中油公司考古題,電子概論 (收錄107年~110年歷屆試題,每次隨機抽取50題)-愛舉手

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1. 魯夫檢查牆上插座是否有電，最適當的方法為？　(107年度考題)　

(A)以電壓表量其開路電壓　 (B)以電流表量其短路電流　 (C)以歐姆表量其接觸電阻　 (D)以瓦特計量所耗之功率。

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2. 下列英文何者代表發光二極體？　(107年度考題)　

(A)CdS　 (B)LED　 (C)LCD　 (D)FET。

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3. 下列何種材料之導電率γ被訂為100%？　(107年度考題)　

(A)純銀　 (B)純鋼　 (C)標準軟銅　 (D)金。

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4. 有一收音機須用5V電源供應，消耗功率為0.2W，則此收音機的等效輸入電阻為？　(107年度考題)　

(A)1Ω　 (B)25Ω　 (C)50Ω　 (D)125Ω。

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5. 有一抽水馬達輸入功率為600W，若其效率為70%，試求其損失為多少瓦特？　(107年度考題)　

(A)100　 (B)180　 (C)160　 (D)280。

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6. 一般交流電壓表所顯示之數值為？　(107年度考題)　

(A)最大值　 (B)峰對峰值　 (C)平均值　 (D)有效值。

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7. 平衡三相交流系統中，各相電壓的相位相差為？　(107年度考題)　

(A)180°　 (B)120°　 (C)60°　 (D)0°。

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8. 某一原子含有13個質子、15個電子，該原子含電量約為？　(107年度考題)　

(A)6.25×10¹⁸庫倫　 (B)6.25×10^－¹⁸庫倫　 (C)－3.2×10^－¹⁹庫倫　 (D)＋1.6×10^－¹⁹庫倫。

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9. 如圖所示之電路，試計算轉換後之等效電流源I_T＝？
　(107年度考題)　

(A)－4A　 (B)－2A　 (C)2A　 (D)4A。

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10. 已知某電容值為50μF，若將其金屬板邊長加倍，距離也加倍，試求其電容量為多少？　(107年度考題)　

(A)12.5μF　 (B)25μF　 (C)100μF　 (D)200μF。

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11. 如圖所示之電路，則流經6Ω之電流為？
　(107年度考題)　

(A)10A向右　 (B)9A向左　 (C)6A向右　 (D)6A向左。

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12. 試求圖中A、B兩端點間的等效電阻。
　(107年度考題)　

(A)10Ω　 (B)20Ω　 (C)25Ω　 (D)36Ω。

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13. 如圖所示之電路，8V電池之電功率為？
　(107年度考題)　

(A)消耗4W　 (B)供應4W　 (C)供應8W　 (D)消耗8W。

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14. 電壓表可以藉由_電阻來擴大量測範圍，電流表可以藉由_電阻來擴大量測範圍。以上空格應為：　(107年度考題)　

(A)串聯、串聯　 (B)串聯、並聯　 (C)並聯、並聯　 (D)並聯、串聯。

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15. 將4個16歐姆電阻並聯接於12V之電壓，下列何者錯誤？　(107年度考題)　

(A)總電阻小於16Ω　 (B)總消耗功率為36W　 (C)總阻值為4Ω　 (D)各分支電流為3A。

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16. 手機在使用4G網路時消耗功率為0.5W，其電池額定5V，1000mAh，在充飽電之情況下手機連接4G網路可連續使用幾小時？　(107年度考題)　

(A)10　 (B)6　 (C)2　 (D)4。

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17. 已知電木的介質強度為130KV/cm，面對高電壓345KV不至於發生絕緣失效的最小距離為多少cm？　(107年度考題)　

(A)3.5　 (B)10　 (C)11.5　 (D)2.65。

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18. 如圖之電路，若SW ON形成充電電路，達穩定狀態後電容兩端電壓為多少伏特？
　(107年度考題)　

(A)10　 (B)90　 (C)40　 (D)30。

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19. 某單相交流電路，已知負載實功率消耗P＝12KW、虛功率Q＝16KVAR，則該電路之功率因數為？　(107年度考題)　

