初等/地方特考考古題,109年初等電子學大意-愛舉手

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1. 下列有關理想運算放大器的特性，何者正確？　

(A)輸入阻抗：0　 (B)開迴路電壓增益：0　 (C)共模電壓增益：0　 (D)共模拒斥比CMRR：0。

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2. 某運算放大器的共模增益A_cm＝－0.01，差模增益A_d＝100，則其CMRR為若干dB？　

(A)－80　 (B)－20　 (C)20　 (D)80。

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3. 圖示為理想運算放大器電路，若R₁＝1kΩ、R₂＝3kΩ、R_a＝1kΩ、R_b＝3kΩ，v₁＝4V，v₂＝－2V，則輸出電壓v_O為若干V？
　

(A)0　 (B)5　 (C)10　 (D)12。

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4. 圖示電路中場效電晶體（FET）之V_TH＝－0.7V，下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？
　

(A)V_G＝5V、V_D＝4V　 (B)V_G＝4V、V_D＝4V　 (C)V_G＝3V、V_D＝4V　 (D)V_G＝2V、V_D＝4V。

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5. 圖示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±10V，二極體導通時兩端電壓為0.7V，輸入電壓v_I為＋1V，則v_O為若干V？
　

(A)－10　 (B)0　 (C)＋1　 (D)＋10。

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6. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₂在時間點T最可能的工作模式：
　

(A)飽和模式（Saturation mode）　 (B)線性模式（Linear mode）　 (C)主動模式（Active mode）　 (D)截止模式（Cut-off mode）。

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7. 如圖所示為一CMOS反相器，電晶體之μ_nC_ox＝μ_pC_ox；兩電晶體之W/L相同；V_tn＝| V_tp |。反相器之負載為電容C_L。若輸入的信號v_i為方波，其高電位為V_DD、低電位為0，週期為T。問流過電晶體Q_P的平均電流？
　

(A)0　 (B)(μ_pC_ox/2)(W/L)(V_DD－| V_tp |)²　 (C)V_DDC_L/(2T)　 (D)V_DDC_L/T。

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8. 一個NPN雙極性電晶體，若β＝50且操作在主動作用區（active region），下列何者正確？　

(A)集極電流與射極電流的比值為1.02　 (B)集極對射極的電壓應為正值　 (C)電流的方向為由射極流入集極　 (D)基射極應為反偏。

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9. 類比積體電路中，使用電流鏡或電流源來代替電阻性負載，下列何者錯誤？　

(A)為了減少電路占用的面積　 (B)可降低電源電壓　 (C)為了提供比電阻性負載更小的等效電阻　 (D)可提高放大器增益。

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10. 有一個電壓訊號v對時間t的函數為v(t)＝6sin（2πf₁t）＋12sin（2πf₂t）伏特，f₁＝5kHz，f₂＝8kHz。將此電壓訊號加到一個1Ω的電阻之上。問此電阻承受的訊號功率為何？　

(A)36W　 (B)90W　 (C)144W　 (D)180W。

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11. 理想CMOS反相器（Inverter）的靜態功率損耗為何？　

(A)很大　 (B)中等　 (C)與邏輯狀態有關　 (D)零。

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12. 如圖運算放大器電路，若電壓增益A為無限大，試求輸出電壓v_o＝？
　

(A)－4V　 (B)4V　 (C)－6V　 (D)6V。

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13. 電容器C₁～C₃配合變壓器T及二極體D₁～D₃所構成之倍壓電路如圖，輸入信號v_i(t)＝100sin（377t）伏特、N₁：N₂＝10：1且變壓器與所有二極體均視為理想時，在電路穩態條件下電容器C₁～C₃所跨電壓V_C1～V_C3之敘述何者正確？
　

(A)V_C1＋V_C2＝20V　 (B)V_C1＋V_C3＝30V　 (C)V_C2＋V_C3＝10V　 (D)V_C1＋V_C2＋V_C3＝40V。

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14. 用於中間抽頭變壓器型及橋式全波整流電路的變壓器，初級／次級線圈匝數比均為N₁：N₂且輸入信號同為v_i(t)＝100sin（377t）伏特，變壓器與二極體均為理想，中間抽頭型及橋式全波整流電路中二極體之峰值逆向電壓為PIV1與PIV2、輸出信號有效值電壓為V_o1(rms)及V_o2(rms)間關聯性何者正確？　

