國營事業考古題,1.電路學2.電子學 (收錄102~111年歷屆試題,每次隨機抽取50題)-愛舉手

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1. 如【圖1】之電路，其負載R_L＝1kΩ。若將框選區域改為戴維寧等效電路，則框選區域內之戴維寧等效電壓源為何？
　(102年度考題)　

(A)6.4V　 (B)8V　 (C)10V　 (D)12V。

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2. 如【圖1】之電路，其負載R_L＝1kΩ。若框選區域內改為諾頓等效電路，則諾頓等效電流源為何？
　(102年度考題)　

(A)1.6mA　 (B)2mA　 (C)2.4mA　 (D)4mA。

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3. 有一週期性之半波電壓，其波峰值為Vm，如【圖2】，則其有效值Vrms為何？
　(102年度考題)　

(A)

Vm　 (B)

Vm　 (C)

Vm　 (D)

Vm。

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4. 有一視在功率S＝20kVA，PF＝0.6 lagging的負載，外接100V、50Hz之電源。若想將其功率因數提升至0.8 lagging，則需在原電路中如何作才能達成？　(102年度考題)　

(A)串聯2228μF之電容　 (B)並聯2228μF之電容　 (C)串聯3714μF之電容　 (D)並聯3714μF之電容。

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5. 有一視在功率S＝20kVA，PF＝0.6 lagging的負載，外接100V、50Hz之電源。功率因數提升至0.8 lagging後，線路損失減少多少%？　(102年度考題)　

(A)35%　 (B)44%　 (C)51%　 (D)65%。

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6. 如【圖3】之電路，Vi(t)＝10sin2tV，求其功率因數大約為何？
　(102年度考題)　

(A)0.5　 (B)0.6　 (C)0.7　 (D)0.8。

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7. 有一電壓v(t)＝Vmsinωt，當其串聯一純電阻後，則其瞬時功率會包含下列何種頻率？　(102年度考題)　

(A)

　 (B)

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8. 一個R、L、C互相並聯之電路，R＝6Ω，L＝7H，C＝F。求其共振頻率ω₀？　(102年度考題)　

(A)1rad/s　 (B)

rad/s　 (C)2rad/s　 (D)

rad/s。

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9. 一個R、L、C互相並聯之電路，R＝6Ω，L＝7H，C＝F。此電路會出現下列何種現象？　(102年度考題)　

(A)underdamping　 (B)critical damping　 (C)overdamping　 (D)undamping。

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10. 將i(t)＝－5sin（377t－110°）A轉換為相量表示，則應為下列何者？　(102年度考題)　

(A)5∠－20°A　 (B)5∠160°A　 (C)5∠－70°A　 (D)5∠110°A。

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11. 一個功率2hp的馬達，連續運轉一小時可傳送約多少能量？（1hp＝746W）　(102年度考題)　

(A)10.33kJ　 (B)89.52kJ　 (C)5.37MJ　 (D)6.56MJ。

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12. 有一電路如【圖4】，假如R_L欲達到吸收最大功率之效果，則R_L值應該為何？
　(102年度考題)　

(A)4Ω　 (B)6Ω　 (C)12Ω　 (D)20Ω。

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13. 有一電路如【圖4】，假如R_L欲達到吸收最大功率之效果，R_L吸收之最大功率為何？
　(102年度考題)　

(A)27W　 (B)28W　 (C)35W　 (D)36W。

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14. 函數f(t)＝cos(at)經拉普拉斯轉換後，F(s)＝？　(102年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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15. 有一電路圖如【圖5】，求i(0^－)＝？
　(102年度考題)　

(A)0A　 (B)1A　 (C)2A　 (D)5A。

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16. 有一電路圖如【圖5】，求i(0^＋)＝？
　(102年度考題)　

(A)0A　 (B)1A　 (C)2A　 (D)5A。

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17. 有2具馬達分別以Y接、△接運轉，在相同線電壓V_?下，Y接線各相間、△接線各線間之電阻相同，如【圖6】。此時△接線之馬達輸出功率為Y接線之馬達輸出功率的幾倍？
　(102年度考題)　

(A)

　 (B)

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18. 相同線電壓V_?下，各有一單相負載與平衡三相負載，線路之電阻皆為R，如【圖7】。若單相與三相負載之實功率、功率因數皆相同時，此時三相電力系統線損為單相系統線損的幾倍？
　(102年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)2。

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19. 某耦合電路中有兩個相互靠近之電感，其中一側之自感量L₁＝28mH，另一次側之自感量L₂＝7mH，兩電感間之互感量M＝7mH。則電路之耦合係數k為何？　(102年度考題)　

(A)0.25　 (B)0.5　 (C)2　 (D)5。

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20. 有一電路如【圖8】，其電壓V₁之大小為何？
　(102年度考題)　

(A)2V　 (B)3V　 (C)4V　 (D)5V。

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21. 霍爾效應（Hall effect）使用在半導體測試中，主要用來決定下列何者？　(102年度考題)　

(A)半導體內電流　 (B)半導體型式（n或p）　 (C)半導體內磁場　 (D)半導體溫度。

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22. 在頻率響應波德圖（Bode plot）中，特性曲線的斜率為6dB/octave相當於A dB/decade，則A的值為下列何者？　(102年度考題)　

(A)10　 (B)12　 (C)20　 (D)24。

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23. 負回授放大器的優點中，下列何者有誤？　(102年度考題)　

(A)輸入電阻可增大　 (B)輸出電阻可增大　 (C)頻率響應可改善　 (D)線性度可改善。

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24. 由CMOS FET組成傳輸閘（Transmission Gate）時，組成元件為下列何者？　(102年度考題)　

(A)只有NMOS　 (B)只有PMOS　 (C)NMOS＋PMOS　 (D)JFET。

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25. ECL（Emitter-Coupled Logic）電晶體邏輯閘的優缺點中，下列何者敘述有誤？　(102年度考題)　

(A)雜訊邊界大　 (B)可以有互補輸出　 (C)輸出可直接連結Wired-OR　 (D)Fan-out數有限。

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26. 如【圖9】所示的電路作用為下列何者？
　(102年度考題)　

(A)積分器　 (B)微分器　 (C)限制器　 (D)整流器。

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27. 下列何者的電流並聯負回授放大器特性敘述有誤？　(102年度考題)　

(A)輸入阻抗降低　 (B)非線性失真度降低　 (C)輸出阻抗降低　 (D)頻寬增加。

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28. BJT電晶體的作用區域分為工作區、飽和區及截止區，在飽和區的集極與射集接面偏壓敘述，下列何者正確？　(102年度考題)　

(A)皆為逆向偏壓　 (B)皆為順向偏壓　 (C)集極為順向偏壓，射極為逆向偏壓　 (D)集極為逆向偏壓，射極為順向偏壓。

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29. 如【圖10】所示之FET邏輯電路，輸出Y與下列何者邏輯運算結果相符？
　(102年度考題)　

