初等/地方特考考古題,電子學大意 (收錄107年~111年歷屆試題,每次隨機抽取50題) -愛舉手

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1. 如圖所示為理想運算放大器之電路，R₁＝2kΩ、R₂＝10kΩ、R₃＝2kΩ，試求其輸入阻抗R_i為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)1kΩ　 (B)2kΩ　 (C)4kΩ　 (D)10kΩ。

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2. 如圖所示符號為下列何種元件？　(107年度初等考題)　

(A)增強型NMOS　 (B)增強型PMOS　 (C)空乏型NMOS　 (D)空乏型PMOS。

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3. 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為| V_th |＝0.5V。V_D1＝2V，V_D2＝－2V，V_D＝2V，V_E＝－2V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層？
　(107年度初等考題)　

(A)A層　 (B)B層　 (C)C層　 (D)D層。

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4. 有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為V₃＝1002×V₂－998×V₁，請問其差動電壓增益（differential gain）約為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)10dB　 (B)20dB　 (C)40dB　 (D)60dB。

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5. 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓v_I的波形如下所示，V_DD＝5V，假設兩個電晶體Q_P、Q_N的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為| V_th |＝0.5V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即。試研判下列波形何者最接近輸出電壓v_O的波形？
　(107年度初等考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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6. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₁的集極電流比較低的時間點：
　(107年度初等考題)　

(A)0　 (B)t₁　 (C)T　 (D)t₂。

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7. 二極體順向導通時，下列何者正確？　(107年度初等考題)　

(A)在N端加相對正電壓，在二極體內部中電子從N端流向P端　 (B)在N端加相對負電壓，在二極體內部中電子從N端流向P端　 (C)在N端加相對正電壓，在二極體內部中電流從N端流向P端　 (D)在N端加相對負電壓，在二極體內部中電流從N端流向P端。

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8. 如圖中NPN雙極性電晶體，β＝100，電晶體基射極的順偏電壓設為0.8V，飽和時的集射極電壓為0.3V。問此電路集極電流對基極電流的比值為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)12　 (B)22　 (C)80　 (D)100。

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9. 一個OP AMP的輸出的上下限為±10V，迴轉率（slew rate）為1V/μs，單增益頻寬f_t＝1MHz。若輸出電壓為如圖所示之三角波（triangle wave），所能操作的最大頻率最接近下列何值？
　(107年度初等考題)　

(A)5kHz　 (B)50kHz　 (C)100kHz　 (D)1MHz。

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10. 若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為25°C時，飽和電流（saturation current）I_o＝2μA，試問當溫度升高到55°C時，飽和電流為多少？　(107年度初等考題)　

(A)32μA　 (B)16μA　 (C)8μA　 (D)4μA。

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11. 如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體Q₁和Q₂的基極內電阻r_π、射極內電阻r_e、轉導g_m、共基極電流增益α和共射極電流增益β?1等參數均相同，試求差動增益A_d＝v_od/v_id之值？
　(107年度初等考題)　

(A)R_C/r_π　 (B)R_C/2r_π　 (C)R_C/r_e　 (D)R_C/2r_e。

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12. 史密特觸發（Schmitt trigger）電路之輸出波形為下列何者？　(107年度初等考題)　

(A)方波　 (B)正弦波　 (C)三角波　 (D)鉅齒波。

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13. 一個由理想變壓器及理想二極體等所構成之半波整流器，輸入弦波信號後測得輸出信號之有效值電壓V_o(rms)＝14.14伏特，則流過負載R_L＝2kΩ之峰值電流I_o(p)約為多少？　(107年度初等考題)　

(A)5mA　 (B)7.07mA　 (C)10mA　 (D)14.14mA。

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14. 如圖所示為由齊納（Zener）二極體D₁與D₂所構成截波電路及其輸入信號v_i(t)，D₁與D₂於順偏時可視為理想，而其在反偏之崩潰電壓分別為V_Z1＝6V與V_Z2＝4V，輸出信號v_o(t)的平均值電壓應為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)－0.375V　 (B)－0.125V　 (C)0V　 (D)0.25V。

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15. 如圖所示以電容器C₁～C₃、理想變壓器及理想二極體D₁～D₃所構成之倍壓電路，輸入弦波信號且在穩定狀態下電容器C₂所跨電壓為V_C2＝20伏特，電容器C₁與C₃所跨電壓和（V_C1＋V_C3）應約為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)20V　 (B)30V　 (C)40V　 (D)50V。

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16. v_i(t)＝8sin(ωt)伏特通過圖示的理想箝位電路，輸出信號的最大值與最小值分別為A與B，則A＋B之值為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)－12V　 (B)－8V　 (C)12V　 (D)20V。

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17. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，求其輸出電壓v_out之漣波電壓（ripple voltage）值為何？
　(107年度初等考題)　

(A)0.22V　 (B)1.88V　 (C)3.55V　 (D)5.66V。

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18. 如圖所示為此二極體電路之轉移函數，假設二極體皆有開啟電壓V_D,on，當電路操作於區域II時，D₁與D₂的狀態分別為何？
　(107年度初等考題)　

(A)D₁ on, D₂ off　 (B)D₁ off, D₂ on　 (C)D₁ on, D₂ on　 (D)D₁ off, D₂ off。

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19. 在整流電容濾波器中，若負載不變時，濾波電容量愈大，則輸出端的漣波電壓為下列何者？　(107年度初等考題)　

(A)愈大　 (B)愈小　 (C)不變　 (D)不一定。

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20. 如圖所示整流電路，D₁耐壓至少為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)V_m　 (B)2V_m　 (C)3V_m　 (D)4V_m。

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21. 如圖所示二極體電路，若所有二極體為理想二極體，則電路中電流I為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)－1mA　 (B)0mA　 (C)1mA　 (D)3mA。

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22. 對於半波整流電路，若AC電源頻率為60Hz，則其經整流後之漣波頻率為下列何者？　(107年度初等考題)　

(A)30Hz　 (B)60Hz　 (C)120Hz　 (D)240Hz。

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23. 如圖所示電路，若V_CC＝12V，V_CE＝12V，則此電晶體的工作區為何？
　(107年度初等考題)　

(A)主動區（active region）　 (B)截止區（cutoff）　 (C)三極管區（triode region）　 (D)飽和區（saturation region）。

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24. 如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓V_A皆為∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？
　(107年度初等考題)　

