初等/地方特考考古題 111年初等電子學大意

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1. 某增強型NMOS場效電晶體的V_t＝1V、μ_nC_ox(W/L)＝50μA/V²，今若其電壓V_GS＝2V，則其轉導gm（Transconductance）為若干μA/V？　

(A)25　 (B)50　 (C)100　 (D)200。

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2. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判輸出接腳V_O在低準位輸出（V_O@LO）時最可能的工作電壓：
　

(A)V_O@LO＜0V　 (B)V_O@LO＝0V　 (C)0.4V＞V_O@LO＞0V　 (D)V_O@LO＞0.4V。

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3. 對於一個PN接面二極體在逆偏（reverse bias）的條件下，下列何者正確？　

(A)外部電壓之正端接於P側，負端接於N側　 (B)P側的電子將會流向N側，N側的電洞則流向P側　 (C)當逆偏壓加大時，因空乏區（depletion region）擴大而導致電容也變大　 (D)接面空乏區內電場的方向為由P側指向N側。

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4. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_id/i：
　

(A)R　 (B)2R　 (C)（k＋1）R　 (D)（k＋3）R。

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5. 如圖所示為一NMOS構成的放大器。V_DD＝3V，電晶體之小信號μ_nC_ox＝200μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。電流源非完全理想，有一值為20kΩ的內阻。求小信號增益v_o/v_i：
　

(A)－20　 (B)－40　 (C)－100　 (D)－1000。

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6. 雙極性電晶體接成共集極組態時，其輸出阻抗相較於共射極和共基極組態的輸出阻抗為何？　

(A)最低　 (B)最高　 (C)次高　 (D)一樣。

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7. 下列何種矽電晶體具有常閉型通道？　

(A)PN接面型場效電晶體　 (B)MOS增強型場效電晶體　 (C)MOS空乏型場效電晶體　 (D)雙極性接面電晶體。

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8. 有一半波整流器的輸入電壓峰值為10V，則其輸出電壓的峰值大約為：　

(A)10.7V　 (B)9.3V　 (C)5V　 (D)3.2V。

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9. 有一增益為A＝10000，單極頻率（single pole frequency）為10⁵rad/s之放大器，將其置入回饋因素（feedback factor）f＝0.01的回饋迴路，設回饋過程不影響此放大器的開迴路增益（open loop gain），則此放大器之開迴路單一增益頻率（unit gain frequency）為：　

(A)10⁹rad/s　 (B)10⁵rad/s　 (C)10³rad/s　 (D)10²rad/s。

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10. 如圖所示電路為一階主動低通濾波器，若R_i＝20kΩ，R_f＝200kΩ，R₁＝1.5kΩ，C₁＝0.02μF，則此電路的截止頻率f_CH為多少？
　

(A)5.3GHz　 (B)5.3MHz　 (C)5.3kHz　 (D)5.3Hz。

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11. 有一N通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓V_P＝－4V，且源極電壓V_S＝0V，則下列那一個條件可使此JFET工作於飽和區？　

(A)V_G＝－5V，V_D＝1V　 (B)V_G＝－2V，V_D＝1V　 (C)V_G＝0V，V_D＝0V　 (D)V_G＝0V，V_D＝5V。

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12. 關於BJT電晶體之敘述，下列何者正確？　

(A)電晶體操作在飽和（saturation）區時之轉導值（transconductance）較操作於順向主動區（forward active region）時為大　 (B)電晶體操作在飽和區時之輸出阻抗r_o較操作於順向主動區時為大　 (C)操作於放大器模式時，基集極接面應避免順向偏壓　 (D)電晶體操作在截止（cutoff）區時，基射極接面必為順向偏壓。

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13. 橋式全波整流電路的輸入信號：v_i(t)＝18sin（377t）伏特。其輸出信號之頻率為何？　

(A)60Hz　 (B)120Hz　 (C)377Hz　 (D)754Hz。

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14. 下圖電路中二極體D1之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω。電阻值R＝10Ω。若v_i(t)＝3sin10t伏特。則v_o(t)的最小值為何？
　

(A)4V　 (B)2V　 (C)－2V　 (D)－2.7V。

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15. 下圖中二極體D1與D2之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，輸入信號為弦波，v_i(t)＝4sin10t伏特，R1、R2、R3皆為10Ω，則電流| i |之最大值為何？
　

(A)530mA　 (B)265mA　 (C)65mA　 (D)20mA。

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16. 如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7V，則二極體D₂之逆向峰值電壓（PIV）為何？
　

(A)20V　 (B)39.3V　 (C)41.4V　 (D)60.7V。

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17. 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0Ω，若Vi＝＋5V，關於下列電路之敘述，何者正確？　

(A)X點電壓＝5V　 (B)D2電流為2.15mA　 (C)Z點電壓為4.3V　 (D)Y點電壓為0V。

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18. 如圖所示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中m表斜率）
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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19. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大正值為何？
　

(A)1V　 (B)4V　 (C)7V　 (D)10V。

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20. 如圖電路，設二極體均為理想二極體，R＝10kΩ，R₁＝R₂＝5kΩ，V₁＝V₂＝5V。當v_I＝8V時，v_O為多大？
　

