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1. 在N型半導體中,導電的多數載子為何?
(A)離子
(B)電子
(C)中子
(D)電洞。
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2. 請問稽納二極體的符號為何?
(A)
(B)
(C)
(D)
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3. 半波整流電路輸出電壓的平均值為峰值的幾倍?
(A)
(B)
(C)
(D)
。
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4. 通電中之雙極性電晶體B-E射基接面為順向偏壓且B-C集基接面為順向偏壓,則此電晶體工作區域為何?
(A)空乏區
(B)截止區
(C)飽和區
(D)作用區。
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5. N通道增強型MOSFET欲使之導通,則閘極電壓(V
GS
)應加何種偏壓?
(A)0V
(B)負電壓
(C)小於臨界電壓V
T
之正電壓
(D)大於臨界電壓V
T
之正電壓。
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6. 串級放大電路若串接級數愈多,則頻寬將如何變化?
(A)變窄
(B)變寬
(C)不變
(D)視電路情況而定。
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7. 差動放大器共模拒斥比(CMRR)愈大,則下列敘述何者正確?
(A)愈不易消除雜訊
(B)愈易消除雜訊
(C)該差動放大器愈差
(D)A
d
愈小,A
c
愈大。
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8. 箝位電路之主要作用為何?
(A)調整直流位準
(B)濾波
(C)整流
(D)整數倍放大輸入信號。
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9. 如圖所示電路,假設二極體D
1
與D
2
之切入電壓V
r
=0.7V、順向電阻R
f
=200Ω、及逆向電阻R
r
=∞,電路中之R
S
=1.8kΩ及R
L
=12kΩ,當V
1
=V
2
=2V,請問V
o
為多少?
(A)0.15V
(B)1.8V
(C)0.1V
(D)1.2V。
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10. 如圖所示電路中,欲使I
Z
=6mA,則R值應為多少?
(A)2KΩ
(B)2.5KΩ
(C)3KΩ
(D)4KΩ。
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11. 如圖所示電路,假設二極體均為理想二極體,當輸入交流電壓V
in
(t)正半週時,請問二極體的狀態,下列敘述何者正確?
(A)D
1
、D
3
導通,D
2
、D
4
不導通
(B)D
2
、D
4
導通,D
1
、D
3
不導通
(C)D
1
、D
4
導通,D
2
、D
3
不導通
(D)D
2
、D
3
導通,D
1
、D
4
不導通。
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12. 有一電源供應器,在未加負載時電壓為20伏特,加上100歐姆負載後電壓變為16伏特,則其電壓調整率為多少?
(A)11%
(B)20%
(C)25%
(D)44%。
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13. 如圖所示射極放大電路,C
E
之作用為何?
(A)濾去電源漣波
(B)提高電壓增益
(C)防止短路
(D)阻止直流電通過。
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14. 當NPN電晶體操作於工作區(Action Region)模式下,則此NPN電晶體三端(E、B、C)之電壓大小關係為何?
(A)V
E
>V
B
>V
C
(B)V
B
>V
C
>V
E
(C)V
C
>V
E
>V
B
(D)V
C
>V
B
>V
E
。
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15. 如圖所示達令頓電路,其電流增益的近似值為多少?
(A)30
(B)60
(C)900
(D)1。
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16. 達令頓(Darlington)電路具有何種特性?
(A)低輸入阻抗及大電流增益
(B)高輸入阻抗及大電流增益
(C)低輸入阻抗及大電壓增益
(D)高輸入阻抗及小電流增益。
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17. 一正弦波通過全波整流電路,假設輸入頻率為f
i
,則輸出信號之週期等於多少?
(A)
(B)
(C)
(D)
。
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18. 有一矽二極體,在25°C時的逆向飽和電流為2nA,當溫度升高至65°C時其逆向飽和電流為多少?
(A)16nA
(B)64nA
(C)32nA
(D)8nA。
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19. 如圖所示倍壓器電路,若D
1
、D
2
為理想二極體,則輸出電壓V
o
為多少?
(A)200V
(B)-141V
(C)141V
(D)-200V。
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20. 如圖所示電路及電晶體之特性曲線,假設電晶體原來的工作點為Q點,則當R
B
電阻值變大時,其新的工作點應近似於哪一點?
(A)A點
(B)B點
(C)C點
(D)D點。
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21. 如圖所示電路,其小信號等效輸出阻抗Z
o
最接近下列何值?(熱當電壓V
T
=26mV)
(A)7.5Ω
(B)17.5Ω
(C)27.5Ω
(D)37.5Ω。
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22. 如圖所示電路,若R
1
=R
2
=R
3
=100Ω,試求輸出電壓V
o
之值?
(A)-6V
(B)-3.5V
(C)-4.5V
(D)-5.5V。
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23. 具電流放大,不具電壓放大的電晶體組態電路為何?
(A)共基極電路
(B)共射極電路
(C)共集極電路
(D)共陽極電路。
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24. 量測方波之降落時間(fall time)何者正確?
(A)波形前緣峰值幅度的10%至90%所經過的時間
(B)波形前緣峰值幅度的5%至90%所經過的時間
(C)波形前緣峰值幅度的5%至95%所經過的時間。
(D)波形後緣峰值幅度的90%至10%所經過的時間。
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25. 若電晶體BJT之α值為0.96,則β係數值為何?
(A)12
(B)24
(C)36
(D)48。
申論題型
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1. 量測電晶體I
B
=0.2mA時I
C
=10mA,則I
E
等於_____mA。
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1. 有一個2級串接的放大電路,其各級之電壓增益分別為20dB及30dB,則其總電壓增益等於_____dB。
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1. 如圖所示之兩級串接放大器,若V
in
=6mV,則V
out
等於_____伏特。
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1. N通道JFET的I
DSS
=16mA,V
GS(OFF)
=-3V,當I
D
=4mA時,求V
GS
等於_____伏特。
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