(A)AB＋CD　 (B)AC＋BD　 (C)

　 (D)

。

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30. B類功率放大器之轉換效率最佳，下列何者是其最大可能轉換效率值？　(102年度考題)　

(A)75%　 (B)78.5%　 (C)82.5%　 (D)100%。

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31. 如【圖11】所示為低通電路，假設輸入電阻為1KΩ，高3dB頻率為1KHz，DC增益為40 dB，則C₁為下列何者？
　(102年度考題)　

(A)1/π nF　 (B)2/π nF　 (C)10/π nF　 (D)10/(2π) nF。

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32. BJT電晶體放大器組態中，下列何者最適合做為阻抗匹配器？　(102年度考題)　

(A)共集極　 (B)共基極　 (C)共射集　 (D)共閘極。

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33. 如【圖12】所示之濾波器電路作用為下列何者？
　(102年度考題)　

(A)低通　 (B)帶通　 (C)高通　 (D)全通。

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34. 串級（Cascade）電晶體組態中，為求得最大電壓增益，通常使用下列何者放大器組態作為第二級放大器？　(102年度考題)　

(A)共集極　 (B)共基極　 (C)共射集　 (D)共源極。

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35. 如【圖13】所示為一零交越偵測器（Zero-crossing Detector），其中Vi為正弦波，則Vo波形為下列何者？
　(102年度考題)　

(A)正弦波　 (B)方波　 (C)三角波　 (D)脈衝波。

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36. 差動放大器中差動信號增益為Ad，共模信號增益為Ac，則共模拒斥比（CMRR）為下列何者？　(102年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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37. 在一單純RC低通濾波器中，R＝2/πKΩ，C＝1μF，其截止頻率為下列何者？　(102年度考題)　

(A)7.958Hz　 (B)25Hz　 (C)79.58Hz　 (D)250Hz。

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38. 二極體截波電路（diode clipping circuit）如【圖14】所示，二極體為理想二極體，當輸入電壓Vi為正弦波時，則輸出電壓Vo波形為下列何者（實線）？
　(102年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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39. 有關負回授放大器的穩定性敘述，下列何者有誤？　(102年度考題)　

(A)gain margin為負值則不穩定　 (B)如1＋Aβ的零點皆在複數頻率平面的左邊則穩定　 (C)暫態干擾影響會漸漸消失則穩定　 (D)phase margin為負值則不穩定。

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40. 在以示波器測試及調整放大器的輸出波形時，通常輸入下列何者較適用？　(102年度考題)　

(A)正弦波　 (B)三角波　 (C)方波　 (D)脈衝波。

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41. 某負載兩端之電壓為V(t)＝60sin（t＋30°）＋80sin（3t＋60°）V，流經之電流i(T)＝3sin（t－30°）＋4sin（3t＋30°）A。則負載吸收之實功率為何？　(102年度考題)　

(A)157.9W　 (B)183.6W　 (C)315.9W　 (D)367.1W。

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42. 某負載兩端之電壓為V(t)＝60sin（t＋30°）＋80sin（3t＋60°）V，流經之電流i(T)＝3sin（t－30°）＋4sin（3t＋30°）A。此負載之功率因數（PF）為何？　(102年度考題)　

(A)0.73　 (B)0.83　 (C)0.85　 (D)0.92。

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43. 有一電路如【圖15】，求A、B兩點間之等效電容C_AB＝？
　(102年度考題)　

(A)5.1μF　 (B)6.2μF　 (C)7.4μF　 (D)8.3μF。

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44. 有一電路如【圖16】，求電容所儲存之能量Wc(t)為何？
　(102年度考題)　

(A)10^－³sin²πtJ　 (B)10^－²sin²πtJ　 (C)10^－³cos²πtJ　 (D)10^－²cos²πtJ。

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45. 有一電路如【圖16】，電容之儲存能量在幾秒時達到最大值？
　(102年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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46. 有一電路如【圖17】，i(t)＝？
　(102年度考題)　

(A)12sin（40t－53°）A　 (B)12cos（40t－53°）A　 (C)20sin（40t＋37°）A　 (D)20cos（40t＋37°）A。

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47. 有一電路如【圖18】，將兩端點內改為戴維寧等效電路，則等效電壓源為何？
　(102年度考題)　

(A)5V　 (B)6V　 (C)7V　 (D)8V。

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48. 有一電路如【圖18】，將兩端點內改為戴維寧等效電路，戴維寧等效電路之串聯阻抗為何？
　(102年度考題)　

(A)6kΩ　 (B)8kΩ　 (C)10kΩ　 (D)12kΩ。

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49. 有一電路如【圖19】，當0＜t＜1s時，i_L(t)＝？（t＝0前電路為穩態）
　(102年度考題)　

(A)3e^－^1.2tA　 (B)3e^－^1.5tA　 (C)5e^－^1.2tA　 (D)5e^－^1.5tA。

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50. 有一電路如【圖19】，當t＞1s時，i_L(t)＝？（t＝0前電路為穩態）
　(102年度考題)　

(A)3e^－^0.8．e^－^0.4tA　 (B)3e^－^1.5．e^－^0.4tA　 (C)6e^－^0.8．e^－^1.2tA　 (D)6e^－^1.5．e^－^1.2tA。

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51. 兩個不相互作用且上3dB頻率f_H皆相同的帶通濾波器作串級（Cascade）組態，則整個上3dB頻率f_A與f_H的比值為下列何者？　(102年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)1。

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52. 如【圖20】所示為一主動式共振帶通濾波器，假設其電壓增益－Ao＝50，中心頻率為160Hz，3dB頻寬為16Hz，C₁＝C₂＝0.1μF，則R₁為下列何者？
　(102年度考題)　

(A)2KΩ　 (B)2πKΩ　 (C)3KΩ　 (D)3πKΩ。

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53. 電流鏡電路如【圖21】所示，假設Q₁、Q₂及Q₃特性完全相同且β>>1及V_BE＝0.7V，如R＝2KΩ，則I_L為下列何者？
　(102年度考題)　

(A)7.5mA　 (B)10mA　 (C)14.3mA　 (D)28.6mA。

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54. 一轉換函數為A＝，且s₃＝10s₁＝100s₂，則主要極點（dominant pole）為下列何者？　(102年度考題)　

(A)s₁　 (B)s₂　 (C)s₃　 (D)2*s₁。

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55. FET場效電晶體相較於BJT電晶體的特性敘述，下列何者有誤？　(102年度考題)　

(A)FET是單極性裝置　 (B)FET具有高電流驅動能力　 (C)FET可作為對稱性的雙向開關　 (D)FET較無雜訊產生。

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56. 運算放大器電路如【圖22】所示，輸入電阻Rin為下列何者？
　(102年度考題)　