(A)0　 (B)3V　 (C)6V　 (D)8V。

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21. 圖示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中m表斜率）
　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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22. 電路上某npn雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region），已知電路之電源電壓為8V，下列何者正確？
　

(A)V_CE＝0.2V　 (B)V_CE＝8V　 (C)V_CB＝0.7V　 (D)V_CB＝2.1V。

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23. 某β＝100之npn雙極性接面電晶體，若I_B＝10μA，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？　

(A)I_C＝1mA、I_E＝1.01mA　 (B)I_C＝0.5mA、I_E＝0.51mA　 (C)I_C＝1.01mA、I_E＝1mA　 (D)I_C＝0.8mA、I_E＝0.79mA。

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24. 假設電晶體操作於飽和區，如圖所示共閘極放大器之增益（v_o/v_i）為何？電晶體之μ_nC_ox＝500μA/V²，W/L＝100，V_TH＝0.6V，V_GS＝0.8V。
　

(A)20　 (B)30　 (C)40　 (D)50。

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25. 於積體電路設計中使用主動負載的放大器，相對於使用被動負載，其好處不包含下列何者？　

(A)面積較小　 (B)可同時當成電流源偏壓　 (C)負載上的壓降較小　 (D)頻寬增加。

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26. 下列何種放大器組態有較顯著的米勒效應？　

(A)共閘極放大器　 (B)共集極放大器　 (C)共基極放大器　 (D)共源極放大器。

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27. 雙極性電晶體（BJT）若工作在截止區時：　

(A)基射極接面、基集極接面都順偏　 (B)基射極接面順偏、基集極接面逆偏　 (C)基射極接面逆偏、基集極接面順偏　 (D)基射極接面、基集極接面都逆偏。

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28. 矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為：　

(A)0.2V　 (B)0.3V　 (C)0.7V　 (D)1V。

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29. 關於雙載子電晶體（BJT）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
　

(A)在特定β的條件下，r_π與偏壓電流成正比　 (B)在特定β的條件下，g_m與偏壓電流成正比　 (C)在特定元件大小的條件下，r_o與偏壓電流成反比　 (D)對共射級放大器而言，r_π越大則輸入阻抗越大。

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30. 圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器，輸出電壓（v_o）正半週的最大擺幅恰為5V時，電阻R約為多少？電晶體基－射極的導通定電壓固定為0.8V。
　

(A)64kΩ　 (B)100kΩ　 (C)128kΩ　 (D)210kΩ。

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31. 如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中，在集極端直接耦接有一3.5kΩ的負載，電晶體基－射極的導通定電壓為0.8V下，求該電晶體於集極端的電壓約為多少？
　

(A)9V　 (B)7V　 (C)5V　 (D)4V。

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32. 圖示PMOS場效電晶體電路，電晶體之V_t＝－0.5V，若R_G1＝3MΩ、R_G2＝2MΩ、V_DD＝5V，欲電晶體在飽和區工作，電壓V_D的最大值應為若干伏特？
　

(A)4V　 (B)3.5V　 (C)2.5V　 (D)2V。

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33. 如圖所示的方波產生電路在正常工作下並於某個時間點測知V_f的電壓值為8伏特，此電路中流過電阻器R的電流絕對值取其最大與最小值分別以I₁和I₂（單位mA）表示之，則下列那一敘述為正確？其中施加於理想OPA之電壓為±16V。
　

(A)I₁＝8mA　 (B)I₂＝4mA　 (C)I₁＋I₂＝8mA　 (D)I₁－I₂＝2mA。

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34. 有關運算放大器的應用，下列電路何者使用負回授電路？　

(A)比較器　 (B)史密特觸發電路（Schmitt trigger）　 (C)無穩態電路（Astable）　 (D)電壓隨耦器。

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35. 某電路之轉移函數：T(s)＝，當角頻率為10rad/sec時，相角為何？　

(A)－90°　 (B)－45°　 (C)45°　 (D)90°。

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36. 圖示MOS電路，v_i為輸入電壓，v_o為輸出電壓，本電路主要作用為何？
　

(A)調諧放大　 (B)高通放大　 (C)差動放大　 (D)峰值偵測。

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37. 圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±12V，R₁＝10kΩ、R₂＝40kΩ，輸出電壓v_O原為－12V，輸入電壓v_I為下列何電位時，輸出v_O將為＋12V？
　

(A)－3V　 (B)－2V　 (C)2V　 (D)3V。

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38. 有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述，下列何者正確？
　

(A)v₁為弦波　 (B)v₂為方波　 (C)v₃近似為三角波　 (D)v₃的振幅較v₁為小。

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39. 如圖電路，已知輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝1MΩ；若在電容器C旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為0.7V，則輸出電壓v_o會在什麼狀態？
　

(A)保持在－0.7V　 (B)保持在－10V　 (C)保持在＋10V　 (D)保持在±10V之間變化。

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40. 如圖二階低通濾波電路，欲實現具有最大平坦度且3dB頻率為7.07×10⁵rad/s，當電阻R為5kΩ時，所需的電容C值為何？
　

(A)100pF　 (B)200pF　 (C)500pF　 (D)707pF。

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