(A)(1/g_m1)//(1/g_m2)　 (B)r_π₁//r_π₂　 (C)r_π₁＋r_π₂　 (D)(1/g_m1)//r_π₁。

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25. 如圖所示之放大器電路，電晶體M₁之參數如下：V_th1＝0.4V，μ_n1C_ox＝200μA/V²，且λ₁＝0，假設此電路之小信號輸入阻抗為50Ω，直流偏壓電流I_D＝1mA，求電晶體M₁之W/L值為何？
　(107年度初等考題)　

(A)1450　 (B)1350　 (C)1200　 (D)1000。

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26. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝120，V_T＝26mV，V_BE(on)＝0.7V且爾利（Early）電壓V_A＝∞，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(107年度初等考題)　

(A)37　 (B)47　 (C)57　 (D)67。

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27. 如圖所示之電路，假定β＝100且V_BE(on)＝0.7V，若電晶體之直流工作點V_CEQ＝5V且I_CQ＝10mA，求R_B之值為何？
　(107年度初等考題)　

(A)34kΩ　 (B)68kΩ　 (C)102kΩ　 (D)136kΩ。

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28. 如圖所示之共射極放大器，I_C＝1mA且V_BE＝0.8V。假設電晶體於飽和時之V_CE(sat)＝0.3V，請問在保持放大器的正常操作下，R_L最大的可允許值為何？
　(107年度初等考題)　

(A)2.5kΩ　 (B)4.2kΩ　 (C)4.7kΩ　 (D)6kΩ。

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29. 請問下列何種電路架構為反相放大器？　(107年度初等考題)　

(A)共汲極放大器　 (B)共射極放大器　 (C)共閘極放大器　 (D)共集極放大器。

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30. 如圖所示為一MOSFET疊接（cascode）放大器，下列何者不是此架構的特性？
　(107年度初等考題)　

(A)與共源極放大器相比有較高的輸出阻抗　 (B)與共源極放大器相比有較小的電壓增益　 (C)與共源極放大器相比有較大的頻寬　 (D)與共源極放大器相比需較高的偏壓電源。

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31. 若PNP型雙極性電晶體（BJT）之I_B＝0.1mA，I_E＝6mA，且β＝99，則：　(107年度初等考題)　

(A)工作在主動區，V_CB＝－0.8V　 (B)工作在主動區，V_CB＝0.8V　 (C)工作在飽和區，V_CB＝－0.8V　 (D)工作在飽和區，V_CB＝0.8V。

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32. 如圖所示之偏壓電路，調整可變電阻V_R的大小使下列何者為0時，可測得JFET之夾止電壓（V_P）？
　(107年度初等考題)　

(A)V_GS　 (B)I_G　 (C)V_GD　 (D)I_D。

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33. 如圖所示為史密特觸發電路及其輸入－輸出轉移特性曲線，其中OPA為理想，若R₂為3kΩ，則R₁的電阻值約為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)1.5kΩ　 (B)3kΩ　 (C)6kΩ　 (D)9kΩ。

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34. 如圖所示電路為由理想OPA構成的雙穩態振盪器，輸入v_I為－5及1伏特時都無法改變輸出v_O的原始儲存值（無論是＋12或－12V），則電路中的偏壓電源V_R可能為下列那一電壓值？
　(107年度初等考題)　

(A)－3V　 (B)0V　 (C)1.5V　 (D)3V。

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35. 如圖所示韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），其所產生的波形為下列何者？
　(107年度初等考題)　

(A)方波　 (B)弦波　 (C)鋸齒波　 (D)三角波。

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36. 如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L₁＝40μH，L₂＝10μH，C＝100pF，R＝1kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)1.59MHz　 (B)2.25MHz　 (C)5.63MHz　 (D)10MHz。

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37. 如圖所示為一直接耦合的串級放大器，兩個電晶體的β＝100，NPN電晶體的V_BE,active與PNP電晶體的V_EB,active均為0.7V。計算偏壓電流時可忽略電晶體的基極電流，V_T＝25mV並忽略爾利效應（Early effect），求小信號增益v_o/v_i？
　(107年度初等考題)　

(A)－100　 (B)－200　 (C)13,360　 (D)40,000。

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38. 如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），已知R＝10kΩ，C＝16nF，請問使此電路產生振盪的基本條件R₂/R₁值應為多少？
　(107年度初等考題)　

(A)1　 (B)2　 (C)3　 (D)4。

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39. 如圖所示之非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF，試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓（threshold voltage）轉換到下一個正臨界電壓約需花多少時間？
　(107年度初等考題)　

(A)1.825ms　 (B)3.650ms　 (C)8.33ms　 (D)16.66ms。

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40. 如圖所示之非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF，試問振盪頻率f_o為多少？
　　(107年度初等考題)　

(A)137Hz　 (B)274Hz　 (C)548Hz　 (D)1096Hz。

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41. 一幾何比W/L固定的場效電晶體（FET）工作於飽和區，當過驅電壓V_OV（Overdrive V_oltage）變為原來的2倍，則轉導g_m（Transconductance）將變為原來的：　(108年度初等考題)　

(A)1倍　 (B)2倍　 (C)4倍　 (D)8倍。

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42. 對於n-通道增強型MOSFET的本體效應（body effect），下列敘述何者正確？　(108年度初等考題)　

(A)源極電壓提高時，源極與本體之間的空乏區會縮小　 (B)源極電壓提高時，電晶體的臨界電壓下降　 (C)變化源極對本體的電壓也可以影響汲極電流　 (D)本體應接到電路的最高電壓。

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43. 將一個n-通道增強型MOSFET的汲極與閘極短路。此電晶體μ_nC_ox＝20μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。若使汲極電流為100μA，問電晶體的過驅電壓（overdrive voltage）為多少？　(108年度初等考題)　

(A)0.5V　 (B)0.707V　 (C)1V　 (D)1.414V。

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44. 若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時，飽和電流（saturation current）為I_o，已知溫度每變化1°C，飽和電流變化約7%，試問溫度增加10°C，飽和電流如何變化？　(108年度初等考題)　

(A)飽和電流約為10 I_o　 (B)飽和電流約為2 I_o　 (C)飽和電流約為0.5 I_o　 (D)飽和電流約為0.1 I_o。

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45. 某一增強型MOSFET其臨界電壓V_t＝2V，若源極接地而直流電源3V接到閘極，當V_DS＝0.5V時，試問該MOSFET操作在什麼區域？　(108年度初等考題)　

(A)崩潰區（breakdown region）　 (B)飽和區（saturation region）　 (C)三極管區（triode region）　 (D)主動區（active region）。