(A)－0.5R　 (B)－R　 (C)0.5R　 (D)R。

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57. 有一0.5W、2.5V的齊納二極體（Zener Diode），其最大電流為下列何者？　(102年度考題)　

(A)75mA　 (B)100mA　 (C)150mA　 (D)200mA。

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58. 有一穩壓電路如【圖23】所示，假設Q₁、Q₂電晶體的I_C＝I_E（I_B忽略），V_BE＝0.7V，則V_L為下列何者？
　(102年度考題)　

(A)6.3V　 (B)7V　 (C)11V　 (D)20V。

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59. 全波整流器的峰值負載電流值為Im時，則Irms值為下列何者？　(102年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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60. 移相振盪器如【圖24】所示，則其振盪頻率為下列何者？
　(102年度考題)　

(A)

rad/s　 (B)

rad/s　 (C)

rad/s　 (D)

rad/s。

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61. 有一電容器C＝5μF，其兩端電壓Vc＝30cos（2000t＋25°）V，求電容器之電抗值？　(103年度考題)　

(A)－40Ω　 (B)－60Ω　 (C)－80Ω　 (D)－100Ω。

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62. 有一電壓源V(t)＝20cos100tV供電給某負載，負載吸收之複功率S＝12＋j16VA。欲將其功率因數提升至0.8落後，則需並聯多大之電容？　(103年度考題)　

(A)125μF　 (B)250μF　 (C)350μF　 (D)550μF。

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63. 在下圖電路中，負載Z_L在特定值時可得到最大功率轉移，求Z_L可吸收之最大功率為？
　(103年度考題)　

(A)125W　 (B)280W　 (C)300W　 (D)600W。

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64. 求下圖電路中之i_a＝？
　(103年度考題)　

(A)0.1A　 (B)0.2A　 (C)0.3A　 (D)0.4A。

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65. 有一電壓源V(t)＝30＋10sin2tV，與R、L串聯，R＝3Ω、L＝2H。求電路所消耗之平均功率？　(103年度考題)　

(A)128W　 (B)306W　 (C)345W　 (D)410W。

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66. 下圖電路之電壓響應呈現臨界阻尼情況，則R值為？
　(103年度考題)　

(A)25Ω　 (B)50Ω　 (C)75Ω　 (D)100Ω。

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67. 函數f(t)＝e^－^atsinωt，經Laplace轉換後之F(s)＝？　(103年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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68. 有一電壓源V_rms＝500∠0°V，供電給一阻抗Z，其吸收之複功率S＝3000－j4000VA，則Z＝？　(103年度考題)　

(A)10∠37°Ω　 (B)10∠53°Ω　 (C)50∠37°Ω　 (D)50∠53°Ω。

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69. 在下圖電路中，求端點a-b看入之戴維寧等效電壓V_th＝？
　(103年度考題)　

(A)6V　 (B)12V　 (C)24V　 (D)36。

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70. 在下圖電路中，V_c˚(0^－)＝0V，t＝0時，開關閉合。若t＞0時，電源電壓V_i＝2V，電流i(t)＝4e^－^2tA，則電容C值為？
　(103年度考題)　

(A)0.5F　 (B)1F　 (C)2F　 (D)4F。

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71. 以奇數個反相器串接，再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端，可形成環型振盪器，該振盪器可產生何種穩定的波形信號？　(103年度考題)　

(A)三角鋸齒波　 (B)波形震盪最後發散　 (C)正弦波　 (D)方波信號。

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72. 如下圖方波波峰電壓為10V，於二極體端加上V_R＝5V時，當輸出方波在負半週時，V_o峰值電壓應為？
　(103年度考題)　

(A)－25V　 (B)－15V　 (C)5V　 (D)15V。

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73. 零點與極點概念中，發生極點之處，增益X，移相Y且極點之後每十倍頻增益Z，請依前述X，Y，Z依序填入正確敘述？　(103年度考題)　

(A)增加3dB，＋45度，增加10dB　 (B)衰減－6dB，－45度，增加20dB　 (C)衰減－3dB，－45度，下降20dB　 (D)增加3dB，＋45度，增加20dB。

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74. 比較晶體基本偏壓組態，下列敘述何者正確？　(103年度考題)　

(A)共閘極：輸入阻抗大，輸出阻抗小，輸入與輸出信號同相　 (B)共射極：電壓增益大，輸入與輸出信號反相　 (C)共汲極或稱源極隨耦器：輸入阻抗小，輸出阻抗大，輸入與輸出信號反相　 (D)達靈頓晶體：輸入阻抗大，輸出阻抗小，輸入與輸出信號反相。

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75. 如下圖限流保護電路，若Q₁、Q₂的β＝200，V_in＝12V，V_BE_，_active＝0.6V，輸出端至接續後級線路間可接上短路保護保險絲安培數為何？
　(103年度考題)　

(A)1A　 (B)1.5A　 (C)2A　 (D)3A。

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76. 如下圖為何種回授放大器？
　(103年度考題)　

(A)電流串聯負回授　 (B)電流並聯負回授　 (C)電壓並聯負回授　 (D)電壓串聯負回授。

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77. 如下圖精密半波整流電路，若R₁＝100kΩ，V_i(t)＝10sinωtV，若輸出電壓V₀平均值要達6.36V，則R₂＝？
　(103年度考題)　

(A)180kΩ　 (B)200kΩ　 (C)220kΩ　 (D)320kΩ。

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78. 下圖CMOS FET之邏輯電路是何種邏輯閘？
　(103年度考題)　

(A)NAND　 (B)XOR　 (C)OR　 (D)AND。

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79. 設若下圖電流鏡V_T1＝V_T2＝V_T3＝2V，β₁＝β₂＝β₃＝＝2mA/V²，且I₁＝1mA，試求V₂電壓＝？
　(103年度考題)　

(A)3V　 (B)4V　 (C)6V　 (D)12V。

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80. 下圖達靈頓電路中若每個晶體β＝150，R_E＝680Ω，則R_in輸入電阻為？
　(103年度考題)　

(A)680Ω　 (B)7.24MΩ　 (C)15.3MΩ　 (D)26.5MΩ。

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81. 有一RLC串聯電路如下圖，求電流相量I＝？
　(103年度考題)　

(A)10∠30˚A　 (B)10∠45˚A　 (C)20∠30˚A　 (D)20∠45˚A。

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82. 有一電路如下圖，求端點a-b看入之戴維寧等效電阻R_th＝？
　(103年度考題)　

(A)8Ω　 (B)16Ω　 (C)25Ω　 (D)36Ω。

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83. 有一電路如下圖，L₁＝4H，L₂＝2H，M＝1H。求端點a-b看入之等效電感？
　(103年度考題)　

(A)4H　 (B)6H　 (C)8H　 (D)10H。

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84. 有一電路如下圖，求V_b＝？
　(103年度考題)　