(A)0.6　 (B)0.707　 (C)1　 (D)0.8。

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20. 當RLC串聯電路發生諧振，此時諧振頻率f₀為？　(107年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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21. 某單相交流電路：V(t)＝120cos（200t－30°），I(t)＝100sin（200t－30°）相位關係　(107年度考題)　

(A)V超前I 60°　 (B)V落後I 90°　 (C)V超前I 90°　 (D)V落後I 60°。

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22. 如圖之電路，求點V_x電壓？
　(107年度考題)　

(A)－14V　 (B)14V　 (C)28V　 (D)－28V。

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23. 在一個250匝的線圈上，通以10安培電流產生0.02韋伯之磁通量，則此線圈之電感量為多少亨利？　(107年度考題)　

(A)0.5　 (B)5　 (C)10　 (D)20。

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24. 有一電壓表，內阻為2.5KΩ，滿刻度電流為2mA：欲改接成可測量20V電壓則須多接上電阻多少KΩ？　(107年度考題)　

(A)2.5　 (B)5　 (C)7.5　 (D)6。

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25. 皮卡丘在台南遊玩手機沒電需充電時，TPC所供應之電源頻率為？　(107年度考題)　

(A)50Hz方波　 (B)50Hz三角波　 (C)60Hz脈波　 (D)60Hz正弦波。

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26. 若電晶體工作於作用區且其α＝0.98，基極電流I_B＝0.05mA，則射極電流為多少？　(107年度考題)　

(A)1mA　 (B)2.5mA　 (C)3.8mA　 (D)5mA。

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27. 某矽二極體之PN接面於25°C時，其逆向飽和電流為5nA，當此PN接面溫度上升至55°C時，則其逆向飽和電流為何？　(107年度考題)　

(A)60nA　 (B)48nA　 (C)40nA　 (D)32nA。

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28. 如圖電路，V_z＝10V，最大額定功率為500mW。若負載電阻R_L兩端電壓要維持在10V，則R_L之範圍為何？
　(107年度考題)　

(A)100Ω～200Ω　 (B)200Ω～400Ω　 (C)300Ω～500Ω　 (D)400Ω～1000Ω。

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29. 如圖所示之理想二極體電路，其輸出輸入電壓的轉移曲線為何？
　(107年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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30. 如圖電路，二極體為理想二極體，其穩態輸出電壓範圍為何？
　(107年度考題)　

(A)－4V～＋6V　 (B)－8V～＋6V　 (C)－6V～＋8V　 (D)－6V～＋4V。

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31. 如圖所示之電路，電晶體β＝100，V_BE＝0.7V，R₁＝60kΩ，R₂＝40kΩ，R_C＝1kΩ，R_E＝1kΩ，則I_C之值約為何？
　(107年度考題)　

(A)5.2mA　 (B)4.8mA　 (C)4.1mA　 (D)3.3mA。

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32. 如圖所示電路，電晶體β＝100，V_BE＝0.7V，請問V_CE的電壓為何？
　(107年度考題)　

(A)1.4V　 (B)3.4V　 (C)8V　 (D)8.7V。

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33. 如圖電路，試求電路的β值為何？
　(107年度考題)　

(A)150　 (B)188　 (C)200　 (D)250。

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34. 如圖的電晶體開關電路且β＝50，V_BE＝0.7V，試求R_B的最大值為何？
　(107年度考題)　

(A)40kΩ　 (B)50kΩ　 (C)80kΩ　 (D)250kΩ。

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35. 如圖電路所示，V_P＝－4V，I_DSS＝4mA，試求V_GS為何？
　(107年度考題)　

(A)－3V　 (B)3V　 (C)－2V　 (D)2V。

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36. 某電阻色碼之電阻範圍為9500Ω至10500Ω之間，則其色環依序為？　(107年度考題)　