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46. 下圖電路中，設運算放大器（OPA）為理想，則從A點看入的輸入阻抗為何？
　(108年度初等考題)　

(A)R₁R₂/(R₁＋R₂)　 (B)R₁　 (C)R₁＋R₂　 (D)0。

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47. 有一放大器可將1mV的信號放大至1V，則其分貝增益為：　(108年度初等考題)　

(A)80dB　 (B)60dB　 (C)30dB　 (D)20dB。

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48. 下列那一個電路是精確半波整流器（precision half-wave rectifier）電路？　(108年度初等考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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49. 分析運算放大器電路時，兩輸入端常視為虛擬短路，其意為何？　(108年度初等考題)　

(A)需將兩輸入端連在一起　 (B)兩輸入端需各自接地　 (C)兩輸入端的電壓相等　 (D)兩輸入端的輸入阻抗為零。

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50. 若某空乏型NMOS場效電晶體之臨界電壓為V_t，其參數電流I_DSS是電晶體：
　(108年度初等考題)　

(A)工作在三極管區（Triode）且電壓V_GS＝0V之電流　 (B)工作在三極管區（Triode）且電壓V_GS＝V_t之電流　 (C)工作在飽和區（Saturation）且電壓V_GS＝0V之電流　 (D)工作在飽和區（Saturation）且電壓V_GS＝V_t之電流。

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51. 如圖所示之運算放大器電路，其中A_o＝∞，求此電路之電壓增益為何？　(108年度初等考題)　

(A)－1　 (B)－2　 (C)－4　 (D)－6。

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52. 有一放大器電路如圖所示，放大器U1為理想的運算放大器，二極體D1順向壓降V_D0＝0.7V。若R1＝1kΩ，輸入電壓V_I＝5V，試問輸出電壓V_o應落在下列何範圍內？
　(108年度初等考題)　

(A)5.0V≦V_o　 (B)4.5V≦V_o＜5.0V　 (C)4.0V≦V_o＜4.5V　 (D)V_o＜4.0V。

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53. 圖示的理想箝位電路中，已知輸入信號v_i(t)及輸出信號v_o(t)的最大值分別為10及6伏特，則偏壓電源V_R為多少？
　(108年度初等考題)　

(A)－6V　 (B)－4V　 (C)4V　 (D)6V。

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54. 針對一個整流－電容濾波電路（二極體視為理想）而言，下列那一種設計方式無法有效減小漣波因素？　(108年度初等考題)　

(A)增大負載電阻值　 (B)增大濾波電容值　 (C)增大輸入信號頻率　 (D)增大輸入信號振幅。

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55. 下圖所示之電路中，若變壓器二次側v_S＝V_m sinωt，則輸出電阻R之v_R波形為何？
　(108年度初等考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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56. 若輸入信號v_i如圖所示，二極體之導通電壓為0V，導通電阻為0Ω，電容C1兩端之初始電壓差為0V，關於輸出信號v_o的敘述，下列何者錯誤？
　(108年度初等考題)　

(A)v_i與v_o的週期相同　 (B)v_o的最小值為1V　 (C)v_o的最大值為2V　 (D)v_o的平均值＞0V。

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57. 如圖所示之電路，其輸入電源為正弦波，假設二極體之壓降皆為0.7V，而此電路之輸出電壓v_out之峰值為12V，則此輸入電源之電壓均方根值（rms）約為多少？
　(108年度初等考題)　

(A)8.5V　 (B)9.5V　 (C)11.6V　 (D)13.4V。

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58. 如圖所示之電路，假設二極體D之壓降為0.8V，其I_R1與I_in之關係亦如圖所示，圖中I₁之表示式為何？
　(108年度初等考題)　

(A)0.8/R₁　 (B)1.2/R₁　 (C)2/R₁　 (D)2.8/R₁。

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59. 下列關於中心抽頭變壓器全波整流電路的敘述，何者錯誤？　(108年度初等考題)　

(A)電路中2個二極體會同時導通或反偏　 (B)轉換效率較半波整流電路佳　 (C)同時利用輸入正弦電壓的正負週期　 (D)輸出－輸入電壓特性的斜率絕對值接近1。

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60. 全波整流電路的漣波頻率是輸入頻率的幾倍？　(108年度初等考題)　

(A)0.5倍　 (B)1倍　 (C)2倍　 (D)5倍。

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61. 分析如圖之電路，若稽納（Zener）二極體ZD1、ZD2之崩潰電壓為6V，導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0Ω。v_I＝10sinωt (V)，則電阻上流過之最大電流為何？
　(108年度初等考題)　

(A)0mA　 (B)1.65mA　 (C)3.35mA　 (D)4.3mA。

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62. 如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1為理想運算放大器，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知V＝15V、R1＝40kΩ、Rf＝60kΩ、R2＝9kΩ、R3＝3kΩ、R4＝3kΩ、R5＝9kΩ。若v_I＝2V，試求輸出電壓v_O約為多少？
　(108年度初等考題)　

(A)5V　 (B)3V　 (C)－3V　 (D)－5V。

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63. 如圖所示之電路，已知V_T＝26mV，其中電晶體之參數為：β＝150，V_BE(on)＝0.7V，且爾利（Early）電壓V_A為∞，求此電路之小信號電壓增益值約為何？
　(108年度初等考題)　

(A)0.63　 (B)0.73　 (C)0.83　 (D)0.93。

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64. 下列何種電路適合應用於輸出緩衝級？　(108年度初等考題)　

(A)共源極放大器　 (B)共汲極放大器　 (C)共閘極放大器　 (D)共基極放大器。

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65. 下列有關操作於主動區的BJT小訊號等效模型敘述，何者錯誤？　(108年度初等考題)　

(A)基極－射極接面電容C_π小於基極－集極接面電容C_μ　 (B)轉導（g_m）正比於集極電流　 (C)輸出電阻正比於爾利電壓（V_A）　 (D)輸入電阻正比於電流增益（β）。

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66. 圖中電晶體M₁之臨界電壓V_T＝1V，若M1操作在飽和區，電流源為理想，則電阻R的最大值為何？
　(108年度初等考題)　

(A)4kΩ　 (B)8kΩ　 (C)12kΩ　 (D)16kΩ。

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67. 夾止電壓V_GS(P)為4V之p通道MOSFET工作在夾止飽和區且在V_GS1＝1V及V_GS2＝3V時，測得汲極電流分別為I_D1及I_D2。若I_D1＋I_D2＝10mA，當V_GS＝0V時，則該MOSFET的汲極電流約為多少？　(108年度初等考題)　