(A)－2V　 (B)－1V　 (C)2V　 (D)4V。

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85. 有一電壓源V(t)＝80＋40sin3tV，與R、L串聯，R＝8Ω、L＝2H。求此電路之功率因數？　(103年度考題)　

(A)0.82　 (B)0.88　 (C)0.92　 (D)0.98。

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86. 有一平衡三相負載之線電壓為600V，功率因數為0.6落後，消耗功率為360kW。送電端經輸電線送電至負載，輸電線每相之阻抗值為0.015＋j0.025Ω，求送電端之線電壓？　(103年度考題)　

(A)611V　 (B)620V　 (C)629V　 (D)638V。

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87. 有一電路如下圖，開關已閉合很久，然後在t＝0時打開。求i₀(t)＝？
　(103年度考題)　

(A)－5e^－^2tA　 (B)－8e^－^2tA　 (C)－5e^－^4tA　 (D)－8e^－^4tA。

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88. 有一R、L、C相互並聯而成之電路，未加任何電源，L＝1H，R、C皆為常數。已知t＞0時，電感之電流為i_L(t)＝e^－^2tsin4tA，求此電路之R＝？　(103年度考題)　

(A)2Ω　 (B)3Ω　 (C)4Ω　 (D)5Ω。

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89. 有一電路如下圖，電流源為δ(t)，C＝0.5F，R＝2Ω。求V_c(t)＝？
　(103年度考題)　

(A)－e^－^t˚V　 (B)－2e^－^t˚V　 (C)e^－^t˚V　 (D)2e^－^t˚V。

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90. 有一電路如下圖，i(0)＝10A。求t＞0時，i_x(t)＝？
　(103年度考題)　

(A)3.5e^－^2tA　 (B)5.5e^－^2tA　 (C)7.5e^－^2tA　 (D)9.5e^－^2tA。

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91. 如下圖三級串級回授放大器圖，各電晶體Q₁、Q₂、Q₃，β＝120，V_BE(on)＝0.7V，V_T＝26mV，求得Q₃，g_m≒？
　(103年度考題)　

(A)19mA/V　 (B)33mA/V　 (C)50mA/V　 (D)78mA/V。

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92. 三級串級放大器，若每一級截止頻率都相同，即f_L＝300Hz，f_H＝50kHz，則該三級串級放大器之頻寬B應為何？　(103年度考題)　

(A)19.8kHz　 (B)24.9kHz　 (C)49.7kHz　 (D)50.3kHz。

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93. 如下圖FET偏壓電路，給定V_T＝1V，＝1mA/V²在忽略通道長度調變效應（Channel-length Modulation effect）下，求I_D電流？
　(103年度考題)　

(A)0.23mA　 (B)0.36mA　 (C)0.5mA　 (D)0.89mA。

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94. 下圖非反相放大器線路，OP運算放大器開回路增益A_υ＝10⁴，依負回授理論，A_Vf＝A_V／（1＋βA_V），試求該放大器開回路增益AV為何？
　(103年度考題)　

(A)7865　 (B)8071　 (C)8254　 (D)8737。

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95. 如下圖T型放大器，求V₀＝？
　(103年度考題)　

(A)－2.7V　 (B)－18V　 (C)－30V　 (D)－36V。

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96. 下圖儀表放大器，若V_id＝V₂－V₁，求V₀＝？
　(103年度考題)　

(A)－

　 (B)

　 (C)－

　 (D)

。

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97. 如下圖為簡單音頻放大器的電路圖，若要得到較低的轉角頻率f_L＝20Hz，求C耦合電容值？
　(103年度考題)　

(A)0.0289μF　 (B)0.0477μF　 (C)0.289μF　 (D)0.477μF。

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98. 下圖假若要設計一個帶通濾波器線路，給定V_in＝10kHz，伴隨1kHz低頻與100kHz高頻雜訊，在濾波器頻帶寬B為1kHz，電壓增益A_v＝1，C＝0.001μF，試求R₂≒？
　(103年度考題)　

(A)800Ω　 (B)64kΩ　 (C)160kΩ　 (D)320kΩ。

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99. 考慮如下圖N-通道MOSFET等效電路，若忽略r_s、r_d、r_o、C_ds及汲極連結到訊號地，＝0.4mA/V²，V_T＝1V，λ＝0，C_gd＝0.04pF，C_gs＝0.2pF，給定偏壓V_GS＝3V，求單位電流增益的頻率（unity-gain frequency）f_T？
　(103年度考題)　

(A)155MHz　 (B)290MHz　 (C)530MHz　 (D)663MHz。

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100. 假設N通道JFET其I_DSS＝10mA，V_GS(off)＝－5V，當JFET工作在定電流區時，求V_GS＝－1V，其g_m值為多少姆歐？　(103年度考題)　

(A)2.7m℧ (B)3.2m℧ (C)4m℧ (D)6m℧。

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101. 下列有關理想的R、L、C三元件串聯電路之敘述，何者有誤？　(104年度考題)　

(A)發生諧振現象時，電路的阻抗值最小　 (B)發生諧振現象之頻率與電阻R無關　 (C)電阻R越大，品質因數越高　 (D)不一定為低通濾波器。

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102. 下列有關對稱函數的傅立葉級數展開之敘述，何者有誤？　(104年度考題)　

(A)偶對稱函數不存在正弦波成分　 (B)四分之一波對稱函數僅存在偶次諧波成分　 (C)奇對稱函數不存在餘弦波成分　 (D)半波對稱函數僅存在奇次諧波成分。

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103. 請求出電壓v(t)＝10cos（10t＋30°）的振盪週期T，及與電流i(t)＝－5sin（10t－70°）間的相位關係為何？　(104年度考題)　

(A)π/5，電壓領先電流10°　 (B)π/5，電流領先電壓10° (C)π/10，電壓領先電流100° (D)π/10，電流領先電壓100°。

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104. 下列有關平衡三相系統之敘述，何者正確？　(104年度考題)　

(A)Δ型接法，相電壓是線電壓的

倍　 (B)Δ型接法，相電流是線電流的

倍　 (C)Y型接法，相電壓與線電壓相等　 (D)Y型接法，相電流與線電流相等。

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105. 有一單埠電路，其諾頓等效電流源為4安培，戴維寧等效電壓源為16伏特，請問其諾頓與戴維寧等效電阻各為何？　(104年度考題)　

(A)同為

　 (B)同為4Ω　 (C)

與4Ω　 (D)4Ω與

。

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106. 有一正相序平衡三相電壓源，線電壓V_ab＝∠30°V，經由每相線路阻抗為1＋j0.5Ω的傳輸線，傳送電力到單相阻抗值為9＋j7.5Ω的平衡Δ接負載，請問a相的線電流I_a為何？　(104年度考題)　

(A)10∠－6.87°A　 (B)10∠－36.87°A　 (C)

∠－36.87°A　 (D)