(A)棕黑橙金　 (B)棕黑黑白　 (C)棕黑黑銀　 (D)白綠黑金。

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37. 圖運算放大器電路，請問輸出電壓是多少？
　(107年度考題)　

(A)－4　 (B)2　 (C)－6　 (D)6。

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38. 圖的555振盪電路，當開關按下之後LED約亮多少秒後又熄滅？
　(107年度考題)　

(A)1.1　 (B)2.2　 (C)2.8　 (D)6.93。

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39. 圖所示的史密特觸發電路，其磁滯電壓約為多少？
　(107年度考題)　

(A)2　 (B)3　 (C)4　 (D)6。

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40. 如圖運算放大電路，求電壓增益V_o/V_i約為何？
　(107年度考題)　

(A)－6　 (B)6　 (C)－8　 (D)8。

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41. 有一標示為103J的電容器，其電容量（不含誤差）為：　(107年度考題)　

(A)103μF　 (B)0.0103μF　 (C)1.03μF　 (D)0.01μF。

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42. 各級電壓增益皆大於1之串級放大電路，若級數越多則：　(107年度考題)　

(A)增益越大且頻寬越大　 (B)增益越大且頻寬越小　 (C)增益越小且頻寬越大　 (D)增益越小且頻寬越小。

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43. 如圖所示之電路，電晶體的β＝100，V_CE＝5V，V_BE＝0.7V，則R_B值約為何？
　(107年度考題)　

(A)87kΩ　 (B)101kΩ　 (C)65kΩ　 (D)43kΩ。

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44. 有一RLC串聯電路，電路元件為R＝2Ω，L＝2μH，C＝50pF，試求電路在諧振時之品質因數Q為？　(107年度考題)　

(A)10　 (B)1　 (C)1000　 (D)100。

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45. 如圖所示電路，求電阻R＝？
　(107年度考題)　

(A)9Ω　 (B)4Ω　 (C)14Ω　 (D)6Ω。

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46. 圖所示的電路，下列選項何者正確？
　(107年度考題)　

(A)若V_S＝＋10V則V_O＝＋10V　 (B)若V_S＝＋6V則V_O＝＋8V　 (C)若V_S＝＋1V則V_O＝－0.75V　 (D)若V_S＝－1V則V_O＝－0.4V。

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47. 如圖所示電路，運算放大器之開路增益100dB，則可產生正飽和的最小輸入電壓為多少？
　(107年度考題)　

(A)1.5mV　 (B)15mV　 (C)150μV　 (D)150mV。

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48. 如圖所示電路，求ab兩端的等效電阻R_ab為何？
　(107年度考題)　

(A)9Ω　 (B)3Ω　 (C)12Ω　 (D)6Ω。

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49. 一串級放大電路，已知第一級電壓增益為20dB，第二級電壓增益為20倍，若此串級放大電路輸入電壓V_i為10μV時，則輸出電壓V_o為多少？　(107年度考題)　

(A)200μV　 (B)400μV　 (C)2mV　 (D)4mV。

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50. 如圖所示之二極體電路，若二極體之導通電壓為0.7V，則輸出電壓值V_o為何？
　(107年度考題)　

(A)4.7V　 (B)3.7V　 (C)10V　 (D)6.7V。

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51. 若二極體工作電壓0.7V，電流2mA、ηV_T＝26mV，請問二極體的交流動態電阻是多少？　(108年度考題)　

(A)13Ω　 (B)26Ω　 (C)6.5Ω　 (D)4.3Ω。

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52. 如圖所示電路，V_Z＝10V，最大額定功率為200mW。若負載電阻R_L＝200Ω，且負載兩端電壓要維持在10V，請問輸入電壓V_i為何？
　(108年度考題)　

(A)16V　 (B)21V　 (C)25V　 (D)31V。

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53. 如圖所示電路，電晶體偏壓電路，若電晶體β＝100，求電晶體的集極電流約為多少？
　(108年度考題)　

(A)1mA　 (B)0.84mA　 (C)0.70mA　 (D)0.5mA。

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54. 已知FET的g_m＝4mA/V，r_d＝10kΩ，則其放大因數μ是多少？　(108年度考題)　