(A)PIV1＝2PIV2　 (B)V_o1(rms)＝V_o2(rms)　 (C)2V_o1(rms)＝V_o2(rms)　 (D)2PIV1＝PIV2。

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15. 漣波因素（ripple factor）或漣波百分比（r%）用以評比整流－濾波電路之優劣，已知各種整流濾波電路所提供之相關資訊如輸出信號之有效值電壓V_o(rms)＝A、平均值電壓V_o(dc)＝B伏特、漣波電壓有效值V_r(rms)＝C伏特，那一選項中電路的濾波效果最佳？　

(A)A＝15，B＝12　 (B)B＝12，C＝1　 (C)r＝10　 (D)A＝15，C＝1。

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16. 圖示半波整流電路之輸入信號v_i(t)＝20sin (754t)伏特及N₁：N₂＝2：1，變壓器與二極體均視為理想，關於輸出信號v_o(t)之頻率f_o、有效值電壓V_o(rms)、平均值電壓V_o(dc)、峰值電壓V_o(p)等的約略值，下列敘述何者正確？
　

(A)f_o＝754Hz　 (B)V_o(p)＝20V　 (C)V_o(rms)＝7.1V　 (D)V_o(dc)＝3.2V。

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17. 圖示截波電路中，齊納（Zener）二極體D₁與D₂於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為V_Z1＝5V與V_Z2＝7V，當輸入信號v_i(t)＝10sin (ωt)伏特時，求輸出信號v_o(t)的峰對峰電壓值為多少伏特？
　

(A)2V　 (B)5V　 (C)7V　 (D)12V。

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18. 振幅為8伏特的三角形週期波信號輸入如圖所示之截波電路（D為理想二極體），決定輸出信號v_o(t)的平均值電壓為多少伏特？
　

(A)0.5V　 (B)1V　 (C)－0.5V　 (D)－1V。

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19. 如圖所示之電路，假如二極體之壓降V_D為0.7V，求其輸出電壓v_o之平均值為何？
　

(A)5.37V　 (B)10.58V　 (C)23.3V　 (D)109.3V。

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20. 圖中v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波，經過微分器後，其輸出波形為何？
　

(A)正弦波　 (B)三角波　 (C)直流　 (D)方波。

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21. 下列何者不是二極體電路的主要應用？　

(A)整流電路　 (B)截波電路　 (C)箝位電路　 (D)放大電路。

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22. 60Hz的交流小訊號經全波整流後，輸出訊號之頻率應為：　

(A)20Hz　 (B)30Hz　 (C)60Hz　 (D)120Hz。

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23. 圖示電路，若V_CC＝10V，V_CE＝3V，則此電晶體的工作區應為何？
　

(A)主動區（Active Region）　 (B)飽和區（Saturation Region）　 (C)三極管區（Triode Region）　 (D)截止區（Cutoff）。

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24. 如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓V_A＝∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？
　

(A)R₁　 (B)R₂　 (C)R₁＋R₂　 (D)R₂//(1/g_m)。

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25. 如圖為MOSFET差動式放大器，已知電晶體Q₁和Q₂的臨界電壓V_TH、轉導g_m、輸出阻抗r_o等參數均相同，試求差動增益A_d＝v_od/v_id之值？
　

(A)g_mR_D　 (B)－g_mR_D　 (C)g_mR_D/2　 (D)－g_mR_D/2。

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26. 如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為β_npn＝100，1kT/q＝1V_T＝26mV且爾利（Early）電壓V_A＝∞，假定此電路之直流偏壓電流I_C＝4mA，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　

(A)72.8　 (B)115.8　 (C)154.8　 (D)173.8。

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27. 如圖所示之電路，假設電晶體M之參數如下：μ_nC_ox＝200μA/V²，V_TH＝0.4V且λ＝0；若跨在電阻R_S上之電壓為300mV，欲使M維持在飽和區之最小可容許之W/L值為何？
　