(A)10mA　 (B)16mA　 (C)20mA　 (D)24mA。

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68. 如圖所示直流偏壓電路的電晶體放大器中，電晶體的輸出直流電壓工作點為4V，電晶體β值變為原來的2倍而其他特性參數不變，則R_B必須變為原來的多少倍才能使輸出直流電壓工作點變為6V？
　(108年度初等考題)　

(A)0.75倍　 (B)1.5倍　 (C)2倍　 (D)3倍。

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69. 如圖為共源極放大電路及其MOS電晶體的轉換特性與輸出負載線關係，假設R_G>>2kΩ，該放大電路的小信號電壓增益絕對值為何？
　(108年度初等考題)　

(A)30　 (B)18　 (C)12　 (D)6。

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70. 圖示MOS場效電晶體電路，電晶體之V_t＝1V、μ_nC_ox(W/L)＝1mA/V²，若要使電晶體在飽和區工作，電壓V_D最小值應為多少？
　(108年度初等考題)　

(A)4V　 (B)3V　 (C)2V　 (D)1V。

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71. 如圖為一共閘（CG）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o→∞，則此放大器的電壓增益為何？
　(108年度初等考題)　

(A)g_mR_D　 (B)g_m(R_D＋R_S)　 (C)g_mR_D/(1＋g_mR_S)　 (D)R_D/R_S。

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72. 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之g_m＝0.5mA/V，V_A＝∞，R_D＝5kΩ，則此放大器的輸入電阻R_i為：
　(108年度初等考題)　

(A)0　 (B)2kΩ　 (C)5kΩ　 (D)∞。

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73. 如圖所示的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，R₁＝R＝5kΩ、R₂＝2R、C₁＝2C₂，當該電路處於等幅振盪時，R_f的電阻值應約為多少？
　(108年度初等考題)　

(A)5kΩ　 (B)10kΩ　 (C)12.5kΩ　 (D)20kΩ。

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74. 兩電晶體Q₁（β₁＝49）與Q₂（β₂＝79）直接耦合的串級放大電路如圖所示，其中Q₁的基極偏壓電流為I_B1＝1.25μA，求該放大電路之輸出電阻R_o約為多少Ω？熱電壓V_T＝25毫伏特。
　(108年度初等考題)　

(A)10Ω　 (B)125Ω　 (C)1250Ω　 (D)2000Ω。

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75. 圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±10V，R₁＝10kΩ、R₂＝30kΩ，輸出電壓v_O原為＋10V，輸入電壓v_I為下列何電位時，輸出v_O將為－10V？
　(108年度初等考題)　

(A)－4V　 (B)－3V　 (C)3V　 (D)4V。

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76. 如圖放大器電路，試問C₁和C₂耦合（coupling）電容會衰減放大器頻率響應的那一頻段？
　(108年度初等考題)　

(A)中頻段　 (B)低頻段　 (C)高頻段　 (D)沒有影響。

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77. 如圖非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF；試問v^－在什麼電壓時，輸出電壓v_o會轉態？
　(108年度初等考題)　

(A)v^－下降達＋0.91V或v^－下降達－0.91V　 (B)v^－上升達＋0.91V或v^－上升達－0.91V　 (C)v^－下降達＋0.91V或v^－上升達－0.91V　 (D)v^－上升達＋0.91V或v^－下降達－0.91V。

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78. 下列為一主動式濾波器（Active filter）。設U1為理想運算放大器，試問此電路轉移函數（Transfer function）T(s)≡V_o/V_i的數學形式為何？
　(108年度初等考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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79. 某一RC主動式濾波器（active filter）電路如圖所示，已知放大器U1為理想運算放大器，且R1＝R2＝R3，試問該電路為何種濾波器？
　(108年度初等考題)　

(A)低通濾波器（low-pass filter）　 (B)高通濾波器（high-pass filter）　 (C)帶通濾波器（band-pass filter）　 (D)全通濾波器（all-pass filter）。

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80. 一個雙極性接面電晶體，其單一增益（unity-gain）頻率f_T＝20GHz，在I_c＝1mA下，電晶體增益β＝120，則電晶體的頻寬約為多少？　(108年度初等考題)　

(A)107MHz　 (B)125MHz　 (C)146MHz　 (D)167MHz。

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81. 下列有關理想運算放大器的特性，何者正確？　(109年度初等考題)　

(A)輸入阻抗：0　 (B)開迴路電壓增益：0　 (C)共模電壓增益：0　 (D)共模拒斥比CMRR：0。

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82. 某運算放大器的共模增益A_cm＝－0.01，差模增益A_d＝100，則其CMRR為若干dB？　(109年度初等考題)　

(A)－80　 (B)－20　 (C)20　 (D)80。

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83. 圖示為理想運算放大器電路，若R₁＝1kΩ、R₂＝3kΩ、R_a＝1kΩ、R_b＝3kΩ，v₁＝4V，v₂＝－2V，則輸出電壓v_O為若干V？
　(109年度初等考題)　

(A)0　 (B)5　 (C)10　 (D)12。

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84. 圖示電路中場效電晶體（FET）之V_TH＝－0.7V，下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？
　(109年度初等考題)　

(A)V_G＝5V、V_D＝4V　 (B)V_G＝4V、V_D＝4V　 (C)V_G＝3V、V_D＝4V　 (D)V_G＝2V、V_D＝4V。

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85. 圖示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±10V，二極體導通時兩端電壓為0.7V，輸入電壓v_I為＋1V，則v_O為若干V？
　(109年度初等考題)　

(A)－10　 (B)0　 (C)＋1　 (D)＋10。

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86. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₂在時間點T最可能的工作模式：
　(109年度初等考題)　

(A)飽和模式（Saturation mode）　 (B)線性模式（Linear mode）　 (C)主動模式（Active mode）　 (D)截止模式（Cut-off mode）。

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87. 如圖所示為一CMOS反相器，電晶體之μ_nC_ox＝μ_pC_ox；兩電晶體之W/L相同；V_tn＝| V_tp |。反相器之負載為電容C_L。若輸入的信號v_i為方波，其高電位為V_DD、低電位為0，週期為T。問流過電晶體Q_P的平均電流？
　(109年度初等考題)　

(A)0　 (B)(μ_pC_ox/2)(W/L)(V_DD－| V_tp |)²　 (C)V_DDC_L/(2T)　 (D)V_DDC_L/T。

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88. 一個NPN雙極性電晶體，若β＝50且操作在主動作用區（active region），下列何者正確？　(109年度初等考題)　