(A)10　 (B)20　 (C)30　 (D)40

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55. 有關理想電壓隨耦器之特性，下列何者錯誤？　(108年度考題)　

(A)電壓增益接近1　 (B)電流增益接近1　 (C)輸入阻抗無窮大　 (D)輸出阻抗等於零。

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56. 電晶體被設計為線性放大器時，應操作於：　(108年度考題)　

(A)主動區　 (B)崩潰區　 (C)飽和區　 (D)截止區。

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57. 如圖所示電路，C₁之主要功能為何？
　(108年度考題)　

(A)隔離交流訊號　 (B)提高輸入阻抗　 (C)隔離直流偏壓　 (D)消除雜訊。

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58. 如圖所示之電流波形，其頻率為何？
　(108年度考題)　

(A)250Hz　 (B)200Hz　 (C)500Hz　 (D)50Hz。

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59. 依照積體電路的邏輯閘數由多至少排列，下列何者正確？　(108年度考題)　

(A)ULSI＞SSI＞MLSI＞VLSI＞LSI　 (B)LSI＞VLSI＞ULSI＞MSI＞SSI　 (C)ULSI＞VLSI＞LSI＞SSI＞MSI　 (D)ULSI＞VLSI＞LSI＞MSI＞SSI。

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60. 在本質半導體中，若想要成為P型半導體，則需要摻入下列何種雜質？　(108年度考題)　

(A)銦（In）　 (B)砷（As）　 (C)銻（Sb）　 (D)磷（P）。

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61. 稽納二極體（Zener Diode）的功能，最常應用於何種電路？　(108年度考題)　

(A)積分電路　 (B)微分電路　 (C)穩壓電路　 (D)反向電路。

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62. 電晶體電路中，若當I_B＝3mA時，I_C＝90mA，求此電晶體中的γ為多少？　(108年度考題)　

(A)30　 (B)31　 (C)32　 (D)34。

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63. 若將電晶體當為開關使用時，是在哪些區域操作？　(108年度考題)　

(A)只在截止區　 (B)飽和區與作用區　 (C)飽和區與截止區　 (D)截止區與作用區。

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64. 假設某一放大電路之輸出電壓為10V，輸入電壓為100mV，則此電壓增益放大倍率為多少？　(108年度考題)　

(A)10分貝　 (B)20分貝　 (C)40分貝　 (D)60分貝。

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65. 如圖所示電路，V_i1＝10V、V_i2＝4V，飽和輸出電壓為±15V，求V_o為多少？
　(108年度考題)　

(A)12V　 (B)－12V　 (C)15V　 (D)－15V。

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66. PN半導體接合後，靠近接合面處，P側半導體電性為何？　(108年度考題)　

(A)帶正電　 (B)帶負電　 (C)電中性　 (D)依摻雜而不同。

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67. 如圖所示電路，V_i＝15sinωt，圖中二極體皆為理想，則V_o之最大振幅為？
　(108年度考題)　

(A)3V　 (B)6V　 (C)15V　 (D)0V。

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68. 在矽晶圓中加入硼（Boron，B）元素，下列敘述何者錯誤？　(108年度考題)　

(A)整體帶正電　 (B)多數載子為電洞　 (C)成為外質半導體　 (D)導電率增加。

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69. 二極體截波電路如圖所示，假設D為理想二極體，則使用示波器量測到的V_o近似波形為何？
　(108年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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70. 有關BJT共射極（CE）、共集極（CC）和共基極（CB）基本組態放大電路特性之比較，何者正確？　(108年度考題)　

(A)輸入阻抗：CB＞CE＞CC　 (B)輸出阻抗：CE＞CC＞CB　 (C)電壓增益：CB＞CE＞CC　 (D)輸出與輸入信號之相位關係：CC和CB為反相，CE為同相。

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71. 欲以指針式三用電表量測BJT之β，需切至“h_fe”檔，此檔就是歐姆檔的：　(108年度考題)　

