初等/地方特考考古題,110年初等電子學大意-愛舉手

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2. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_o/v_id：
　

(A)－1　 (B)－k　 (C)－（1＋k）　 (D)－（1＋1/k）。

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3. 如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出電壓的影響，試求電路上的電阻R＝？
　

(A)5kΩ　 (B)10kΩ　 (C)15kΩ　 (D)20kΩ。

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4. 已知一正弦波經半波整流後之電壓波形v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特(V)？
　

(A)6.36V　 (B)7.07V　 (C)3.18V　 (D)5.00V。

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5. 有一p通道接面場效電晶體的V_GS(off)＝＋4V，I_DSS＝6mA，則當V_GS＝＋6V時，此電晶體的I_D為多少？　

(A)無限大　 (B)9mA　 (C)6mA　 (D)0A。

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6. 在共源極（common source）放大器中，若FET的V_GS未達臨界電壓，則汲極端的電壓為：　

(A)0V　 (B)V_DD　 (C)∞　 (D)V_GS。

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7. 如果將電容濾波全波整流器的負載阻抗降低，則漣波電壓會如何變化？　

(A)增加　 (B)減少　 (C)不受影響　 (D)頻率會變化。

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8. 如圖電路中，將訊號源連接在輸入端V₁和V₂之間，所看到的輸入電阻為R_in1；將訊號源同時連接在輸入端V₁和V₂上，所看到的輸入電阻為R_in2，其值分別為何？
　

(A)R_in1＝2kΩ、R_in2＝2kΩ　 (B)R_in1＝2kΩ、R_in2＝4kΩ　 (C)R_in1＝4kΩ、R_in2＝2kΩ　 (D)R_in1＝4kΩ、R_in2＝4kΩ。

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9. 令流入運算放大器輸入端之電流為I_i，兩輸入端間電壓差為V_i，則一個理想反相運算放大器之虛接地（virtual ground）特性為：　

(A)I_i＝∞，V_i＝∞　 (B)I_i＝0，V_i＝∞　 (C)I_i＝∞，V_i＝0　 (D)I_i＝0，V_i＝0。

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10. 如圖所示之電路，假如A_o＝∞，求此電路之閉迴路增益為何？
　

(A)12　 (B)15　 (C)19　 (D)21。

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11. 圖示理想運算放大器電路中，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V，輸入電壓v_I為－2V，則v_O為若干？
　

(A)－12V　 (B)0V　 (C)－2V　 (D)＋12V。

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12. 雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗r_o，是下列何種效應所造成？　

(A)爾利效應（Early effect）　 (B)米勒效應（Miller effect）　 (C)溫度效應（temperature effect）　 (D)通道長度調變效應（channel length modulation effect）。

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13. 如圖示截波電路，其中輸入信號v_i(t)為振幅12伏特的弦波且D為理想二極體，如果要得到峰對峰電壓值為16伏特的輸出信號，則偏壓電源V_R應為多少？
　

(A)－4V　 (B)0V　 (C)4V　 (D)8V。

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14. 運算放大器反相微分器（differentiator）電路中，回授電路元件為：　

(A)二極體　 (B)電感器　 (C)電容器　 (D)電阻器。

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15. 如圖所示之電路，二極體為理想，若V_in為一DC值為零且振幅為5V的正弦波，求最高及最低的V_out為何？
　

(A)＋2V及－8V　 (B)＋0V及－10V　 (C)－2V及－12V　 (D)＋2V及－10V。

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16. 稽納（Zener）二極體若應用在穩壓電路時，其工作區域為：　

(A)順向導通區　 (B)飽和區　 (C)逆向截止區　 (D)逆向崩潰區。

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17. 下圖電路中輸入信號為弦波v_i(t)＝0.5sin 10t伏特，二極體D₁與D₂之導通電壓皆為0.7V，導通電阻為100Ω。則電壓v_o(t)最大值為多少伏特？
　

(A)0.7　 (B)0.5　 (C)0.2　 (D)0。

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18. 圖中二極體D₁之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，電容C兩端之初始電壓為0V，下列何者正確？
　

(A)v_out之最低電壓為－0.7V　 (B)D₁在穩態時恆導通　 (C)v_out之最高電壓為10V　 (D)v_C之穩態電壓為9.3V。

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19. 如圖所示之電路，v_in為輸入電壓波形，假設二極體為理想，則其輸出電壓v_out之波形最有可能為下列何者？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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20. 圖示電路中v_I為輸入電壓、v_o為輸出電壓，本電路為何種電路？
　

(A)倍壓電路　 (B)濾波電路　 (C)截波電路　 (D)箝位電路。

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21. 圖示理想二極體電路中，若輸入v_I為峰對峰值10V的方波，在穩態時下列有關輸出v_O的敘述，何項正確？
　

(A)v_O的最小值為0V　 (B)v_O的最小值為＋5V　 (C)v_O的最大值為＋10V　 (D)v_O的最大值為＋20V。

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22. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V，已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V、R＝2kΩ。試問輸出電壓v_O的波形為何？
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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23. 共源極放大器的頻寬主要由下列那個寄生電容決定？　

