c(t)＝7sin(10t)伏特，各二極體之導通電壓皆為0.7V，導通電阻為0Ω，則電阻R之最大電流為何？
　(109年度考題)　

(A)3.3mA　 (B)4.3mA　 (C)5.3mA　 (D)6.3mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

136. 下圖中之電路若二極體之導通電壓與導通電阻皆為0，電容C之初始電壓為0V，v_i之輸入如圖所示，下列敘述何者正確？
　(109年度考題)　

(A)v_o之最高電壓為5V　 (B)v_o之最高電壓為3V　 (C)v_o之最高電壓為2.5V　 (D)v_o之最高電壓為1V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

137. 圖中二極體D1之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，若輸入電壓v_i(t)＝3sin(10t)伏特，則| i |的最大值為何？
　(109年度考題)　

(A)7mA　 (B)10mA　 (C)33mA　 (D)40mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

138. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，輸入電源為峰值12V的正弦波，則其輸出電壓v_out之波形最有可能為下列何者？
　(109年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

139. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，若跨在C₂與C₄串聯上之直流電壓（V_c2＋V_c4）為80V，則電容C₃跨壓為何？
　(109年度考題)　

(A)20V　 (B)40V　 (C)60V　 (D)80V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

140. 分析如圖之電路，若二極體之電流I_D可表示為I_D＝I_Sexp(V_D/V_T)，V_D為二極體之跨壓，V_T＝25mV，C1與C2之電容值為無限大，則v_o/v_i＝？
　(109年度考題)　

(A)0　 (B)0.5　 (C)1　 (D)2。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

141. 如圖電路，設二極體均為理想二極體，R＝10kΩ，R₁＝R₂＝5kΩ，V₁＝V₂＝5V。當v_I＝3V時，v_O為多少？
　(109年度考題)　

(A)0　 (B)3V　 (C)6V　 (D)8V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

142. 使用有中心抽頭變壓器作為全波整流電路時，最少需搭配使用幾個二極體？　(109年度考題)　

(A)1個　 (B)2個　 (C)3個　 (D)4個。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

143. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝100，V_T＝26mV且爾利（Early）電壓V_A＝100V，假定此電路之直流偏壓電流I_C＝0.84mA，求其小信號輸出電阻R_O之值為何？
　(109年度考題)　

(A)0.72kΩ　 (B)1.41kΩ　 (C)3.54kΩ　 (D)4.67kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

144. 假設一MOSFET的汲極電流固定，關於其轉導（g_m）的敘述下列何者正確？　(109年度考題)　

(A)g_m正比於

(B)g_m正比於

　 (C)g_m正比於MOSFET的過驅電壓（V_GS－V_TH）　 (D)g_m正比於W/L。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

145. 圖中電晶體M1之μ_nC_ox(W/L)＝0.5mA/V²，臨界電壓V_T＝0.8V，若忽略通道調變效應，下列敘述何者錯誤？
　(109年度考題)　

(A)V_o1＝1V　 (B)M1操作在線性區（Linear region）　 (C)V_gs1＝2.8V　 (D)若M1之（W/L）增加兩倍，V_o1之電壓維持不變。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

146. 圖中電晶體Q1之β＝100，V_BE(on)＝0.7V，試求V_o＝？
　(109年度考題)　

(A)4.95V　 (B)3.95V　 (C)2.95V　 (D)1.95V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

147. 電晶體的射－基極導通電壓視為定值且等於0.7V，如圖之電晶體放大電路中嘗試讓電晶體的輸出直流電壓V_ECQ工作在2.5V時，電阻R約為多少？
　(109年度考題)　

(A)0.5kΩ　 (B)1.5kΩ　 (C)2.5kΩ　 (D)3.5kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

148. 增強型MOSFET放大器中μ_nC_ox(W/L)＝4mA/V²，已知的電阻值分別為R₁＝600kΩ、R₂＝300kΩ、R₃＝2kΩ及R₄＝1kΩ，且測得流經電阻R₃的直流偏壓電流為2mA，當R₃變為原來的2倍時，該放大器小信號之電壓增益變為原來者約多少倍？放大器之偏壓電路可提供該MOSFET正確的工作區。
　(109年度考題)　

(A)0.5倍　 (B)1倍　 (C)2倍　 (D)4倍。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

149. 一功率電晶體其接面最大溫度為170°C，熱阻為55°C/W，當操作溫度為60°C時，其容許的最大發散功率為何？　(109年度考題)　

(A)1W　 (B)2W　 (C)3W　 (D)4W。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

150. 圖示威爾遜電流鏡（Wilson current mirror）電路，各電晶體特性完全相同，I_O為輸出電流，R_O為輸出阻抗，相較於一般的基本電流鏡電路，有關威爾遜電流鏡電路的敘述，下列何者錯誤？
　(109年度考題)　