(A)20　 (B)40　 (C)60　 (D)80。

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28. MOSFET的小訊號模型中，汲極的等效輸出電阻r_o與下列何者成正比？　

(A)通道寬度W　 (B)通道長度L　 (C)過驅電壓（V_GS－V_TH）　 (D)汲極電流I_D。

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29. 如圖所示之射極隨耦器之v_o/v_i最接近值為何？假設電流源為理想且1kT/q＝1V_T＝26mV。
　

(A)0.9　 (B)0.8　 (C)0.7　 (D)0.6。

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30. 如圖所示共射極放大器之v_o/v_i為何？假設電晶體之g_m＝50mA/V，β＝50。
　

(A)－25　 (B)－50　 (C)－75　 (D)－100。

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31. 關於MOSFET的本質增益g_mr_o，下列敘述何者正確？　

(A)g_mr_o與過驅電壓（V_GS－V_TH）成正比　 (B)g_mr_o與過驅電壓（V_GS－V_TH）成反比　 (C)g_mr_o與偏壓電流I_D成正比　 (D)g_mr_o與偏壓電流I_D成反比。

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32. 若一個雙極性電晶體（BJT）在主動區操作模式下，射極電流為5.05mA，基極電流為0.05mA，則其β值為：　

(A)98　 (B)99　 (C)100　 (D)101。

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33. 如圖之RC串級放大電路中，第2級放大電路（未顯示）的輸入電阻R_i2＝1.5kΩ，電晶體之β₁＝81、V_BE,on＝0.6V，求第1級放大電路的電壓增益大小（v_o1/v_i）最接近值為：
　

(A)30　 (B)60　 (C)80　 (D)100。

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34. 下列有關圖示電路的敘述何者正確？
　

(A)為微分電路　 (B)－3dB頻率與R₁成正比　 (C)直流電壓的增益為－R₂/R₁　 (D)為高通濾波器。

初等/地方特考考古題 109年初等電子學大意

主題分類

1. 下列有關理想運算放大器的特性，何者正確？

2. 某運算放大器的共模增益A_cm＝－0.01，差模增益A_d＝100，則其CMRR為若干dB？

3. 圖示為理想運算放大器電路，若R₁＝1kΩ、R₂＝3kΩ、R_a＝1kΩ、R_b＝3kΩ，v₁＝4V，v₂＝－2V，則輸出電壓v_O為若干V？

4. 圖示電路中場效電晶體（FET）之V_TH＝－0.7V，下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？

5. 圖示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±10V，二極體導通時兩端電壓為0.7V，輸入電壓v_I為＋1V，則v_O為若干V？

6. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₂在時間點T最可能的工作模式：

7. 如圖所示為一CMOS反相器，電晶體之μ_nC_ox＝μ_pC_ox；兩電晶體之W/L相同；V_tn＝| V_tp |。反相器之負載為電容C_L。若輸入的信號v_i為方波，其高電位為V_DD、低電位為0，週期為T。問流過電晶體Q_P的平均電流？

8. 一個NPN雙極性電晶體，若β＝50且操作在主動作用區（active region），下列何者正確？

9. 類比積體電路中，使用電流鏡或電流源來代替電阻性負載，下列何者錯誤？

10. 有一個電壓訊號v對時間t的函數為v(t)＝6sin（2πf₁t）＋12sin（2πf₂t）伏特，f₁＝5kHz，f₂＝8kHz。將此電壓訊號加到一個1Ω的電阻之上。問此電阻承受的訊號功率為何？

11. 理想CMOS反相器（Inverter）的靜態功率損耗為何？

12. 如圖運算放大器電路，若電壓增益A為無限大，試求輸出電壓v_o＝？

16. 圖示半波整流電路之輸入信號v_i(t)＝20sin (754t)伏特及N₁：N₂＝2：1，變壓器與二極體均視為理想，關於輸出信號v_o(t)之頻率f_o、有效值電壓V_o(rms)、平均值電壓V_o(dc)、峰值電壓V_o(p)等的約略值，下列敘述何者正確？