∠－6.87°A。

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107. 求F(s)＝的逆拉普拉斯轉換為何？　(104年度考題)　

(A)－3e^－^3t＋2e^－^4t　 (B)－2e^－^3t＋3e^－^4t　 (C)2e^－^3t－3e^－^4t　 (D)3e^－^3t－2e^－^4t。

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108. 有一個RL串聯低通濾波器的截止頻率為4kHz，假設電阻R＝10kΩ，求電感L及24kHz時的︱H(jω)︱為何？　(104年度考題)　

(A)0.40H，0.164　 (B)0.40H，0.707　 (C)2.50H，0.164　 (D)2.50H，0.707。

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109. 設平衡三相Y形電路的相電壓V_BN為220∠－150°V，而且為正相序，求線電壓V_BC值為何？　(104年度考題)　

(A)311.13∠－120°V　 (B)311.13∠－180°V　 (C)381.05∠－120°V　 (D)381.05∠－180°V。

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110. 如下圖所示電路，節點電壓V_c為何？
　(104年度考題)　

(A)14V　 (B)28V　 (C)56V　 (D)112V。

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111. 兩組平衡三相負載接成如下圖所示電路，其中平衡Y接負載之各個單相阻抗Z₁＝3＋j4Ω，而平衡Δ接負載之各個單相阻抗Z₂＝9－j12Ω，則此兩組負載等效成一組三相Y接負載之各單相阻抗值為何？
　(104年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)5Ω。

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112. 如下圖所示為米勒積分器（Miller Integrator），其中R＝100kΩ、C＝10μF、V＝5V，設電容器初始電壓為0V，t＝0時S接通，當t＝1秒時，V_o電壓為多少？
　(104年度考題)　

(A)－5V　 (B)－2V　 (C)＋1V　 (D)＋2V。

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113. 下列有關BJT與MOSFET之比較，何者有誤？　(104年度考題)　

(A)相同直流偏壓電源下，BJT有較高的互導值（gm）　 (B)MOSFET有較大的輸入阻抗　 (C)BJT比MOSFET更適合作為開關使用　 (D)BJT有較大的頻寬。

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114. 關於p-n接面二極體（p-n junction diode）之敘述，下列何者有誤？　(104年度考題)　

(A)開路狀態下空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度低的一邊　 (B)順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係　 (C)逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大　 (D)多數載子之移動形成擴散電流。

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115. 一個齊納二極體（Zener Diode）於25°C時，V_Z＝6.8V，其正溫度係數為0.05%/°C，求80°C時V_Z？　(104年度考題)　

(A)6.855V　 (B)6.987V　 (C)6.834V　 (D)7.252V。

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116. 使用橋式整流器來實現全波整流電路，其輸入電壓為V_peak＝100V、60Hz，輸出電容為100μF，負載為10kΩ，假設二極體為理想二極體，試求漣波電壓V_{r, peak to peak}？　(104年度考題)　

(A)0.833V　 (B)0.417V　 (C)1.667V　 (D)0.967V。

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117. 對於共基極放大器，下列何者有誤？　(104年度考題)　

(A)不會受米勒效應（Miller Effect）的影響　 (B)電流增益約為1　 (C)輸入阻抗很小　 (D)輸出阻抗很小。

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118. 如下圖MOSFET電路，|?V_t?|＝1V、μ_nCox＝20μA/V²、μ_pCox＝10μA/V²，若V₁＝6V、V₂＝2V，則：：為何？（忽略通道長度調變效應）
　(104年度考題)　

(A)2：1：9　 (B)1：1：9　 (C)2：1：4　 (D)1：1：2。

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119. 下圖使用齊納二極體（Zener Diode）製作穩壓電路，齊納二極體在20mA時，V_z＝12V、r_z＝10Ω，V_S在20V和25V之間變動，I_L在0mA和30mA之間變動，且I_{z, min}＝5mA、I_{z, max}＝80mA，下列敘述何者正確？
　(104年度考題)　

(A)R值越小，穩壓越好　 (B)R最大值為245Ω　 (C)R最小值為155Ω　 (D)若R＝160Ω，I_L最大變化可導致V_O有0.287V之變化。

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120. 有一放大器電路其轉移函數為，此為何種濾波器？　(104年度考題)　

(A)帶通濾波器　 (B)帶拒濾波器　 (C)低通濾波器　 (D)高通濾波器。

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121. 下列關於負回授電路之敘述，何者有誤？　(104年度考題)　

(A)電壓取樣、電流回授可降低輸入阻抗　 (B)迴路增益（Loop Gain）在相位移180?下，增益小於1，電路才會穩定　 (C)對於單一極點之開迴路放大器，加入電阻性負載後，電路一定穩定　 (D)電流取樣、電壓回授可降低輸出阻抗。

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122. 一增強型NMOS電晶體，V_t0＝2V、＝0.6V、γ＝，求V_SB＝3.5V時，V_t為多少？　(104年度考題)　

(A)2.5V　 (B)2V　 (C)3V　 (D)2.3V。

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123. 如下圖，A、B、C為邏輯輸入，Y輸出為何？
　(104年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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124. 設計一個哈特萊振盪器（Hartley Oscillator），振盪頻率為100kHz，電感L₁＝L₂＝0.1mH，則電容C為何？　(104年度考題)　

(A)25.33nF　 (B)50.66nF　 (C)500nF　 (D)12.67nF。

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125. 在積體電路設計中，盡量避免使用何種元件？　(104年度考題)　

(A)電晶體　 (B)電阻　 (C)電感　 (D)電容。

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126. 一並聯RL電路在頻率為f₁時阻抗為2.5＋j2.5Ω，在頻率為f₂時阻抗為4＋j2Ω，求其頻率比為何？　(104年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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127. 如下圖所示的兩電路，互為等效電路，以a、b端為第1埠，以c、d端為第2埠，此雙埠網路之Z參數中的Z₂₂為何？
　(104年度考題)　

(A)5.6Ω　 (B)7.0Ω　 (C)8.4Ω　 (D)11.2Ω。

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128. 如下圖所示電路，有兩個正弦電源，若v₁(t)＝24cos3t V、v₂(t)＝8cos4t V，則電阻器的平均吸收功率為何？
　(104年度考題)　

(A)4.48W　 (B)8.48W　 (C)12.96W　 (D)17.44W。

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129. 有一平衡三相、Y形連接發電機的每相阻抗為0.1＋j0.6Ω，發電機的內部相電壓為240V，供電給三相Y形的平衡負載，每相的負載阻抗為39＋j28Ω，發電機與負載之間的線路阻抗為0.9＋j1.4Ω，求損耗在線路中的總平均功率為何？　(104年度考題)　

(A)13.824W　 (B)31.104W　 (C)62.208W　 (D)88.432W。

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130. 如下圖所示，求在ω＝4000rad/s時，使流過電阻器的電流i_R會比電源電流i_S落後45°，圖中的R值為何？（利用相量圖求解）
　(104年度考題)　