(A)×1　 (B)×10　 (C)×1k　 (D)×10k。

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72. 如圖所示之元件符號，試問此元件符號應為：
　(108年度考題)　

(A)N通道增強型MOSFET　 (B)P通道增強型MOSFET　 (C)N通道空乏型MOSFET　 (D)P通道空乏型MOSFET。

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73. 有關BJT各極寬度何者正確？　(108年度考題)　

(A)E＞B＞C　 (B)B＞E＞C　 (C)C＞B＞E　 (D)C＞E＞B。

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74. 下列關於BJT之增益α、β何者正確？　(108年度考題)　

(A)β＝

　 (B)β＝

　 (C)α＝

　 (D)α＝

。

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75. 如圖所示電路，輸出電壓V_out為多少伏特？
　(108年度考題)　

(A)＋8　 (B)－8　 (C)＋5　 (D)－5。

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76. 在N型半導體中，導電的多數載子為何？　(109年度考題)　

(A)離子　 (B)電子　 (C)中子　 (D)電洞。

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77. 請問稽納二極體的符號為何？　(109年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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78. 半波整流電路輸出電壓的平均值為峰值的幾倍？　(109年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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79. 通電中之雙極性電晶體B-E射基接面為順向偏壓且B-C集基接面為順向偏壓，則此電晶體工作區域為何？　(109年度考題)　

(A)空乏區　 (B)截止區　 (C)飽和區　 (D)作用區。

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80. N通道增強型MOSFET欲使之導通，則閘極電壓（V_GS）應加何種偏壓？　(109年度考題)　

(A)0V　 (B)負電壓　 (C)小於臨界電壓V_T之正電壓　 (D)大於臨界電壓V_T之正電壓。

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81. 串級放大電路若串接級數愈多，則頻寬將如何變化？　(109年度考題)　

(A)變窄　 (B)變寬　 (C)不變　 (D)視電路情況而定。

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82. 差動放大器共模拒斥比（CMRR）愈大，則下列敘述何者正確？　(109年度考題)　

(A)愈不易消除雜訊　 (B)愈易消除雜訊　 (C)該差動放大器愈差　 (D)A_d愈小，A_c愈大。

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83. 箝位電路之主要作用為何？　(109年度考題)　

(A)調整直流位準　 (B)濾波　 (C)整流　 (D)整數倍放大輸入信號。

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84. 如圖所示電路，假設二極體D₁與D₂之切入電壓V_r＝0.7V、順向電阻R_f＝200Ω、及逆向電阻R_r＝∞，電路中之R_S＝1.8kΩ及R_L＝12kΩ，當V₁＝V₂＝2V，請問V_o為多少？
　(109年度考題)　

(A)0.15V　 (B)1.8V　 (C)0.1V　 (D)1.2V。

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85. 如圖所示電路中，欲使I_Z＝6mA，則R值應為多少？
　(109年度考題)　

(A)2KΩ　 (B)2.5KΩ　 (C)3KΩ　 (D)4KΩ。

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86. 如圖所示電路，假設二極體均為理想二極體，當輸入交流電壓V_in(t)正半週時，請問二極體的狀態，下列敘述何者正確？
　(109年度考題)　

(A)D₁、D₃導通，D₂、D₄不導通　 (B)D₂、D₄導通，D₁、D₃不導通　 (C)D₁、D₄導通，D₂、D₃不導通　 (D)D₂、D₃導通，D₁、D₄不導通。

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87. 有一電源供應器，在未加負載時電壓為20伏特，加上100歐姆負載後電壓變為16伏特，則其電壓調整率為多少？　(109年度考題)　

(A)11%　 (B)20%　 (C)25%　 (D)44%。

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88. 如圖所示射極放大電路，C_E之作用為何？
　(109年度考題)　

(A)濾去電源漣波　 (B)提高電壓增益　 (C)防止短路　 (D)阻止直流電通過。

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89. 當NPN電晶體操作於工作區（Action Region）模式下，則此NPN電晶體三端（E、B、C）之電壓大小關係為何？　(109年度考題)　