(A)集極電流與射極電流的比值為1.02　 (B)集極對射極的電壓應為正值　 (C)電流的方向為由射極流入集極　 (D)基射極應為反偏。

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89. 類比積體電路中，使用電流鏡或電流源來代替電阻性負載，下列何者錯誤？　(109年度初等考題)　

(A)為了減少電路占用的面積　 (B)可降低電源電壓　 (C)為了提供比電阻性負載更小的等效電阻　 (D)可提高放大器增益。

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90. 有一個電壓訊號v對時間t的函數為v(t)＝6sin（2πf₁t）＋12sin（2πf₂t）伏特，f₁＝5kHz，f₂＝8kHz。將此電壓訊號加到一個1Ω的電阻之上。問此電阻承受的訊號功率為何？　(109年度初等考題)　

(A)36W　 (B)90W　 (C)144W　 (D)180W。

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91. 理想CMOS反相器（Inverter）的靜態功率損耗為何？　(109年度初等考題)　

(A)很大　 (B)中等　 (C)與邏輯狀態有關　 (D)零。

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92. 如圖運算放大器電路，若電壓增益A為無限大，試求輸出電壓v_o＝？
　(109年度初等考題)　

(A)－4V　 (B)4V　 (C)－6V　 (D)6V。

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93. 電容器C₁～C₃配合變壓器T及二極體D₁～D₃所構成之倍壓電路如圖，輸入信號v_i(t)＝100sin（377t）伏特、N₁：N₂＝10：1且變壓器與所有二極體均視為理想時，在電路穩態條件下電容器C₁～C₃所跨電壓V_C1～V_C3之敘述何者正確？
　(109年度初等考題)　

(A)V_C1＋V_C2＝20V　 (B)V_C1＋V_C3＝30V　 (C)V_C2＋V_C3＝10V　 (D)V_C1＋V_C2＋V_C3＝40V。

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94. 用於中間抽頭變壓器型及橋式全波整流電路的變壓器，初級／次級線圈匝數比均為N₁：N₂且輸入信號同為v_i(t)＝100sin（377t）伏特，變壓器與二極體均為理想，中間抽頭型及橋式全波整流電路中二極體之峰值逆向電壓為PIV1與PIV2、輸出信號有效值電壓為V_o1(rms)及V_o2(rms)間關聯性何者正確？　(109年度初等考題)　

(A)PIV1＝2PIV2　 (B)V_o1(rms)＝V_o2(rms)　 (C)2V_o1(rms)＝V_o2(rms)　 (D)2PIV1＝PIV2。

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95. 漣波因素（ripple factor）或漣波百分比（r%）用以評比整流－濾波電路之優劣，已知各種整流濾波電路所提供之相關資訊如輸出信號之有效值電壓V_o(rms)＝A、平均值電壓V_o(dc)＝B伏特、漣波電壓有效值V_r(rms)＝C伏特，那一選項中電路的濾波效果最佳？　(109年度初等考題)　

(A)A＝15，B＝12　 (B)B＝12，C＝1　 (C)r＝10　 (D)A＝15，C＝1。

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96. 圖示半波整流電路之輸入信號v_i(t)＝20sin (754t)伏特及N₁：N₂＝2：1，變壓器與二極體均視為理想，關於輸出信號v_o(t)之頻率f_o、有效值電壓V_o(rms)、平均值電壓V_o(dc)、峰值電壓V_o(p)等的約略值，下列敘述何者正確？
　(109年度初等考題)　

(A)f_o＝754Hz　 (B)V_o(p)＝20V　 (C)V_o(rms)＝7.1V　 (D)V_o(dc)＝3.2V。

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97. 圖示截波電路中，齊納（Zener）二極體D₁與D₂於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為V_Z1＝5V與V_Z2＝7V，當輸入信號v_i(t)＝10sin (ωt)伏特時，求輸出信號v_o(t)的峰對峰電壓值為多少伏特？
　(109年度初等考題)　

(A)2V　 (B)5V　 (C)7V　 (D)12V。

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98. 振幅為8伏特的三角形週期波信號輸入如圖所示之截波電路（D為理想二極體），決定輸出信號v_o(t)的平均值電壓為多少伏特？
　(109年度初等考題)　

(A)0.5V　 (B)1V　 (C)－0.5V　 (D)－1V。

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99. 如圖所示之電路，假如二極體之壓降V_D為0.7V，求其輸出電壓v_o之平均值為何？
　(109年度初等考題)　

(A)5.37V　 (B)10.58V　 (C)23.3V　 (D)109.3V。

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100. 圖中v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波，經過微分器後，其輸出波形為何？
　(109年度初等考題)　

(A)正弦波　 (B)三角波　 (C)直流　 (D)方波。

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101. 下列何者不是二極體電路的主要應用？　(109年度初等考題)　

(A)整流電路　 (B)截波電路　 (C)箝位電路　 (D)放大電路。

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102. 60Hz的交流小訊號經全波整流後，輸出訊號之頻率應為：　(109年度初等考題)　

(A)20Hz　 (B)30Hz　 (C)60Hz　 (D)120Hz。

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103. 圖示電路，若V_CC＝10V，V_CE＝3V，則此電晶體的工作區應為何？
　(109年度初等考題)　

(A)主動區（Active Region）　 (B)飽和區（Saturation Region）　 (C)三極管區（Triode Region）　 (D)截止區（Cutoff）。

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104. 如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓V_A＝∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？
　(109年度初等考題)　

(A)R₁　 (B)R₂　 (C)R₁＋R₂　 (D)R₂//(1/g_m)。

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105. 如圖為MOSFET差動式放大器，已知電晶體Q₁和Q₂的臨界電壓V_TH、轉導g_m、輸出阻抗r_o等參數均相同，試求差動增益A_d＝v_od/v_id之值？
　(109年度初等考題)　

(A)g_mR_D　 (B)－g_mR_D　 (C)g_mR_D/2　 (D)－g_mR_D/2。

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106. 如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為β_npn＝100，1kT/q＝1V_T＝26mV且爾利（Early）電壓V_A＝∞，假定此電路之直流偏壓電流I_C＝4mA，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(109年度初等考題)　

(A)72.8　 (B)115.8　 (C)154.8　 (D)173.8。

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107. 如圖所示之電路，假設電晶體M之參數如下：μ_nC_ox＝200μA/V²，V_TH＝0.4V且λ＝0；若跨在電阻R_S上之電壓為300mV，欲使M維持在飽和區之最小可容許之W/L值為何？
　(109年度初等考題)　