(A)1/4Ω　 (B)1/3Ω　 (C)3Ω　 (D)4Ω。

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131. 如下圖所示之電路，其轉移函數H(s)＝為何？
　(104年度考題)　

(A)H(s)＝

　 (B)H(s)＝

　 (C)H(s)＝

　 (D)H(s)＝

。

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132. 如下圖所示之電路，求V_o電壓為何？
　(104年度考題)　

(A)113V　 (B)133V　 (C)153V　 (D)173V。

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133. 如下圖所示之電路，求電壓v₁為何？
　(104年度考題)　

(A)21.4－j42.8V　 (B)21.4＋j42.8V　 (C)42.8－j21.4V　 (D)42.8＋j21.4V。

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134. 如下圖所示之電路，負載L₁以0.6的落後功率因數吸收12kW平均功率，負載L₂以0.8的領先功率因數吸收10kVA，求電流i_s為何？
　(104年度考題)　

(A)20－j10A　 (B)20＋j10A　 (C)80－j40A　 (D)80＋j40A。

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135. 如下圖所示之電路，v_s(t)＝10cos10t V，求電流i(t)為何？
　(104年度考題)　

(A)－4－0.707cos（10t－45°）A　 (B)－4－0.707cos（10t＋45°）A　 (C)－4＋0.707cos（10t－45°）A　 (D)－4＋0.707cos（10t＋45°）A。

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136. 如下圖所示電路，電路中的開關已經打開很久，電容器的初始電荷為零，當t＝0的瞬間開關閉合，求t?0^＋時的i(t)為何？
　(104年度考題)　

(A)12e^－^200t mA　 (B)12e^－^20t Ma　 (C)48e^－^200t mA　 (D)48e^－^20t mA。

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137. 如下圖所示電路，使得R_L的吸收功率最大的R_L值為何？
　(104年度考題)　

(A)7.5Ω　 (B)10Ω　 (C)15Ω　 (D)17.5Ω。

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138. 如下圖所示電路中，開關已打開一段很長的時間，在t＝0開關閉合前已達到穩態狀況，求開關閉合後的電感器電流i(t)為何？
　(104年度考題)　

(A)1－0.5e^－^4tA　 (B)1－0.5e^－^2tA　 (C)2－e^－^4tA　 (D)2－e^－^2tA。

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139. 一個放大器其增益為40∠－35°，若要使此電路振盪，其回授增益為何？　(104年度考題)　

(A)0.025∠35° (B)0.025∠－55° (C)0.02∠35° (D)0.02∠－55°。

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140. 對於一個放大器，其電壓增益A＝－100，輸入阻抗為10kΩ，使用一電阻R＝100kΩ，跨接在輸入和輸出端，其輸入阻抗變為多少？　(104年度考題)　

(A)9.1kΩ　 (B)900.9Ω　 (C)990Ω　 (D)101kΩ。

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141. 如下圖電晶體在25°C時，V_BE＝0.7V，β＝50，V_BE對其溫度的變化為－2mV/°C，在125°C時，β＝200，忽略爾利效應（Early Effect），試算125°C時V_o直流偏壓為多少？
　(104年度考題)　

(A)4.17V　 (B)0.83V　 (C)1.08V　 (D)3.92V。

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142. 設計一B類放大器，輸入為正弦波信號，提供10W平均功率給10Ω負載，則電源±V_CC應選用何者較佳？　(104年度考題)　

(A)±5V　 (B)±12V　 (C)±20V　 (D)±10V。

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143. 關於下圖電路，R_S＝R₁＝R₂＝R_B、R_A＝2R_B、二極體導通電壓為0.7V，假設A為理想運算放大器，下列何者有誤？
　(104年度考題)　

(A)V_S＝1V、V_O＝2V　 (B)二極體導通條件為V_S≥2.8V　 (C)V_S＝4V、V_O＝6.73V　 (D)V_S＝3V、V_O＝5.4V。

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144. 有一個一階運算放大器，其直流增益為10⁶，且有一極點於10rad/s，零點為無窮大，使用電阻將其組成非反向放大器，直流增益為10，求非反向放大器之極點為何？　(104年度考題)　

(A)10rad/s　 (B)10⁵rad/s　 (C)10⁶rad/s　 (D)10²rad/s。

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145. 設計一個低通濾波器如下圖，頻寬為10kHz，R₁＝10kΩ、C₁＝C₂＝1nF，A為理想運算放大器，R₂應為多少？
　(104年度考題)　

(A)1MΩ　 (B)50.66kΩ　 (C)25.33kΩ　 (D)20.64kΩ。

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146. 下圖為一串串（Series-Series）回授電路A_f＝，R_E＝100Ω、r_π＝2kΩ、gm＝0.04A/V、R₁＝R₂＝10kΩ，忽略爾利效應（Early Effect），下列何者正確？
　(104年度考題)　

(A)R_inf＝5kΩ　 (B)β＝0.01　 (C)A_f＝0.12　 (D)A＝0.038。

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147. 下列關於開關電容濾波器（The Switched-Capacitor Filter）的敘述，何者有誤？　(104年度考題)　

(A)需使用不重疊（non-overlapping）的脈波來切換開關　 (B)在積體電路中可以掌握更精確的時間常數　 (C)利用快速切換的電容所等效的電阻，切換頻率越高，電阻越小　 (D)切換脈波頻率需小於輸入信號頻率。

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148. 有一差動放大器，當差動輸入電壓變動0.1V，差動輸出電壓變動2V，若共模電壓增益為2×10^－⁴，共模拒斥比（CMRR）為多少？　(104年度考題)　

(A)100dB　 (B)5dB　 (C)50dB　 (D)10dB。

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149. 如下圖，A₁、A₂為理想運算放大器，輸出正飽和電壓為V_DD，負飽和電壓為0V，其中V_DD＝10V、R＝1kΩ，發光二極體（LED）導通電壓為2V，試問當V_S＝6V時，發光二極體L₁、L₂狀態為何？
　(104年度考題)　

(A)L₁滅、L₂滅　 (B)L₁滅、L₂亮　 (C)L₁亮、L₂滅　 (D)L₁亮、L₂亮。

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150. 下圖為一電流轉換器電路，所有電晶體β＝100，假設二極體與電晶體飽和電流I_S相同，V_T＝25mV、n＝1、V_S＝1V、R＝1kΩ，I_O為何？
　(104年度考題)　

(A)1.1mA　 (B)1mA　 (C)0.99mA　 (D)0.98mA。

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151. 電流i(t)＝〔5cos（ωt＋36.87°）＋10cos（ωt－53.13°）〕A，如改用相量表示為何？　(105年度考題)　