17. 圖示截波電路中，齊納（Zener）二極體D₁與D₂於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為V_Z1＝5V與V_Z2＝7V，當輸入信號v_i(t)＝10sin (ωt)伏特時，求輸出信號v_o(t)的峰對峰電壓值為多少伏特？

18. 振幅為8伏特的三角形週期波信號輸入如圖所示之截波電路（D為理想二極體），決定輸出信號v_o(t)的平均值電壓為多少伏特？

19. 如圖所示之電路，假如二極體之壓降V_D為0.7V，求其輸出電壓v_o之平均值為何？

20. 圖中v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波，經過微分器後，其輸出波形為何？

21. 下列何者不是二極體電路的主要應用？

22. 60Hz的交流小訊號經全波整流後，輸出訊號之頻率應為：

23. 圖示電路，若V_CC＝10V，V_CE＝3V，則此電晶體的工作區應為何？

24. 如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓V_A＝∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？

25. 如圖為MOSFET差動式放大器，已知電晶體Q₁和Q₂的臨界電壓V_TH、轉導g_m、輸出阻抗r_o等參數均相同，試求差動增益A_d＝v_od/v_id之值？

26. 如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為β_npn＝100，1kT/q＝1V_T＝26mV且爾利（Early）電壓V_A＝∞，假定此電路之直流偏壓電流I_C＝4mA，求此電路之小信號電壓增益值為何？

27. 如圖所示之電路，假設電晶體M之參數如下：μ_nC_ox＝200μA/V²，V_TH＝0.4V且λ＝0；若跨在電阻R_S上之電壓為300mV，欲使M維持在飽和區之最小可容許之W/L值為何？

28. MOSFET的小訊號模型中，汲極的等效輸出電阻r_o與下列何者成正比？

29. 如圖所示之射極隨耦器之v_o/v_i最接近值為何？假設電流源為理想且1kT/q＝1V_T＝26mV。

30. 如圖所示共射極放大器之v_o/v_i為何？假設電晶體之g_m＝50mA/V，β＝50。

31. 關於MOSFET的本質增益g_mr_o，下列敘述何者正確？

32. 若一個雙極性電晶體（BJT）在主動區操作模式下，射極電流為5.05mA，基極電流為0.05mA，則其β值為：

33. 如圖之RC串級放大電路中，第2級放大電路（未顯示）的輸入電阻R_i2＝1.5kΩ，電晶體之β₁＝81、V_BE,on＝0.6V，求第1級放大電路的電壓增益大小（v_o1/v_i）最接近值為：

34. 下列有關圖示電路的敘述何者正確？

35. 如圖所示為一文氏電橋振盪器。R₂＝100kΩ，R₁＝20kΩ，R＝10kΩ，C＝0.1μF。求振盪器的振盪頻率？

36. 如圖所示為一考畢子振盪器（Colpitts Oscillator）電路，其偏壓電路並沒有畫出來。電晶體Q之g_m＝10mA/V，R_E＝1kΩ，L＝20μH，C₁＝25pF，C₂＝100pF。假若電晶體由基極視入的阻抗大到可以忽略。求電路的振盪頻率？

37. 已知一運算放大器（OPA）的開路直流增益A_o為100dB和單一增益頻率f_T為10MHz，若此OPA接成非反相輸入（non-inverting input）放大器，其增益A_v為60dB；試問該非反相輸入放大器的頻寬f_H約為多少？

38. 有一運算放大器（OPA），已知其直流增益為100dB和單一增益頻率f_T為5MHz，試求其－3dB的頻寬f_B為多少？

39. 如圖電路，已知R＝10kΩ和C＝0.01μF，輸入為±5V對稱方波，試求輸出三角波電壓在t＝0到t＝t₁的斜率為多少V/sec？

40. 如圖雙穩態電路，已知輸出電壓v_o飽和在±13V，若設計臨界電壓（threshold voltage）在±5V，且令R₁＝10kΩ，試求R₂為多少？

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主題分類

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