(A)V_E＞V_B＞V_C　 (B)V_B＞V_C＞V_E　 (C)V_C＞V_E＞V_B　 (D)V_C＞V_B＞V_E。

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90. 如圖所示達令頓電路，其電流增益的近似值為多少？
　(109年度考題)　

(A)30　 (B)60　 (C)900　 (D)1。

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91. 達令頓（Darlington）電路具有何種特性？　(109年度考題)　

(A)低輸入阻抗及大電流增益　 (B)高輸入阻抗及大電流增益　 (C)低輸入阻抗及大電壓增益　 (D)高輸入阻抗及小電流增益。

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92. 一正弦波通過全波整流電路，假設輸入頻率為f_i，則輸出信號之週期等於多少？　(109年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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93. 有一矽二極體，在25°C時的逆向飽和電流為2nA，當溫度升高至65°C時其逆向飽和電流為多少？　(109年度考題)　

(A)16nA　 (B)64nA　 (C)32nA　 (D)8nA。

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94. 如圖所示倍壓器電路，若D₁、D₂為理想二極體，則輸出電壓V_o為多少？
　(109年度考題)　

(A)200V　 (B)－141V　 (C)141V　 (D)－200V。

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95. 如圖所示電路及電晶體之特性曲線，假設電晶體原來的工作點為Q點，則當R_B電阻值變大時，其新的工作點應近似於哪一點？
　(109年度考題)　

(A)A點　 (B)B點　 (C)C點　 (D)D點。

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96. 如圖所示電路，其小信號等效輸出阻抗Z_o最接近下列何值？（熱當電壓V_T＝26mV）
　(109年度考題)　

(A)7.5Ω　 (B)17.5Ω　 (C)27.5Ω　 (D)37.5Ω。

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97. 如圖所示電路，若R₁＝R₂＝R₃＝100Ω，試求輸出電壓V_o之值？
　(109年度考題)　

(A)－6V　 (B)－3.5V　 (C)－4.5V　 (D)－5.5V。

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98. 具電流放大，不具電壓放大的電晶體組態電路為何？　(109年度考題)　

(A)共基極電路　 (B)共射極電路　 (C)共集極電路　 (D)共陽極電路。

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99. 量測方波之降落時間（fall time）何者正確？　(109年度考題)　

(A)波形前緣峰值幅度的10%至90%所經過的時間　 (B)波形前緣峰值幅度的5%至90%所經過的時間　 (C)波形前緣峰值幅度的5%至95%所經過的時間。　 (D)波形後緣峰值幅度的90%至10%所經過的時間。

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100. 若電晶體BJT之α值為0.96，則β係數值為何？　(109年度考題)　

(A)12　 (B)24　 (C)36　 (D)48。

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101. 下列何者為運算放大器的編號？　(110年度考題)　

(A)C106B　 (B)1N4001　 (C)2SC1815　 (D)μA741。

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102. 樞密特觸發電路之輸出波形為何？　(110年度考題)　

(A)方波　 (B)正弦波　 (C)三角波　 (D)鋸齒波。

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103. 如圖所示，為電晶體的符號表示法，其中a、b、c三個端子依序分別表示電晶體的：
　(110年度考題)　

(A)射極、基極、集極　 (B)基極、集極、射極　 (C)集極、射極、基極　 (D)基極、射極、集極。

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104. 電晶體共射極（Common Emitter）放大器特性測試實驗所得到的輸入特性曲線為何？　(110年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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105. 如圖所示之達靈頓（Darlington）電路，下列敘述何者錯誤？
　(110年度考題)　

(A)Q₁與Q₂之連接屬於直接耦合　 (B)輸入阻抗極高　 (C)輸出阻抗極低　 (D)電流增益約為1。

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106. dBm之定義是：1毫瓦的功率消耗在多少電阻上之值？　(110年度考題)　

(A)100Ω　 (B)500Ω　 (C)600Ω　 (D)1000Ω。

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107. 如圖所示，此曲線為下列何種FET的I_D-V_GS特性曲線？（V_T為臨界電壓）
　(110年度考題)　