(A)降低I_O/I_REF之比例　 (B)降低電晶體之β效應　 (C)提高輸出阻抗R_O　 (D)穩定輸出電流I_O。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

151. 有一操作於主動模式（active-mode）的雙極接面電晶體，當集極電流I_C＝2mA，其輸出電阻r_o＝20kΩ，則當I_C＝4mA時，其r_o值為何？　(109年度考題)　

(A)約降為10kΩ　 (B)約降為14kΩ　 (C)仍為20kΩ　 (D)約增為40kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

152. 如圖電路，電晶體工作於主動模式（active-mode），V_BE＝0.7V，β＝99，R_B＝100kΩ，I＝1mA，V_CC＝5V，－V_EE＝－5V，則V_E值為：
　(109年度考題)　

(A)－1.7V　 (B)－0.7V　 (C)0V　 (D)0.7V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

153. 如圖所示為一個具有偏壓電源V_R的施密特觸發電路（OPA視為理想），其輸入－輸出（v_I－v_O）轉移特性的上、下臨界輸入電壓分別為V_UT＝9伏特、V_LT＝－3伏特，則該偏壓電源V_R約為多少？
　(109年度考題)　

(A)2伏特　 (B)3.5伏特　 (C)5伏特　 (D)6伏特。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

154. 如圖所示為一方波產生電路，如果此電路中所有的電阻值都變成原來的2倍，則輸出訊號的週期將變成原先的多少倍？
　(109年度考題)　

(A)1/4　 (B)2　 (C)4　 (D)8。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

155. β₁＝8的p-n-p電晶體和未知β₂的n-p-n電晶體共同組合之電晶體對，測得該電晶體對之電路等效電流增益大小為β＝135，決定其n-p-n電晶體未知的β₂值約為多少？
　(109年度考題)　

(A)17　 (B)15　 (C)12　 (D)8。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

156. 如圖所示為一振盪器。電路中OP AMP輸出的上下限為±10V。v_O1可輸出三角波（triangle wave），求三角波的峰對峰值（peak to peak value）？
　(109年度考題)　

(A)1V　 (B)2V　 (C)10V　 (D)20V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

157. 如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的β＝100，V_BEactive＝0.7V，C_π＝20pF，C_μ＝5pF，忽略爾利效應。V_T＝25mV，求高頻3dB頻率（選最接近之值）？
　(109年度考題)　

(A)7.86kHz　 (B)39.3kHz　 (C)187kHz　 (D)796kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

158. 某二階濾波器其轉移函數為T(s)＝，其極點為何？　(109年度考題)　

(A)±

　 (B)－1±

　 (C)±

　 (D)－1±

。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

159. 如圖振盪器電路中，若R₁＝R₂＝R₃＝1kΩ、R₄＝29kΩ且C₁＝C₂＝C₃＝0.1nF，則振盪頻率約為多少？
　(109年度考題)　

(A)450kHz　 (B)550kHz　 (C)650kHz　 (D)750kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

160. 某一單一增益運算放大器的迴轉率SR＝0.7V/μs，若輸入弦波信號之峰值電壓為V_m＝5V，則最大的不失真輸入頻率為何？　(109年度考題)　

(A)35kHz　 (B)28kHz　 (C)22.28kHz　 (D)18.35kHz。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

161. 一個N通道MOSFET元件，其源／汲極結構會是金屬與何種半導體接觸形成？　(110年度考題)　

(A)N^－井區　 (B)P^－井區　 (C)N^＋區　 (D)P^＋區。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

162. 某增強型NMOS場效電晶體的V_t＝0.7V、μ_nC_ox（W/L）＝50μA/V²，今若其源極（Source）電壓0.5V，閘極（Gate）電壓2.5V，汲極（Drain）電壓1.0V，則此電晶體工作在那一區？　(110年度考題)　

(A)飽和區（Saturation Region）　 (B)截止區（Cutoff Region）　 (C)三極體區（Triode Region）　 (D)主動區（Active Region）。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

163. 有一積體電路晶片的腳位布局圖（pin layout）如下所示，請問第10隻腳為下列何者？
　(110年度考題)　

(A)OUT1　 (B)IN2B　 (C)IN3A　 (D)IN4B。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

164. 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於0.2mA才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻R_L最少應為多少？
　(110年度考題)　

(A)0.5kΩ　 (B)1.1kΩ　 (C)1.5kΩ　 (D)34kΩ。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

165. 如圖所示之理想放大器電路，求v_o/v_i。
　(110年度考題)　