(A)閘極－源極　 (B)源極－基板　 (C)閘極－汲極　 (D)汲極－源極。

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24. 如圖所示，射極電阻R_E常被用於共射極放大器的設計，其主要目的為何？
　

(A)提高增益　 (B)降低雜訊　 (C)改變相位　 (D)穩定偏壓。

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25. 若PNP型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區I_B＝0.05mA，I_E＝5mA，則電流增益為：　

(A)α＝0.9　 (B)α＝0.95　 (C)β＝95　 (D)β＝99。

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26. 電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為V_CC＝10V及V_BB＝1.6V，R₁＝1.5kΩ、R₂＝50kΩ，該放大電路的輸入直流電流I_BQ約為多少？
　

(A)0.02mA　 (B)0.06mA　 (C)0.08mA　 (D)0.1mA。

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27. 藉由分壓偏壓的電晶體放大電路中（β＝49），流進基極端的電流為I＝0.025mA時測得輸出交流弦波信號振幅為0.5V，則輸入信號的振幅約為多少？其中熱電壓近似為25mV。
　

(A)2mV　 (B)2.5mV　 (C)4mV　 (D)5mV。

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28. 如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為0.6V，β及R₁、R₂均變成原來的1.5倍，電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放大器工作在不失真放大範圍。
　

(A)0.4V　 (B)0.6V　 (C)0.9V　 (D)1.35V。

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29. 若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β＝50，爾利電壓（Early voltage, V_A）＝10V，g_m＝10mA/V，熱電壓（thermal voltage）＝25mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？
　

(A)r_π＜1/g_m　 (B)r_o＞r_π　 (C)r_o與操作電流成正比　 (D)g_m與操作電流成反比。

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30. 圖示電晶體在主動區工作，電晶體的β＝99，V_BE＝0.7V，則電晶體的集極電壓V_C約為：

(A)8V　 (B)6V　 (C)4V　 (D)2V。

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31. 在雙極接面電晶體的共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）三種組態中，何者之電流增益小於1？　

(A)CE　 (B)CB　 (C)CC　 (D)CE及CC。

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32. 如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o→∞，則此放大器的電壓增益為何？
　

(A)－g_m(R_D＋R_S)　 (B)－g_mR_D/(1＋g_mR_S)　 (C)－R_D/R_S　 (D)－g_mR_D。

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33. 如圖所示為以電阻R＝5kΩ、R_f＝7.5kΩ及電感L₁＝2mH、L₂所構成的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，當等幅振盪啟動時，決定其振盪頻率ω約為多少rad/s？
　

(A)3.5M　rad/s　 (B)1M　rad/s　 (C)700k　rad/s　 (D)500k　rad/s。

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34. 直接耦合串級放大電路於未耦合前第1級放大電路的集極偏壓電流為1毫安培（1mA），如圖決定耦合後第2級放大電路的電壓增益大小（v_o/v_i2的大小）？其中Q₂之β₂＝99及V_BE,on＝0.8V，熱電壓V_T＝25mV。
　

(A)50　 (B)100　 (C)150　 (D)250。

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35. 如圖為一方波振盪器。若OP AMP輸出的上下限為±10V。R₂＝R₃、R₁C₁＝10ms。求方波的週期？
　

(A)10ms　 (B)11ms　 (C)20ms　 (D)22ms。

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36. 有N級放大器，其中每一級的增益A_oN和頻寬ω_HN都完全相同，若該N級放大器串接在一起且N為有限值；試問其總頻寬ω_H相較於單一級放大器的頻寬ω_HN，下列敘述何者正確？　

(A)ω_H＝ω_HN　 (B)ω_H＞ω_HN　 (C)ω_H＜ω_HN　 (D)ω_H＝(ω_HN)^N。

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37. 如圖雙穩態電路，其R₁＝10kΩ且R₂＝16kΩ，若在t＝0時輸出電壓V_o飽和在－13V；當在t＞0時，輸入電壓v_I＜－5V，輸出電壓V_o會在什麼狀態？
　

(A)0V　 (B)－13V　 (C)＋13V　 (D)±13V　變化。

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38. 圖為一個三級環式振盪器電路，若每一級之小訊號低頻增益A＝4，MOSFET之轉導g_m＝66.67μA/V，電容C＝4.59nF，則電路之振盪頻率約為多少？
　

(A)1kHz　 (B)2kHz　 (C)3kHz　 (D)4kHz。

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39. 如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2和CS，MOSFET的寄生電容約為C_gs和C_gd。有關此放大器電路的低頻響應，下列敘述何者正確？
　

(A)主要是受外接電容的影響　 (B)主要是受MOSFET寄生電容的影響　 (C)受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度均相同　 (D)主要受其他電容影響，但受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度不大。

初等/地方特考考古題 110年 初等電子學大意

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