(A)20　 (B)40　 (C)60　 (D)80。

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108. MOSFET的小訊號模型中，汲極的等效輸出電阻r_o與下列何者成正比？　(109年度初等考題)　

(A)通道寬度W　 (B)通道長度L　 (C)過驅電壓（V_GS－V_TH）　 (D)汲極電流I_D。

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109. 如圖所示之射極隨耦器之v_o/v_i最接近值為何？假設電流源為理想且1kT/q＝1V_T＝26mV。
　(109年度初等考題)　

(A)0.9　 (B)0.8　 (C)0.7　 (D)0.6。

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110. 如圖所示共射極放大器之v_o/v_i為何？假設電晶體之g_m＝50mA/V，β＝50。
　(109年度初等考題)　

(A)－25　 (B)－50　 (C)－75　 (D)－100。

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111. 關於MOSFET的本質增益g_mr_o，下列敘述何者正確？　(109年度初等考題)　

(A)g_mr_o與過驅電壓（V_GS－V_TH）成正比　 (B)g_mr_o與過驅電壓（V_GS－V_TH）成反比　 (C)g_mr_o與偏壓電流I_D成正比　 (D)g_mr_o與偏壓電流I_D成反比。

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112. 若一個雙極性電晶體（BJT）在主動區操作模式下，射極電流為5.05mA，基極電流為0.05mA，則其β值為：　(109年度初等考題)　

(A)98　 (B)99　 (C)100　 (D)101。

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113. 如圖之RC串級放大電路中，第2級放大電路（未顯示）的輸入電阻R_i2＝1.5kΩ，電晶體之β₁＝81、V_BE,on＝0.6V，求第1級放大電路的電壓增益大小（v_o1/v_i）最接近值為：
　(109年度初等考題)　

(A)30　 (B)60　 (C)80　 (D)100。

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114. 下列有關圖示電路的敘述何者正確？
　(109年度初等考題)　

(A)為微分電路　 (B)－3dB頻率與R₁成正比　 (C)直流電壓的增益為－R₂/R₁　 (D)為高通濾波器。

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115. 如圖所示為一文氏電橋振盪器。R₂＝100kΩ，R₁＝20kΩ，R＝10kΩ，C＝0.1μF。求振盪器的振盪頻率？
　(109年度初等考題)　

(A)15.9Hz　 (B)79.6Hz　 (C)159Hz　 (D)1000Hz。

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116. 如圖所示為一考畢子振盪器（Colpitts Oscillator）電路，其偏壓電路並沒有畫出來。電晶體Q之g_m＝10mA/V，R_E＝1kΩ，L＝20μH，C₁＝25pF，C₂＝100pF。假若電晶體由基極視入的阻抗大到可以忽略。求電路的振盪頻率？
　(109年度初等考題)　

(A)3.2MHz　 (B)8MHz　 (C)32MHz　 (D)80MHz。

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117. 已知一運算放大器（OPA）的開路直流增益A_o為100dB和單一增益頻率f_T為10MHz，若此OPA接成非反相輸入（non-inverting input）放大器，其增益A_v為60dB；試問該非反相輸入放大器的頻寬f_H約為多少？　(109年度初等考題)　

(A)100kHz　 (B)10kHz　 (C)1kHz　 (D)100Hz。

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118. 有一運算放大器（OPA），已知其直流增益為100dB和單一增益頻率f_T為5MHz，試求其－3dB的頻寬f_B為多少？　(109年度初等考題)　

(A)5Hz　 (B)50Hz　 (C)5kHz　 (D)50kHz。

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119. 如圖電路，已知R＝10kΩ和C＝0.01μF，輸入為±5V對稱方波，試求輸出三角波電壓在t＝0到t＝t₁的斜率為多少V/sec？
　(109年度初等考題)　

(A)＋5×10⁴　 (B)－5×10⁴　 (C)－10×10⁴　 (D)＋10×10⁴。

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120. 如圖雙穩態電路，已知輸出電壓v_o飽和在±13V，若設計臨界電壓（threshold voltage）在±5V，且令R₁＝10kΩ，試求R₂為多少？
　(109年度初等考題)　

(A)16kΩ　 (B)20kΩ　 (C)32kΩ　 (D)40kΩ。

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121. 圖示為某V_t＝1V之NMOS場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓V_D之敘述，何者正確？
　(110年度初等考題)　

(A)V_D之最大值為1V　 (B)V_D之最小值為1V　 (C)V_D之最大值為2V　 (D)V_D之最小值為2V。

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122. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_o/v_id：
　(110年度初等考題)　

(A)－1　 (B)－k　 (C)－（1＋k）　 (D)－（1＋1/k）。

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123. 如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出電壓的影響，試求電路上的電阻R＝？
　(110年度初等考題)　

(A)5kΩ　 (B)10kΩ　 (C)15kΩ　 (D)20kΩ。

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124. 已知一正弦波經半波整流後之電壓波形v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特(V)？
　(110年度初等考題)　

(A)6.36V　 (B)7.07V　 (C)3.18V　 (D)5.00V。

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125. 有一p通道接面場效電晶體的V_GS(off)＝＋4V，I_DSS＝6mA，則當V_GS＝＋6V時，此電晶體的I_D為多少？　(110年度初等考題)　

(A)無限大　 (B)9mA　 (C)6mA　 (D)0A。

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126. 在共源極（common source）放大器中，若FET的V_GS未達臨界電壓，則汲極端的電壓為：　(110年度初等考題)　

(A)0V　 (B)V_DD　 (C)∞　 (D)V_GS。

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127. 如果將電容濾波全波整流器的負載阻抗降低，則漣波電壓會如何變化？　(110年度初等考題)　

(A)增加　 (B)減少　 (C)不受影響　 (D)頻率會變化。

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128. 如圖電路中，將訊號源連接在輸入端V₁和V₂之間，所看到的輸入電阻為R_in1；將訊號源同時連接在輸入端V₁和V₂上，所看到的輸入電阻為R_in2，其值分別為何？
　(110年度初等考題)　

(A)R_in1＝2kΩ、R_in2＝2kΩ　 (B)R_in1＝2kΩ、R_in2＝4kΩ　 (C)R_in1＝4kΩ、R_in2＝2kΩ　 (D)R_in1＝4kΩ、R_in2＝4kΩ。