(A)0　 (B)－5　 (C)－6　 (D)5。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

166. 如圖所示為雙極性電晶體Q接成共射極組態，已知電晶體之電流增益為β且集－基極接面的逆向飽和電流為I_CBO，若i_B＝0且V_CE＞0時，則電晶體Q的i_E＝？
　(110年度考題)　

(A)i_E＝－I_CBO　 (B)i_E＝I_CBO　 (C)i_E＝－（1＋β）I_CBO　 (D)i_E＝（1＋β）I_CBO。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

167. 設圖中所示電晶體的射極電壓為1V，又設| V_BE |＝0.7V，則其α為？
　(110年度考題)　

(A)1.52　 (B)0.98　 (C)0.54　 (D)0.11。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

168. 圖為理想運算放大器電路，其電壓增益Av＝v_O/v_I為多少？
　(110年度考題)　

(A)8　 (B)11　 (C)15　 (D)18。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

169. 下列何者屬於理想運算放大器的特性？　(110年度考題)　

(A)交流耦合　 (B)有限頻寬　 (C)開路增益無窮大　 (D)輸出阻抗無窮大。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

170. 一個NMOS電晶體，其臨界電壓V_t＝0.5V。當輸入端電壓V_GS＝1.5V時之汲極飽和電流I_D＝1mA，則當V_GS增為2.5V時其汲極飽和電流I_D約為多大？　(110年度考題)　

(A)1mA　 (B)2mA　 (C)3mA　 (D)4mA。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

171. 下列有關利用理想運算放大器構成的電壓隨耦器（voltage follower）之特性，何者錯誤？　(110年度考題)　

(A)回授電阻值為零　 (B)反相端接地　 (C)電壓增益為1　 (D)在訊號源與負載間插入電壓隨耦器，可消除負載效應。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

172. 有一放大器電路如圖所示，放大器U₁為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在＋10V與－10V之間，二極體D₁順向電壓V_D0＝0.7V。電阻R₁＝1kΩ，V₁為交流電源，若欲使節點A為正時二極體D₁導通，為負時二極體D₁不導通，試問放大器U₁的端點1應為正輸入或負輸入？
　(110年度考題)　

(A)正輸入　 (B)負輸入　 (C)正輸入或負輸入均可　 (D)無法判斷。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

173. 變壓器型半波整流電路及中間抽頭變壓器型全波整流電路，當輸入不同弦波信號時，測得兩種電路中二極體所承受之峰值逆向電壓（PIV）剛好均相同時，設半波及全波之輸出信號峰值電壓為V_o1(p)及V_o2(p)，則V_o1(p)：V_o2(p)之比值為何？　(110年度考題)　

(A)0.5　 (B)1　 (C)2　 (D)4。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

174. 圖示截波電路（D為理想二極體）及其輸入信號v_i(t)＝10sin (ωt)伏特，已知輸出信號v_o的峰對峰電壓值為4伏特，則偏壓電源V_R應該是多少伏特？
　(110年度考題)　

(A)6V　 (B)4V　 (C)－4V　 (D)－6V。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

175. 下列何者不是二極體應用上的功能？　(110年度考題)　

(A)整流　 (B)截波　 (C)放大　 (D)電壓箝位。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

176. 圖示為部分的電晶體共射極放大電路，與電容器C有關功能的敘述，下列何者正確？
　(110年度考題)　

(A)用於隔離直流信號但耦接交流信號　 (B)用於同時耦接直流、交流信號　 (C)用於耦接直流信號但隔離交流信號　 (D)用於同時隔離直流、交流信號。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

177. 圖中之電路若二極體之導通電壓與導通電阻皆為0，電容C₁與C₂之初始電壓皆為0V，v_i (t)＝10sin(10t)伏特，於穩態時，下列敘述何者正確？
　(110年度考題)　

(A)v_o(t)＝5sin(10t)伏特　 (B)v_o(t)＝10sin(10t)伏特　 (C)v_o(t)＝20sin(10t)伏特　 (D)v_o(t)＝20伏特。

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

178. 如圖所示之電路，假設二極體皆為理想，v_in＝V_msin (ωt)，且V_m＞3V，則其輸出電壓v_out之波形最有可能為下列何者？
　(110年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

0討論
0留言
0追蹤

問題討論

179. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V、R＝2kΩ，試求每一顆二極體峰值反向電壓約為多少？
　(110年度考題)　

(A)12V　 (B)11.3V　 (C)10.6V　 (D)9.2V。

0討論

鐵路特考考古題 電子學大意 (收錄106年~110年歷屆試題,每次隨機抽取50題)

主題分類

鐵路特考考古題電子學大意 (收錄106年~110年歷屆試題,每次隨機抽取50題)