(A)11.2∠－26.6°A　 (B)11.2∠－53.2°A　 (C)22.4∠－26.6°A　 (D)22.4∠－53.2°A。

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152. 有一弦波電壓V(t)＝300cos（120πt＋30°）V，當t＝2.778ms時，電壓值為何？　(105年度考題)　

(A)0V　 (B)150V　 (C)212V　 (D)260V。

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153. 有一電壓源V(t)＝100＋20cos（3t－20°）＋10cos（5t＋10°）＋10cos（7t－30°）V串聯1Ω電阻，則1Ω電阻所吸收之平均功率為何？　(105年度考題)　

(A)5300W　 (B)8050W　 (C)10300W　 (D)10525W。

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154. 有一RLC並聯電路，其自然響應V(t)＝sinωt，A為常數，α＞0，ω≠0。有關V(t)敘述，下列何者有誤？　(105年度考題)　

(A)電壓會在正值、負值間交替　 (B)電壓振盪的幅度呈指數衰減　 (C)α值會影響電壓衰減的速度　 (D)此為臨界阻尼響應。

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155. 有一弦波電壓源連接RLC串聯電路，R＝50Ω，L＝50mH，C＝80μF。欲使電路出現最大電流振幅，則電源角頻率ω值為何？　(105年度考題)　

(A)200rad/s　 (B)300rad/s　 (C)400rad/s　 (D)500rad/s。

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156. 有一電容器C＝0.5F，其電流i(t)＝6t A。已知t＝0s時，電容器上之電壓為2V，求t＝1s時，儲存於電容器之能量為何？　(105年度考題)　

(A)8J　 (B)16J　 (C)24J　 (D)32J。

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157. 有一電壓V(t)＝（ωt－10°）V，連接阻抗Z＝Ω，則其複數功率大小為何？　(105年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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158. 關於RLC串聯諧振之敘述，下列何者有誤？　(105年度考題)　

(A)電路阻抗最小　 (B)頻寬與品質因數Q成反比　 (C)功率因數為1　 (D)電源頻率大於諧振頻率時，電路呈電容性。

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159. 有一元件之電壓及電流分別為v(t)＝3cos（3t＋20°）V，i(t)＝－2sin（3t＋30°）A，則電壓和電流之相位關係為何？　(105年度考題)　

(A)電壓領先電流10° (B)電流領先電壓10° (C)電壓領先電流100° (D)電流領先電壓100°。

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160. 一個25μF之電容器兩端加上電壓V(t)＝10sin200t V，則電容阻抗值為何？　(105年度考題)　

(A)－j100Ω　 (B)－j200Ω　 (C)－j400Ω　 (D)－j600Ω。

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161. 有一電阻R＝2Ω，將其通過i(t)＝4sin（ωt＋30°）A之電流時，電阻消耗之功率為何？　(105年度考題)　

(A)8W　 (B)16W　 (C)24W　 (D)32W。

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162. 有一RLC串聯電路，連接一個60Hz，100V之電源。電路之R＝10Ω，X_L＝50Ω，X_C＝－0.5Ω，則此電路之諧振頻率為何？　(105年度考題)　

(A)6Hz　 (B)12Hz　 (C)18Hz　 (D)24Hz。

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163. 有兩條銅線，銅線A的直徑及長度皆為銅線B的2倍。若在兩條銅線加上相同電壓，則銅線A所消耗功率為銅線B的幾倍？　(105年度考題)　

(A)1/4　 (B)1/2　 (C)2　 (D)4。

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164. 有一電源所提供之電壓及電流分別為V(t)＝20sin（ωt）V，i(t)＝40sin（ωt－30°）A，則電源所提供之平均功率為何？　(105年度考題)　

(A)200W　 (B)400W　 (C)

　 (D)

。

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165. 有一電感L＝100mH，當t＜0，其兩端電壓為0V。當t＞0，其兩端電壓V(t)＝。假設t≤0時，i_L＝0A。求t＝0.2s時，i_L值＝？　(105年度考題)　

(A)1.05A　 (B)1.19A　 (C)2.11A　 (D)2.37A。

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166. 有一RLC串聯電路，R＝560Ω，L＝100mH，C＝0.1μF，其電流之自然響應特性為何？　(105年度考題)　

(A)過阻尼　 (B)欠阻尼　 (C)臨界阻尼　 (D)無阻尼。

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167. 如下圖之電路，t＝0s時，S₁閉合，t＝5s時，S₂閉合。當0≤t≤5時，求電路之i(t)＝？
　(105年度考題)　

(A)4（1－

）A　 (B)6（1－

）A　 (C)4（1－

）A　 (D)6（1－

）A。

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168. 如下圖之電路，t＜0時已達穩態。當t＝0s時，瞬間將開關斷路，則t＝48s時，求V₁＝？
　(105年度考題)　

(A)10e^－²V　 (B)20e^－²V　 (C)10e^－¹V　 (D)20e^－¹V。

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169. 如下圖之電路，t＜0時已達穩態。當t＝0s時，瞬間將開關斷路，則t＞0時，V_C(t)＝？
　(105年度考題)　

(A)10－

　 (B)15－

　 (D)25－

。

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170. 如下圖之電路，電感在t＝0s時，i_L(0)＝2A。求t＞0時，i_L(t)＝？
　(105年度考題)　

(A)3－

　 (B)3－

　 (D)4－

。

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171. 如下圖之電路，t＝0s時，開關瞬間閉合。則t＝1ms時，電壓V_L＝？
　(105年度考題)　

(A)2e^－²V　 (B)6e^－²V　 (C)12e^－⁴V　 (D)16e^－⁴V。

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172. 如下圖之電路，t＝0s時，開關瞬間閉合。求t＞0時，V_C(t)＝？
　(105年度考題)　

(A)6e^－^2tV　 (B)12e^－^2tV　 (C)16te^－^2tV　 (D)32te^－^2tV。

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173. 如下圖之電路，從V_OC兩端點看入之戴維寧等效阻抗為何？
　(105年度考題)　

(A)40＋j10Ω　 (B)50＋j10Ω　 (C)30＋j20Ω　 (D)60＋j20Ω。

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174. 求下圖電路之i_x＝？
　(105年度考題)　

(A)

　 (B)

　 (C)

　 (D)

。

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175. 下圖電路之V_O＝aV₁＋bi₂＋cV₃，求a＋b＋c＝？
　(105年度考題)　

(A)1　 (B)2　 (C)4　 (D)8。

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176. 如下圖之電路，在下列哪種條件下，其電壓增益值V_O/V_I與頻率無關？（OP：理想運算放大器）
　(105年度考題)　

(A)R₁C₂＝R₂C₁　 (B)R₁R₂＝C₁C₂　 (C)C₁＝C₂　 (D)R₁C₁＝R₂C₂。

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177. 如下圖之電路，流經R_f的電流值I_f為多少？（OP：理想運算放大器；D₁為二極體，其導通電壓＝0.7V；V_Z：稽納二極體的逆向崩潰電壓）
　(105年度考題)　