(A)N通道JFET　 (B)N通道空乏型MOSFET　 (C)P通道增強型MOSFET　 (D)N通道增強型MOSFET。

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108. 如圖所示之電路，為何種電路？
　(110年度考題)　

(A)石英晶體振盪器　 (B)穩壓電路　 (C)非反相放大器　 (D)樞密特觸發器（Schmitt trigger）。

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109. 電晶體放大電路h參數之敘述，下列何者正確？　(110年度考題)　

(A)h_i是從信號輸入端看進去的交流等效電阻　 (B)h_f是逆向電壓增益　 (C)h_f是順向電壓增益　 (D)h_o是從信號輸出端看進去的交流等效電阻。

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110. 在P型半導體中，傳導電流的主要載子為何？　(110年度考題)　

(A)電子　 (B)離子　 (C)電洞　 (D)質子。

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111. 半導體的原子結構中，最外層軌道上的電子數為多少？　(110年度考題)　

(A)少於4個　 (B)等於4個　 (C)多於4個　 (D)依材料而定。

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112. 稽納二極體常應用於何種電路？　(110年度考題)　

(A)放大電路　 (B)濾波電路　 (C)整流電路　 (D)穩壓電路。

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113. PN接面二極體，欲使其達到順向偏壓導通，則其外加電壓極性何者正確？　(110年度考題)　

(A)P加正極，N加正極　 (B)P加負極，N加正極　 (C)P加正極，N加負極　 (D)P加負極，N加負極。

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114. 欲使鍺或矽形成N型半導體，應加入之雜質為何？　(110年度考題)　

(A)三價元素　 (B)四價元素　 (C)五價元素　 (D)六價元素。

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115. NPN電晶體若欲工作在作用區（active region）則：　(110年度考題)　

(A)基射接面需順偏，基集接面需順偏　 (B)基射接面需順偏，基集接面需反偏　 (C)基射接面需反偏，基集接面需順偏　 (D)基射接面需反偏，基集接面需反偏。

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116. 電晶體電路中，在正常情況下若將電晶體當成開關，當OFF狀態時，其工作區域為：　(110年度考題)　

(A)線性工作區　 (B)截止區　 (C)飽和區　 (D)負電阻區。

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117. 如圖所示之電路，屬於下列何種偏壓電路？
　(110年度考題)　

(A)固定偏壓電路　 (B)集極回授偏壓電路　 (C)射極回授偏壓電路　 (D)基極分壓偏壓電路。

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118. 二極體逆向偏壓愈大，則空乏區寬度的變化情形，下列何者正確？　(110年度考題)　

(A)變大　 (B)變小　 (C)不變　 (D)不一定。

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119. 設有一放大器之輸入功率為100mW，輸出功率為10W，則其功率增益為多少分貝？　(110年度考題)　

(A)40dB　 (B)20dB　 (C)30dB　 (D)10dB。

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120. 如圖所示電路，為何種濾波器電路？
　(110年度考題)　

(A)低通濾波器　 (B)高通濾波器　 (C)帶通濾波器　 (D)帶拒濾波器。

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121. 增強型P通道絕緣閘MOSFET的符號為何？　(110年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

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122. 如圖所示之電路符號，為何種電子元件？
　(110年度考題)　

(A)JFET　 (B)N通道空乏型MOSFET　 (C)N通道增強型MOSFET　 (D)P通道空乏型MOSFET。

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123. 大型積體電路LSI是指在一個晶片上所含零件數為何？　(110年度考題)　

(A)100個以下　 (B)100～1000個　 (C)1000～10000個　 (D)10000個以上。

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124. 下列電子元件中，何者是靠單一種載子來傳導電流？　(110年度考題)　

(A)雙極性電晶體　 (B)發光二極體　 (C)稽納二極體　 (D)場效電晶體。

中油公司考古題 電子概論 (收錄107年~110年歷屆試題,每次隨機抽取50題)

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申論題型

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