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129. 令流入運算放大器輸入端之電流為I_i，兩輸入端間電壓差為V_i，則一個理想反相運算放大器之虛接地（virtual ground）特性為：　(110年度初等考題)　

(A)I_i＝∞，V_i＝∞　 (B)I_i＝0，V_i＝∞　 (C)I_i＝∞，V_i＝0　 (D)I_i＝0，V_i＝0。

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130. 如圖所示之電路，假如A_o＝∞，求此電路之閉迴路增益為何？
　(110年度初等考題)　

(A)12　 (B)15　 (C)19　 (D)21。

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131. 圖示理想運算放大器電路中，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V，輸入電壓v_I為－2V，則v_O為若干？
　(110年度初等考題)　

(A)－12V　 (B)0V　 (C)－2V　 (D)＋12V。

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132. 雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗r_o，是下列何種效應所造成？　(110年度初等考題)　

(A)爾利效應（Early effect）　 (B)米勒效應（Miller effect）　 (C)溫度效應（temperature effect）　 (D)通道長度調變效應（channel length modulation effect）。

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133. 如圖示截波電路，其中輸入信號v_i(t)為振幅12伏特的弦波且D為理想二極體，如果要得到峰對峰電壓值為16伏特的輸出信號，則偏壓電源V_R應為多少？
　(110年度初等考題)　

(A)－4V　 (B)0V　 (C)4V　 (D)8V。

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134. 運算放大器反相微分器（differentiator）電路中，回授電路元件為：　(110年度初等考題)　

(A)二極體　 (B)電感器　 (C)電容器　 (D)電阻器。

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135. 如圖所示之電路，二極體為理想，若V_in為一DC值為零且振幅為5V的正弦波，求最高及最低的V_out為何？
　(110年度初等考題)　

(A)＋2V及－8V　 (B)＋0V及－10V　 (C)－2V及－12V　 (D)＋2V及－10V。

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136. 稽納（Zener）二極體若應用在穩壓電路時，其工作區域為：　(110年度初等考題)　

(A)順向導通區　 (B)飽和區　 (C)逆向截止區　 (D)逆向崩潰區。

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137. 下圖電路中輸入信號為弦波v_i(t)＝0.5sin 10t伏特，二極體D₁與D₂之導通電壓皆為0.7V，導通電阻為100Ω。則電壓v_o(t)最大值為多少伏特？
　(110年度初等考題)　

(A)0.7　 (B)0.5　 (C)0.2　 (D)0。

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138. 圖中二極體D₁之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，電容C兩端之初始電壓為0V，下列何者正確？
　(110年度初等考題)　

(A)v_out之最低電壓為－0.7V　 (B)D₁在穩態時恆導通　 (C)v_out之最高電壓為10V　 (D)v_C之穩態電壓為9.3V。

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139. 如圖所示之電路，v_in為輸入電壓波形，假設二極體為理想，則其輸出電壓v_out之波形最有可能為下列何者？
　(110年度初等考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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140. 圖示電路中v_I為輸入電壓、v_o為輸出電壓，本電路為何種電路？
　(110年度初等考題)　

(A)倍壓電路　 (B)濾波電路　 (C)截波電路　 (D)箝位電路。

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141. 圖示理想二極體電路中，若輸入v_I為峰對峰值10V的方波，在穩態時下列有關輸出v_O的敘述，何項正確？
　(110年度初等考題)　

(A)v_O的最小值為0V　 (B)v_O的最小值為＋5V　 (C)v_O的最大值為＋10V　 (D)v_O的最大值為＋20V。

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142. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V，已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V、R＝2kΩ。試問輸出電壓v_O的波形為何？
　(110年度初等考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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143. 共源極放大器的頻寬主要由下列那個寄生電容決定？　(110年度初等考題)　

(A)閘極－源極　 (B)源極－基板　 (C)閘極－汲極　 (D)汲極－源極。

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144. 如圖所示，射極電阻R_E常被用於共射極放大器的設計，其主要目的為何？
　(110年度初等考題)　

(A)提高增益　 (B)降低雜訊　 (C)改變相位　 (D)穩定偏壓。

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145. 若PNP型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區I_B＝0.05mA，I_E＝5mA，則電流增益為：　(110年度初等考題)　

(A)α＝0.9　 (B)α＝0.95　 (C)β＝95　 (D)β＝99。

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146. 電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為V_CC＝10V及V_BB＝1.6V，R₁＝1.5kΩ、R₂＝50kΩ，該放大電路的輸入直流電流I_BQ約為多少？
　(110年度初等考題)　

(A)0.02mA　 (B)0.06mA　 (C)0.08mA　 (D)0.1mA。

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147. 藉由分壓偏壓的電晶體放大電路中（β＝49），流進基極端的電流為I＝0.025mA時測得輸出交流弦波信號振幅為0.5V，則輸入信號的振幅約為多少？其中熱電壓近似為25mV。
　(110年度初等考題)　

(A)2mV　 (B)2.5mV　 (C)4mV　 (D)5mV。

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148. 如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為0.6V，β及R₁、R₂均變成原來的1.5倍，電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放大器工作在不失真放大範圍。
　(110年度初等考題)　

(A)0.4V　 (B)0.6V　 (C)0.9V　 (D)1.35V。

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149. 若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β＝50，爾利電壓（Early voltage, V_A）＝10V，g_m＝10mA/V，熱電壓（thermal voltage）＝25mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？
　(110年度初等考題)　

(A)r_π＜1/g_m　 (B)r_o＞r_π　 (C)r_o與操作電流成正比　 (D)g_m與操作電流成反比。

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150. 圖示電晶體在主動區工作，電晶體的β＝99，V_BE＝0.7V，則電晶體的集極電壓V_C約為：　(110年度初等考題)　

(A)8V　 (B)6V　 (C)4V　 (D)2V。

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151. 在雙極接面電晶體的共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）三種組態中，何者之電流增益小於1？　(110年度初等考題)　

(A)CE　 (B)CB　 (C)CC　 (D)CE及CC。

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152. 如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o→∞，則此放大器的電壓增益為何？
　(110年度初等考題)　

(A)－g_m(R_D＋R_S)　 (B)－g_mR_D/(1＋g_mR_S)　 (C)－R_D/R_S　 (D)－g_mR_D。

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153. 如圖所示為以電阻R＝5kΩ、R_f＝7.5kΩ及電感L₁＝2mH、L₂所構成的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，當等幅振盪啟動時，決定其振盪頻率ω約為多少rad/s？
　(110年度初等考題)　