(A)0.14mA　 (B)0.28mA　 (C)0.42mA　 (D)0.56mA。

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178. 如下圖之電路，要確保此電路可以開始振盪，其條件為何？（OP：理想運算放大器）
　(105年度考題)　

(A)（R₂/R）＞2　 (B)（R₁/R）＞2　 (C)（R₁/R₂）＞2　 (D)（R₂/R₁）＞2。

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179. 轉導放大器（Transconductance Amplifier）的理想特性為何？（R_i：輸入阻抗；R_o：輸出阻抗）　(105年度考題)　

(A)R_i＝∞，R_o＝0　 (B)R_i＝0，R_o＝∞　 (C)R_i＝∞，R_o＝∞　 (D)R_i＝0，R_o＝0。

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180. 一理想矽質PN介面的二極體，在T＝300K時（V_T＝26mV），其逆向偏壓的飽和電流為I_S＝2×10^－¹⁴A且n＝1，請問在順向偏壓＋0.65V時的電流值為多少？　(105年度考題)　

(A)1.44mA　 (B)2.88mA　 (C)3.44mA　 (D)4.05mA。

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181. 如下圖之電路，假設I_REF＝I_O＝100μA，所有的MOSFET（Q₁～Q₄）的爾利電壓（Early Voltage）| V_A |＝50V，且g_m＝0.5mA/V，忽略基體效應（Body Effect），請問輸出電阻R_o的值為多少？
　(105年度考題)　

(A)116MΩ　 (B)126MΩ　 (C)256MΩ　 (D)502MΩ。

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182. 如下圖之電路，假設MOSFET Q₁、Q₂、Q₃之工作點均在飽和區且忽略爾利效應（Early Effect），g_m1＝0.5mA/V，Q₃與Q₂的通道寬度比W₃/W₂＝1.2，試求此電路的小信號電壓放大倍數v_o/v_i等於多少？
　(105年度考題)　

(A)70　 (B)80　 (C)90　 (D)100。

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183. 如下圖之電路，假設I_o＝10μA，BJT Q₁、Q₂、Q₃的電流增益β均為80，V_T＝25mV，且爾利電壓（Early Voltage）| V_A |＝100V，求R_o的電阻值為多少？
　(105年度考題)　

(A)191MΩ　 (B)291MΩ　 (C)391MΩ　 (D)491MΩ。

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184. 對一MOSFET以一固定的v_GS電壓操作在飽和區，在v_DS＝4V時，i_D＝2mA，且v_DS＝8V時，i_D＝2.1mA，請問其爾利電壓（Early Voltage）| V_A |為多少？　(105年度考題)　

(A)70V　 (B)76V　 (C)80V　 (D)86V。

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185. 對一增強型的PMOS電晶體，其＝90μA/V²，V_t＝－1.5V，爾利電壓（Early Voltage）| V_A |＝50V，將閘極(G)端接地，源極(S)端接＋5V，當汲極(D)端電壓v_D＝＋4V時，求其汲極電流值i_D為多少？　(105年度考題)　

(A)0.14mA　 (B)0.27mA　 (C)0.40mA　 (D)0.59mA。

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186. 在積體電路中，NMOS的基體(B)端應如何接？　(105年度考題)　

(A)接至電流源　 (B)接至汲極（Drain）　 (C)接至源極（Source）　 (D)接至最低電壓。

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187. 使一個npn型電晶體操作在v_BE＝670mV，I_C＝2mA，其i_C對v_CE的特性有一斜率為2×10^－⁵℧，當電晶體操作在I_C＝10mA時，其輸出阻抗值為多少？　(105年度考題)　

(A)40kΩ　 (B)30kΩ　 (C)20kΩ　 (D)10kΩ。

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188. 對一BJT電晶體操作在I_B＝5mA時，在I_C＝10mA下，其對應的V_CEsat＝140mV，且I_C＝20mA時，其對應的V_CEsat＝180mV，求其飽和區的R_CEsat電阻值為多少？　(105年度考題)　

(A)2Ω　 (B)3Ω　 (C)4Ω　 (D)5Ω。

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189. 如下圖之電路，已知此CMOS反向器電路的V_TN＝0.8V，V_TP＝－0.8V且K_n＝K_p，假設v_O1＝0.5V時，請問v_I的電壓值為多少？
　(105年度考題)　

(A)1.55V　 (B)2.06V　 (C)2.86V　 (D)3.75V。

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190. 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A_o＝100dB，當頻率f＝10⁴Hz時，其開路增益的大小為40dB，請問此放大器之單位增益頻寬（unit gain bandwidth）值約為多少？　(105年度考題)　

(A)10⁴Hz　 (B)10⁵Hz　 (C)10⁶Hz　 (D)10⁷Hz。

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191. 如下圖的一組並聯－串聯式（Shunt-Series）負回授放大電路，電晶體參數g_m1＝g_m2＝6mA/V，忽略爾利效應（Early Effect）及基體效應（Body Effect），電阻R_S＝R_D＝10kΩ及R_F＝90kΩ，求電流放大倍數A_f＝I_O/I_S為多少？
　(105年度考題)　

(A)－6.9　 (B)－9.9　 (C)－12.9　 (D)－15.9。

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192. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值V_T，下列敘述何者正確？　(105年度考題)　

(A)降低基體（Substrate）的濃度（N_A）　 (B)降低源極（Source）區域的濃度（N_D）　 (C)降低汲極（Drain）區域的濃度（N_D）　 (D)降低閘極（Gate）區域的

/t_Ox（

：矽氧化層的permittivity；t_Ox：矽氧化層厚度）。

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193. 對一npn型的BJT所組成的共基極（Common Base）放大器，下列敘述何者有誤？　(105年度考題)　

(A)輸入阻抗R_i＝r_e（很小）　 (B)高頻響應比共射極（Common Emitter）放大器差　 (C)電流增益A_i＝α≤1　 (D)電壓增益A_v對β變化的影響小。

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194. 對一PN二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流I_S的敘述何者有誤？　(105年度考題)　

(A)逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流I_S（約10^－¹⁵A）　 (B)I_S由少數載子數量控制　 (C)溫度越高，I_S會上升　 (D)Junction面積增加會使I_S下降。

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195. 下列有關MOS電流鏡和BJT電流鏡的比較何者有誤？　(105年度考題)　

(A)MOS電流鏡無β效應（有限β值效應）　 (B)通常MOS電流鏡的V_Omin＝V_GS－V_t＝V_OV比BJT電流鏡的V_Omin＝V_CEsat來的大　 (C)MOS電流鏡r_O的影響比BJT電流鏡小（有限r_O值效應）　 (D)Wilson電流鏡的電路可降低BJT電流鏡β值有限效應及增加輸出電阻值。