(A)3.5M　rad/s　 (B)1M　rad/s　 (C)700k　rad/s　 (D)500k　rad/s。

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154. 直接耦合串級放大電路於未耦合前第1級放大電路的集極偏壓電流為1毫安培（1mA），如圖決定耦合後第2級放大電路的電壓增益大小（v_o/v_i2的大小）？其中Q₂之β₂＝99及V_BE,on＝0.8V，熱電壓V_T＝25mV。
　(110年度初等考題)　

(A)50　 (B)100　 (C)150　 (D)250。

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155. 如圖為一方波振盪器。若OP AMP輸出的上下限為±10V。R₂＝R₃、R₁C₁＝10ms。求方波的週期？
　(110年度初等考題)　

(A)10ms　 (B)11ms　 (C)20ms　 (D)22ms。

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156. 有N級放大器，其中每一級的增益A_oN和頻寬ω_HN都完全相同，若該N級放大器串接在一起且N為有限值；試問其總頻寬ω_H相較於單一級放大器的頻寬ω_HN，下列敘述何者正確？　(110年度初等考題)　

(A)ω_H＝ω_HN　 (B)ω_H＞ω_HN　 (C)ω_H＜ω_HN　 (D)ω_H＝(ω_HN)^N。

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157. 如圖雙穩態電路，其R₁＝10kΩ且R₂＝16kΩ，若在t＝0時輸出電壓V_o飽和在－13V；當在t＞0時，輸入電壓v_I＜－5V，輸出電壓V_o會在什麼狀態？
　(110年度初等考題)　

(A)0V　 (B)－13V　 (C)＋13V　 (D)±13V　變化。

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158. 圖為一個三級環式振盪器電路，若每一級之小訊號低頻增益A＝4，MOSFET之轉導g_m＝66.67μA/V，電容C＝4.59nF，則電路之振盪頻率約為多少？
　(110年度初等考題)　

(A)1kHz　 (B)2kHz　 (C)3kHz　 (D)4kHz。

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159. 如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2和CS，MOSFET的寄生電容約為C_gs和C_gd。有關此放大器電路的低頻響應，下列敘述何者正確？
　(110年度初等考題)　

(A)主要是受外接電容的影響　 (B)主要是受MOSFET寄生電容的影響　 (C)受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度均相同　 (D)主要受其他電容影響，但受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度不大。

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160. 在BJT電晶體的放大器中，若訊號的擺幅很小，則電晶體的爾利效應（Early effect）可以等效為下列何者？　(110年度初等考題)　

(A)電壓源　 (B)電流源　 (C)電阻　 (D)電容。

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161. 某增強型NMOS場效電晶體的V_t＝1V、μ_nC_ox(W/L)＝50μA/V²，今若其電壓V_GS＝2V，則其轉導gm（Transconductance）為若干μA/V？　(111年度初等考題)　

(A)25　 (B)50　 (C)100　 (D)200。

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162. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判輸出接腳V_O在低準位輸出（V_O@LO）時最可能的工作電壓：
　(111年度初等考題)　

(A)V_O@LO＜0V　 (B)V_O@LO＝0V　 (C)0.4V＞V_O@LO＞0V　 (D)V_O@LO＞0.4V。

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163. 對於一個PN接面二極體在逆偏（reverse bias）的條件下，下列何者正確？　(111年度初等考題)　

(A)外部電壓之正端接於P側，負端接於N側　 (B)P側的電子將會流向N側，N側的電洞則流向P側　 (C)當逆偏壓加大時，因空乏區（depletion region）擴大而導致電容也變大　 (D)接面空乏區內電場的方向為由P側指向N側。

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164. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_id/i：
　(111年度初等考題)　

(A)R　 (B)2R　 (C)（k＋1）R　 (D)（k＋3）R。

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165. 如圖所示為一NMOS構成的放大器。V_DD＝3V，電晶體之小信號μ_nC_ox＝200μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。電流源非完全理想，有一值為20kΩ的內阻。求小信號增益v_o/v_i：
　(111年度初等考題)　

(A)－20　 (B)－40　 (C)－100　 (D)－1000。

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166. 雙極性電晶體接成共集極組態時，其輸出阻抗相較於共射極和共基極組態的輸出阻抗為何？　(111年度初等考題)　

(A)最低　 (B)最高　 (C)次高　 (D)一樣。

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167. 下列何種矽電晶體具有常閉型通道？　(111年度初等考題)　

(A)PN接面型場效電晶體　 (B)MOS增強型場效電晶體　 (C)MOS空乏型場效電晶體　 (D)雙極性接面電晶體。

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168. 有一半波整流器的輸入電壓峰值為10V，則其輸出電壓的峰值大約為：　(111年度初等考題)　

(A)10.7V　 (B)9.3V　 (C)5V　 (D)3.2V。

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169. 有一增益為A＝10000，單極頻率（single pole frequency）為10⁵rad/s之放大器，將其置入回饋因素（feedback factor）f＝0.01的回饋迴路，設回饋過程不影響此放大器的開迴路增益（open loop gain），則此放大器之開迴路單一增益頻率（unit gain frequency）為：　(111年度初等考題)　

(A)10⁹rad/s　 (B)10⁵rad/s　 (C)10³rad/s　 (D)10²rad/s。

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170. 如圖所示電路為一階主動低通濾波器，若R_i＝20kΩ，R_f＝200kΩ，R₁＝1.5kΩ，C₁＝0.02μF，則此電路的截止頻率f_CH為多少？
　(111年度初等考題)　

(A)5.3GHz　 (B)5.3MHz　 (C)5.3kHz　 (D)5.3Hz。

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171. 有一N通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓V_P＝－4V，且源極電壓V_S＝0V，則下列那一個條件可使此JFET工作於飽和區？　(111年度初等考題)　

(A)V_G＝－5V，V_D＝1V　 (B)V_G＝－2V，V_D＝1V　 (C)V_G＝0V，V_D＝0V　 (D)V_G＝0V，V_D＝5V。

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172. 關於BJT電晶體之敘述，下列何者正確？　(111年度初等考題)　

(A)電晶體操作在飽和（saturation）區時之轉導值（transconductance）較操作於順向主動區（forward active region）時為大　 (B)電晶體操作在飽和區時之輸出阻抗r_o較操作於順向主動區時為大　 (C)操作於放大器模式時，基集極接面應避免順向偏壓　 (D)電晶體操作在截止（cutoff）區時，基射極接面必為順向偏壓。